电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...
设计应用 时间:2024/5/8 阅读:839
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料,或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...
设计应用 时间:2023/9/27 阅读:376
使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗,同时最大限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器,用于工业市场的高效...
技术方案 时间:2023/8/15 阅读:312
半导体在汽车中的使用持续增加。如图1所示,尽管由于疫情造成的全球供应链限制,过去几年新车销量总体下降,但同期汽车内半导体销售收入却有所上升。汽车中半导体价值的增...
设计应用 时间:2023/8/1 阅读:673
为了开发集成栅极驱动器,一组研究人员1在商用 650V GaN-on-Si 平台上实现了增强型 (E) 模式 GaN 功率开关和基于 GaN 的栅极驱动器的单片集成。这种集成消除了额外的处理步...
设计应用 时间:2023/7/14 阅读:1630
图 1 显示了电动汽车牵引逆变器的简化框图。该图中的红色方块代表栅极驱动器及其驱动的相关功率级。该应用中栅极驱动器的一些关键功能包括: 提供隔离。在 HV 侧,栅极驱动器可能会驱动参考 800V 直流总线电压的SiC器件。另一方面,由...
基础电子 时间:2023/6/30 阅读:845
Innoscience 和其他公司已经超越了标准的可靠性和生产测试来强调部件失效,推断出可以估计 1 ppm 故障率寿命的寿命曲线。动态导通电阻 (R DS(on) ) 作为 GaN 在开关应用中可能的故障模式而被广泛讨论,并且可以被视为材料缺陷的征兆。Inn...
设计应用 时间:2023/5/25 阅读:286
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件已在广泛的电压等级(主要是 650 V 及以下)上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比,GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间:2023/3/15 阅读:509
Toshiba - 东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用(如工业设备的可编程逻辑控制器)中使用的感性负载的驱动。高边开关(8通道)“TPD2015F...
新品速递 时间:2023/3/10 阅读:497
ST - 意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT
意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比,意法半导体先进的ACEPACK SMIT 封装能够简化组装工序,提高模块的功率密度。 工程师有五款产品可选:两个 STPOWER 650V MOSFET半桥模块、...
新品速递 时间:2023/3/10 阅读:510