类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2023-11-08 10:43:44 | 208 次阅读
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。
截至目前,东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品,主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择,如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。