光刻机领域的巨头 ASML 向 Intel 交付了首套高数值孔径 High - NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE：5000。在当时，业界普遍对这款光刻机寄予厚望，认为 High - NA EUV 将在先进芯片的开发以及下一代处理器的生产过程中扮演关键角色。
然而，时过境迁，如今各大晶圆代工厂纷纷减少对 High - NA EUV 的依赖，甚至延后了导入该设备的时间。尤其是 Intel 一位不愿透露姓名的董事的发言，更是让市场对 High - NA EUV 光刻机的未来前景产生了诸多疑问。
这位董事表示，新出现的晶体管设计，如环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET），极大地降低了芯片制造对先进光刻设备（特别是 EUV 光刻机）的依赖程度。这些新型设计采用从四面包裹栅极 的方式，在芯片制造过程中更倾向于使用蚀刻技术来去除多余的材料，而不是通过增加晶圆曝光时间来缩小电路尺寸。随着芯片生产中横向因素的重要性日益提升，High - NA EUV 光刻机的重要性自然也就有所下降。
该董事进一步解释道，像 GAAFET 和 CFET 这样的新型设计，会显著提高光刻之后制造步骤（特别是刻蚀技术）的重要性，从而削弱光刻在整个芯片制造工艺中的主导地位。通常情况下，芯片制造流程是先通过光刻将设计图案转移到晶圆表面，然后通过沉积添加材料，再利用刻蚀选择性地去除材料，终形成晶体管和电路结构。但未来，重点可能会从单纯依靠光刻机缩小特征尺寸，转向更为复杂和关键的刻蚀工艺，以确保新型三维晶体管结构能够成型。这一转变预示着芯片制造技术路线可能会迎来重大变革。
实际上，此前台积电也表达过类似的观点。他们认为 1.4nm 级工艺技术并不需要 High - NA EUV 光刻机，目前也找不到必须使用它的理由。台积电相关人员表示：“对于 A14 来说，在不使用高数值孔径的情况下，性能提升也十分显著。因此，我们的技术团队正在不断探索延长现有 EUV 光刻机使用寿命的方法。”
此外，ASML 一代的高数值孔径（High - NA）EUV 光刻机是目前世界上的光刻机，但它的单价高达 4 亿美元，如此高昂的价格让许多厂商望而却步。截至目前，ASML 总共只向客户交付了 5 台，其中包括 Intel 和三星。这台光刻机重达 180 吨，体积如同双层巴士，堪称全球昂贵的半导体制造设备之一。
