据韩媒BusinessKorea报道，IBM和三星近日在IEEE上发布研究论文称，两家公司联手打造了一种被称为STT-MRAM的新内存，有望成为目前DRAM内存的最实际接替者。DRAM，即动态随机...
分类：业界动态 时间：2016/7/13 阅读：335 关键词：IBM
在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于的位置。比利时研究机构IMEC记忆体部门总监ArnaudFurnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体(P
磁阻式随机存取内存(MRAM)或许在许多应用领域有取代DRAM与SRAM的潜力，但就连市场上家生产这种非挥发性内存的供货商都认为，这种取代的过程得花上好一段时间。一份来自资料...
日前消息，据外媒报道，三星宣布已经收购美国MRAM（磁阻随机存取存储器）厂商Grandis.同时，三星称，Grandis将被整合到研发部门中。三星相关研发部门“专注于开发新一代存储技术，评估新型半导体材料和结构的长期商业价值”.三星和Grandi...
分类：名企新闻 时间：2011/8/4 阅读：311 关键词：存储器
北京时间8月3日早间消息，三星周二宣布，他们已收购MRAM(磁性随机存储器)芯片开发商Grandis。具体协议条款尚未披露。三星表示，Grandis将并入三星研发部门，专注于下一代存储技术的开发，评估新半导体材料和结构的长期商用价值。三星称Gr...
分类：名企新闻 时间：2011/8/3 阅读：279
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发
分类：新品快报 时间：2011/1/7 阅读：249
来自北京清华大学的研究人员开发出一种新技术，号称能让MARM的储存速度与功耗大幅改善；这种电子开关(electricalswitching)技术写入位所需的能源较少。上述新技术的基本概...
Everspin将MRAM容量提升到16Mb，阴霾开始笼罩SRAM
今天最有前途的下一代NVM(非易失性存储器)技术是FeRAM(利用铁电材料的极化特性)、MRAM(利用磁性隧道结的电阻变化来指示存储状态)以及PCM(基于硫系合金的电热诱导相变转换)，三者采用不同的材料、不同的状态存储机制和不同的感应技术。其...
分类：业界要闻 时间：2010/6/25 阅读：717 关键词：SRAM
Everspin科技推出16Mb MRAM，满足无电数据保持应用需求
Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Saied
分类：新品快报 时间：2010/5/17 阅读：152
根据韩联社(Yonhap)报导,韩国政府宣布,已与半导体厂三星电子(SamsungElectronics)以及海力士(Hynix)共同合作,进行磁性随机存储器(SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemor
分类：业界要闻 时间：2009/11/30 阅读：1248
半导体设备供应商AvizaTechnology日前宣布推出全球首款300mm离子束沉积系统——StratIonfxP。StratIonfxP利用离子束可沉积金属及介电薄膜，300mm晶圆淀积的薄膜粗糙度可低至2埃，不均匀度低至0.5%以下。此款设备
分类：名企新闻 时间：2008/11/10 阅读：408
有望取代DRAM和SRAM，德国研究人员推动MRAM技术的发展
德国国家物理技术研究院（PTB）研发小组进行了一项实验，通过磁性介质以从物理学角度理论上可行的最快速度完成数据的存储和读写。这将助于使磁阻式随机存取存储器(MRAM)的读写速度赶上相应的电子存储器件。MRAM可取代DRAM和SRAM。因为现...
分类：名企新闻 时间：2008/8/22 阅读：1115 关键词：SRAM
三星公司(Samsung)与海力士半导体公司(Hynix)，两家韩国的芯片公司，近日对外宣称，两家将计划联合开发自旋扭矩转换式磁性随机存储器(STT-MRAM)并使之标准化，从而成为采用450毫米晶圆工艺的该芯片市场的领军人。上述消息的宣布来自
分类：名企新闻 时间：2008/6/27 阅读：1160
飞思卡尔半导体(FreescaleSemiconductor)宣布该公司将与多家创投公司集资成立一间以磁性随机存取存储器(MRAM)为主要产品的独立新公司——EverSpinTechnologies，致力于提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁
分类：名企新闻 时间：2008/6/13 阅读：330
飞思卡尔(Freescale)半导体公司日前宣布了分拆其羽翼未丰的磁阻式随机存储器(MRAM)部门。该公司的高管认为，这样可以为MRAM技术商业化提供途径。MRAM的定位是DRAM与闪存产品的替代品。飞思卡尔表示，分拆出来的公司名为“EverS
分类：名企新闻 时间：2008/6/11 阅读：190 关键词：商业化
