NXP恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
·2023年5月16日 ·恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP ·借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈 ·恩智浦计划于2025年初推出采用该技术的新一代S32区域处理器和...
时间：2024/1/22 阅读：64 关键词：电子
2022 年 12 月，三星在著名的微电子和纳米电子会议 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发表了一篇题为 "面向非易失性 RAM 应用的全球最节能 MRAM 技术 "的论文。该论文介绍了...
分类：名企新闻 时间：2023/11/13 阅读：201 关键词：三星
恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
全球领先汽车处理企业恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件...
时间：2023/6/19 阅读：151 关键词：嵌入式MRAM
NXP - 恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
全球领先汽车处理企业恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件...
时间：2023/6/19 阅读：172 关键词：电子
瑞萨电子公司今天宣布，它已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术，以下简称MRAM）测试芯片。该芯片具有快速读写操作，采用22纳米工艺制造。...
分类：业界动态 时间：2022/6/17 阅读：1806
GLOBAL FOUNDRIES格芯面向IoT和汽车应用推出业界首款可批量生产的eMRAM
格芯(GLOBALFOUNDRIES?)今日宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX?)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通...
分类：新品快报 时间：2020/3/13 阅读：1534 关键词：格芯
近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。eMRAM属新型存储技术，与当前占据市场主流的DRAM和NAND...
格芯面向IoT和汽车应用推出业界首款基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用...
分类：名企新闻 时间：2020/2/29 阅读：810 关键词：格芯
磁性随机存储器(Magnetic RAM，MRAM)是一种利用电子自旋方向存储信息的技术。它具有高读写速度，高集成度，无限次可重复擦写的特点，是一种未来可能的通用型存储器。 根...
未来五年预计上涨40倍的MRAM，正在收割下一代非易失性存储市场？
在美国举行的“MRAM开发者日”活动上，Yole Development分析师Simone Bertolazzi分享了MRAM技术和市场的趋势。他指出，MRAM作为下一代非易失性存储器的替代者市场正在迅速扩大。到2024年，MRAM的市场规模将增加40倍。 就目前存储市场...
目前，存储器市场以NAND Flash和DRAM为主，但是对于下一代新型存储器的探索一直持续不断。近期，存储器市场龙头企业陆续推出eMRAM的相关技术，作为企业的风向标，此举动是...
分类：新品快报 时间：2019/3/22 阅读：1560
本月初，三星宣布已开始量产新一代存储器MRAM。详细来看，三星是在一条28nm FD-SOI工艺的产线量产嵌入式MRAM（eMRAM）解决方案。那么MRAM相较传统存储器有什么优点，三星量...
全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器（MRAM），准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队发表以自旋流操控铁磁-反铁...
分类：业界动态 时间：2019/3/15 阅读：410 关键词：MRAM技术
紫光“冒冷汗”，还没弄清eFlash，三星宣布量产eMRAM
三星宣布量产eMRAM芯片，这明摆着是全球存储芯片老大在亮肌肉，对存储芯片的新人比如紫光等国产厂商来说，正埋头汗流浃背地在 3D NAND的地里耕耘，期望3D NAND Flash闪存能有个好收成（国产SSD硬盘开始量产），一抬头三星、英特尔等大户...
据报道，三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。 三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺...
分类：业界动态 时间：2019/3/8 阅读：385
