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Infineon - 英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...

时间:2024/3/21 阅读:86 关键词:电子

英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET,以更高的功率密度和效率树立行业新标准

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型...

分类:新品快报 时间:2024/3/21 阅读:351 关键词:英飞凌

英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列...

分类:新品快报 时间:2024/3/18 阅读:394 关键词:电子

Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组...

分类:新品快报 时间:2024/3/15 阅读:417 关键词:MOSFET

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...

分类:新品快报 时间:2024/3/14 阅读:421 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2, 推动低碳化的高性能系统

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性...

时间:2024/3/12 阅读:119 关键词:电子

三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率...

分类:新品快报 时间:2024/3/2 阅读:302 关键词:电子

意法半导体隔离栅极驱动器:碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣

意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,...

分类:新品快报 时间:2024/2/29 阅读:390 关键词:电子

Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212-F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子...

分类:新品快报 时间:2024/2/21 阅读:320 关键词:电子

Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系

Nexperia今天宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系,共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业,双方联手开发,将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度,同时满足对高效分立式功率...

时间:2024/1/22 阅读:89 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出首款采用OptiMOS7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 ...

时间:2024/1/15 阅读:93 关键词:MOSFET

Vishay 推出了一款符合 AEC-Q102 标准的汽车用光伏 MOSFET 栅极驱动器

该组件名为 VOMDA1271,采用 SOP-4 外壳。据正在备货该器件的元件经销商 Rutronik 称,该驱动器是该封装尺寸中唯一一款隔离电压为 3.750 V [原文如此],典型开路输出电压为...

分类:新品快报 时间:2024/1/5 阅读:764

X-Fab宣布:收购MOSFET厂商

X-Fab Silicon Foundries 将以 2250 万欧元收购分立 MOSFET 设计公司 M-MOS Semiconductor。  M-MOS Semiconductor 一直以来都归 Xtrion NV 所有。而截至 2023 年 11 月...

分类:名企新闻 时间:2024/1/4 阅读:415 关键词:MOSFET

用于选通高压功率 MOSFET 的光伏输出光电耦合器

东芝正在批量生产一款具有增强开路电压的光伏输出光电耦合器,适用于选通固态继电器 (SSR) 中常用的高压功率 MOSFET。  TLX9910 光电耦合器主要用于汽车 SSR 应用。然而,它同样可以用于工业应用,例如可再生能源。  这种组合可实现...

分类:新品快报 时间:2023/12/14 阅读:495 关键词:MOSFET

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业...

分类:新品快报 时间:2023/12/8 阅读:427 关键词:英飞凌