日前东芝公司表示，他们对MRAM（MagnetoresistiveRAM磁性随机存储器）的研究将要结出果实，即将生产出邮票大小的1GB容量MRAM芯片，并计划在以后的几年中逐步取代目前广泛使用的DRAM。MRAM拥有非易失性，存储单元体积小，功耗低
分类：名企新闻 时间：2008/6/10 阅读：765
Angstrom Aerospace选择飞思卡尔4Mbit MRAM器件
磁阻式随机存取存储器(MRAM)产品提供商飞思卡尔(Freescale)半导体公司为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。AngstromAerospace最近宣布在其磁力计子系统中使用飞思卡尔的温度范围更大的4M
分类：名企新闻 时间：2008/3/5 阅读：936
美国波特兰消息—随着日本宇宙航空研究开发机构发射SpriteSat卫星，MRAM技术已经向太空应用挺进。据瑞典AngstromAerospace公司宣布，其微机电系统磁强计将采用MRAM来替代日本研究的卫星上的SRAM以及闪存。“MRAM替代了An
分类：业界要闻 时间：2008/3/3 阅读：1498 关键词：存储器
飞思卡尔半导体为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。AngstromAerospace最近宣布在其磁力计子系统中使用飞思卡尔的温度范围更大的4Mbit，该系统将被搭载在日本的一颗研究卫星发射进入太空。Angstr
分类：名企新闻 时间：2008/2/29 阅读：902
随着日本宇宙航空研究开发机构的卫星SpriteSat的发射，MRAM技术正逐步步入卫星轨道。在这个日本研究卫星上，Angstrom航天总公司（瑞典）的基于微机电系统（MEMS）的磁强计将使用MRAM代替静态RAM和闪存。“MRAM在SpriteSa
分类：行业趋势 时间：2008/2/29 阅读：1063
据韩国报纸《TheKoreaTimes》报道，三星(Samsung)电子与海力士(Hynix)半导体将合作开发包括MRAM在内的下一代内存器件。据报道，在一个由韩国政府支持的研发项目中，这两家公司将共同投资90亿韩元(合950万美元)。该项目将持续
分类：名企新闻 时间：2008/1/29 阅读：834
IBM公司与TDK开始了一项研发合作，目的在于实现高密度磁RAM(MRAM)。这个为期4年的项目旨在采用自旋动量转移(spin-momentumtransfer)技术将MRAM的密度提高20倍。自旋动量转移是一种写入机制，据说比现有MRAM采用的磁
一家中国台湾研究机构称，它将在三年内推出相变内存（PRAM)，另一种与DRAM内存竞争的MRAM技术（磁性随机储存）也将在2008年底进入实用阶段。与六家中国台湾芯片制造商合作的工业技术研究院（ITRI)在两年前开始开发相变内存技术。到目前为...
分类：行业趋势 时间：2007/10/10 阅读：688
IBM和TDK日前宣布，两家公司将携手研发大容量、高密度的MRAM(磁阻式随机存取存储器)芯片。IBM和TDK将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元，在这项技术得到更加广泛的普及后，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求。...
本周一，IBM和TDK联合宣布，两家公司将合作开发大容量、高密度的MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与闪存雷同，而写入速度比闪存快。目前市场上的MRAM芯片容...
IBM和TDK周一宣布，两家公司将携手研发大容量、高密度的MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。IBM和TDK将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元，在这项技术得到更加广泛的普及后，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求...
据国外媒体报道，IBM和TDK本周一宣布双方将联合开发高密度、高储存容量的MRAM(磁性储存)芯片。二公司表示，它们将研究采用“自旋动量转移”(spinmomentumtransfer)制造更小的数据储存单元。MRAM芯片采用磁场储存数据而不是电荷
相变内存成为研发热点，赶超FeRAM与MRAM并有望取代闪存！
相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS计划发表研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于FeRAM与MRAM，在
分类：业界要闻 时间：2007/8/15 阅读：368
至今磁阻RAM已经上市好几个月了，现在用户对包含嵌入式MRAM的系统级SoC的要求也越来越高。将作为整个系统一部分的嵌入式MRAM集成进未来的微控制器单元(MCU)可以带来诸多好处。MRAM可以按字节访问存储器，因此在存储器划分方面具有很大的...
分类：新品快报 时间：2007/7/13 阅读：1309 关键词：存储器
据中科院物理所网站报道，最近，中国科学院物理研究所韩秀峰课题组研制了一种新型的磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件，这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生和合成脉冲磁场驱动比...
分类：新品快报 时间：2007/4/3 阅读：679 关键词：中科院
