ROHM开发出采用SOT－223－3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4/ R6003KND4 / R60...
分类：新品快报 时间：2023/12/8 阅读：418 关键词：电源
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247...
分类：新品快报 时间：2023/11/30 阅读：460 关键词：SiC MOSFET
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET
Littelfuse公司（NASDAQ: LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。这种创新性产品设计可满足汽车应用的苛刻要求，提供卓越的性...
分类：新品快报 时间：2023/11/27 阅读：190
优于 TO247 顶侧冷却 SMD 封装，适用于 650V 汽车 MOSFET
英飞凌已将其 CFD7A 产品组合中的 650V MOSFET 芯片放入表面贴装封装中，“与著名的 TO247 通孔器件相比，其电气性能得到了改善，从而实现了车载充电器和 DC-DC 转换器的高效能源利用”。 英飞凌 QDPAK TSC loRes “QDPAK TSC”...
分类：新品快报 时间：2023/11/23 阅读：260 关键词：英飞凌
USB Power Delivery 标准支持 5V 3A 至 48V 5A 的功率级别，并允许电源侧和接收侧互换，要求具有 USB 充电功能的设备支持双向供电。 在开发一款名为 SSM10N961L 的 30V ...
分类：新品快报 时间：2023/11/17 阅读：193 关键词：USB 电源
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批...
分类：新品快报 时间：2023/11/8 阅读：232 关键词：MOSFET
东芝推出了 200A 40V 0.66mΩmax 汽车级 n 沟道 MOSFET
采用 7 x 8.44 x 2.3mm 鸥翼封装，可处理 600A 脉冲。 采用 STOGL 封装的东芝汽车 MOSFET “转向、制动和自动驾驶系统等汽车安全关键应用通常需要比其他系统更多的设备来满足冗余要求。由于尺寸限制，这里需要具有高电流密度的功率...
分类：新品快报 时间：2023/10/25 阅读：259 关键词：东芝n 沟道MOSFET
Rohm 开发了一系列 5 个 100V 双 MOSFET，用于风扇电机驱动器中的单相或三相桥。 罗姆双MOSFET 其中四种是采用 5 x 6mm 或 3.3 x 3.3mm 封装的双 n 沟道，一种是采用...
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N...
分类：新品快报 时间：2023/10/18 阅读：198 关键词：MOSFET
继上周推出 60V 光电 MOSFET 继电器后，松下本周又推出了采用 2.65 x 4.45 x1.8mm 封装的 600V 型继电器。 AQY206GV 的 8Ω MOSFET（最大 15Ω）可切换 600V 和 150mA（...
松下制造了一对微型光电 MOSFET 继电器，可以很好地处理放大器，并且需要很少的二极管电流。 两者均具有背靠背输出 MOSFET，因此可以切换交流或直流电源，并且均采用 4....
分类：新品快报 时间：2023/10/13 阅读：266 关键词：MOSFET
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度...
分类：新品快报 时间：2023/9/5 阅读：426 关键词：MOSFET
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 “东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚...
分类：新品快报 时间：2023/9/4 阅读：382 关键词：MOSFET
IDC 栅极驱动单元“VLB512-01R”“VLB519-01R” 配套使用三菱内置RTC电路SiC MOSFET模块
配合模块自身输出的RTC信号实现短路保护！ ISAHAYA ELECTRONICS制造的栅极驱动单元"VLB512-01R" "VLB519-01R" 目前，为了提高设备的效率和小型化，SiC MOSFET模块在工业设备领域的采用也正在加速。 三菱电机正在陆续推出内置原...
时间：2023/8/30 阅读：168
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两...
时间：2023/8/30 阅读：197 关键词：ROHM
