功率器件

功率器件资讯

Keysight - 是德科技推出用于快速开关功率器件测试的隔离探测技术

实现高压、噪声环境中浮动电路的准确和安全测量  ·提供优越的高共模电压和伴随噪声的抑制能力,以隔离小而快速的开关信号  是德科技(NYSE: KEYS )开发了一种光隔离差分探头系列,专门用于提高宽禁带 GaN 和 SiC 半导体等快速开关...

时间:2025/4/1 阅读:95 关键词:是德科技

ROHM - 罗姆与台积电公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系

ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下简称“台积公司”)就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。  通过该合作关系,双方将致力于将罗姆的氮化镓器...

时间:2025/2/17 阅读:67 关键词:功率器

Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合, 专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计

为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电...

分类:新品快报 时间:2024/11/25 阅读:132 关键词:Microchip

Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合,专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计

为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技...

分类:新品快报 时间:2024/11/15 阅读:473 关键词:Microchip

Nexperia扩展功率器件产品组合,新增标准和车规级理想二极管

Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中,NID5100适用于标准工业和消费应用,而NID5100-Q100已获得认证,可用于汽车应用。这两款理想二极...

分类:新品快报 时间:2024/9/4 阅读:359 关键词:理想二极管

Nexperia为其功率器件产品组合添加了具有出色限流精度的新型大电流eFuse

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出NPS3102A和NPS3102B电子保险丝(eFuse),进一步扩充其不断发展的功率器件产品组合。这些低电阻(17 mΩ)、大电流(13.5 A)、可复位的电子保险丝有助于保护下游负载,不受过高电压的...

时间:2024/8/8 阅读:79 关键词:半导体

EliteSiC M3S 功率器件,破解电动汽车直流超快速双向充电难题

大部分消费者不买电动汽车,主要是担心充电的便利性以及快速充电的能力,不能确保驾乘体验与传统内燃机(ICE)车辆一样简易流畅。电动汽车充电桩的数量需要大量部署才能满足需求,并确保公共充电站资源能够更加公平合理地分配给驾驶员。 ...

时间:2024/7/24 阅读:97 关键词:半导体

Mitsubishi - 三菱电机功率器件发展史

半导体器件是当今迅速发展的各类电力电子设备不可或缺的组成部分,是促进科技发展、社会进步的重要力量。作为诸多领域技术的创新者,三菱电机在半导体领域扮演着重要的角色。优良的技术、现代化的制造工艺和充足的产能是三菱电机成功的关...

时间:2024/7/16 阅读:78 关键词:三菱电机功率器件

AKM - 与第三代半导体(SiC/GaN)功率器件高度适配、面向电动汽车的电流传感器已经量产,聚焦车载充电器(OBC)、电子保险丝(E-Fuse)等应用

旭化成微电子(AKM)面向汽车应用的全新电流传感器CZ39系列产品已经开始量产。  采用AKM积淀深厚的化合物霍尔元件技术、先进封装技术和ASIC专用集成电路技术,具备响应快、发热低、抗噪声等产品特点。  CZ39系列产品与SiC/GaN功率器...

时间:2024/5/24 阅读:349 关键词:电子

功率器件将成为新的增长点

随着新能源汽车的需求增加,市场对碳化硅的关注度逐渐提高,而与碳化硅同为宽禁带半导体的氮化镓也同样受到企业青睐。  2024年1月,瑞萨电子收购估值约为3.5亿美元的全球...

分类:业界动态 时间:2024/2/19 阅读:318 关键词:碳化硅

功率器件技术

解析新型功率器件老化特性:HTOL 高温工况测试优势

新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)凭借其优异的性能,在各类电子设备中得到了广泛应用。然而,这些器件在长时间连续使用后,不可避免地会出现老化现象,进而导致...

设计应用 时间:2025/5/29 阅读:207

p-GaN HEMT功率器件漏栅过压失效机理分析

漏极过电压应力  在开关转换期间,功率转换器中可能会出现漏极过电压。有多种因素会影响这些过冲的严重程度,包括正在切换的电流的转换率 (dI/dt) 以及与封装和外部连接...

设计应用 时间:2024/10/31 阅读:286

如何改善GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间

电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...

设计应用 时间:2024/5/8 阅读:1034

半导体功率器件的无铅回流焊

无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料,或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...

设计应用 时间:2023/9/27 阅读:594

适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案

使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗,同时最大限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器,用于工业市场的高效...

技术方案 时间:2023/8/15 阅读:410

汽车应用中 SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求

半导体在汽车中的使用持续增加。如图1所示,尽管由于疫情造成的全球供应链限制,过去几年新车销量总体下降,但同期汽车内半导体销售收入却有所上升。汽车中半导体价值的增...

设计应用 时间:2023/8/1 阅读:887

用于 GaN 功率器件的集成栅极驱动器

为了开发集成栅极驱动器,一组研究人员1在商用 650V GaN-on-Si 平台上实现了增强型 (E) 模式 GaN 功率开关和基于 GaN 的栅极驱动器的单片集成。这种集成消除了额外的处理步...

设计应用 时间:2023/7/14 阅读:1704

功率器件栅极驱动器要求

图 1 显示了电动汽车牵引逆变器的简化框图。该图中的红色方块代表栅极驱动器及其驱动的相关功率级。该应用中栅极驱动器的一些关键功能包括: 提供隔离。在 HV 侧,栅极驱动器可能会驱动参考 800V 直流总线电压的SiC器件。另一方面,由...

基础电子 时间:2023/6/30 阅读:934

SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求

Innoscience 和其他公司已经超越了标准的可靠性和生产测试来强调部件失效,推断出可以估计 1 ppm 故障率寿命的寿命曲线。动态导通电阻 (R DS(on) ) 作为 GaN 在开关应用中可能的故障模式而被广泛讨论,并且可以被视为材料缺陷的征兆。Inn...

设计应用 时间:2023/5/25 阅读:383

垂直氮化镓鳍式JFET功率器件的短路鲁棒性

氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件已在广泛的电压等级(主要是 650 V 及以下)上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比,GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...

设计应用 时间:2023/3/15 阅读:577

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