三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。 三星开始大规模生产下一代内存芯片MRAM 三星3月6...
分类：名企新闻 时间：2019/3/8 阅读：597
由于eFlash所面临的可扩展性挑战，新一代eMRAM (嵌入式磁性随机存取存储器)应运而生，依靠非易失性、更强的随机性能和耐久性，因此被业内各家巨头纷纷看好。作为储存技术佼佼者，SAMSUNG（三星）总是走在最前面，今天官方宣布开始量产eMR...
分类：业界动态 时间：2019/3/7 阅读：349
日前，三星电子又宣布，已经家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，而且用的是看上去有点“老旧”的28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。 三星指出，基于放电存储操作...
分类：业界动态 时间：2019/3/7 阅读：382
在第64届国际电子器件会议( IEDM )上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式...
全球两大半导体巨擘——英特尔(Intel)、三星(Samsung)在上周举办的第64届国际电子组件会议(IEDM)上，发表嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺的新技术。 英特尔介绍整合于其22FFL工艺的自旋转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特性，并指...
全球两大半导体公司上周在第64届国际电子器件会议（IEDM）上展示了嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 英特尔在其22FFL工艺中描述了基于自旋转移力矩（STT）-M...
分类：业界动态 时间：2018/12/13 阅读：465 关键词：嵌入式
上周，在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体巨头展示了嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 首先，我们来了解一下 MRAM (Magnetic Random Access Memory)，它是一种非易失性的磁性随机存储器。拥有静态随机存...
虽然台积电、三星以及Globalfoundries公司都会在今年底或者明年初量产更先进的7nm工艺，不过其他技术的工艺并不意味着就会淘汰，在半导体工艺节点上将会存在一些很长寿的制程，28nm工艺就是其中的一个，即便是台积电，28nm工艺带来的营收...
分类：名企新闻 时间：2018/8/7 阅读：506
格芯以eVaderis超低耗电 MCU 参考设计强化 22FDX® eMRAM 平台
格芯 与 eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗...
分类：名企新闻 时间：2018/3/10 阅读：347 关键词：格芯
格芯以eVaderis超低耗电MCU参考设计强化 22FDX® eMRAM平台
2月27日,格芯与eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX®)平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与eVaderis的...
分类：新品快报 时间：2018/3/6 阅读：319 关键词：格芯
全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取存储器(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。迎接嵌入式存储器转型 全球晶圆代工...
有四家主要的代工厂计划在今年或明年以嵌入式解决方案的形式提供 MRAM，为这项下一代内存技术设置了最终将变革市场格局的舞台。GlobalFoundries、三星、和联电计划开始提供...
Globalfoundries在2017年VLSI-TSA研讨会上发表论文，介绍如何解决eMRAM面临的挑战，使其更广泛地适用于MCU和SoC应用。 继几家代工厂公开宣布计划在今年年底和2018年之前...
Globalfoundries在2017年VLSI-TSA研讨会上发表论文，介绍如何解决eMRAM面临的挑战，使其更广泛地适用于汽车和SoC应用。 继几家代工厂公开宣布计划在今年年底和2018年...
分类：业界要闻 时间：2017/7/3 阅读：275 关键词：存储器
晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。 台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万...
