200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型
基础半导体器件领域的高产能生产Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如高RDS(on)、良好的温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC器件性能的发展。”
三菱电机半导体与器件部功率器件业务总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”
RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术，实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加38%。
Nexperia SiC MOSFET的栅极总电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，Nexperia通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。
除了正温度系数外，Nexperia的SiC MOSFET的器件间阈值电压VGS(th)也超低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。
Nexperia未来还计划推出车规级MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已投入大批量生产。请联系Nexperia销售代表获取全套SiC MOSFET样品。
