ST 的用于 SiC MOSFETs 和 IGBT 的隔离式汽车栅极驱动器提供了灵活性，可以控制不同功率等级的逆变器，具备可编程保护和诊断功能，允许进行 ISO 26262 ASIL D 认证。 集...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：4727 关键词：栅极驱动器
英飞凌推出 CoolSiC MOSFET 750 G2 技术
英飞凌推出了其 CoolSiC MOSFET 750 V G2 技术，旨在提高汽车和工业电力转换应用中的系统效率和功率密度。 该技术提供了具有典型 R DS(on) 值高达 60 mΩ（25°C 时）的...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：2410 关键词：英飞凌
1200V 碳化硅 MOSFET 经过雪崩测试至 800mJ
SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器，这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试，部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。 有四种...
分类：新品快报 时间：2025/4/27 阅读：3350 关键词： MOSFET
Infineon - 英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS8提升能效并降低 MOSFET相关成本
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司...
时间：2025/4/7 阅读：108 关键词：英飞凌
英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简...
分类：新品快报 时间：2025/3/28 阅读：2163 关键词：英飞凌
10 x 12mm 650V MOSFET命中3.74ΩNC和8Ωpf
Vishay声称其最新的650V超级装置MOSFET的行业最低RD（ON）.QG和RDS（ON）.co（on）.co（er）。 SIHK050N65E是一种针对功率因数校正的N通道设备，随后的DC-DC转换器块...
分类：新品快报 时间：2025/3/27 阅读：1573 关键词：意法半导体
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。 新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插...
时间：2025/3/14 阅读：128 关键词：ROHM
Infineon说，Infineon引入了低地球轨道（LEO）空间应用“具有适用于持续两到五年的辐射性能”的低地球轨道（LEO）空间应用的耐辐射P通道塑料填充的电动机。 Infineon太...
分类：新品快报 时间：2025/3/7 阅读：1000 关键词：MOSFET
Infineon - 英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管...
时间：2025/2/28 阅读：164 关键词： 英飞凌
Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET
Nexperia今日宣布推出采用微型DFN封装的单和双小信号MOSFET器件，分别采用DFN1110D-3和DFN1412-6封装，且符合汽车可靠性标准。特别是DFN1110D-3封装得到了越来越广泛的应用，在用于汽车应用的晶体管和MOSFET的行业中成为“基准”封装。 ...
时间：2025/2/26 阅读：98 关键词：Nexperia
东芝宣布了一个600V超级结MOSFET，在TO-247封装（20MΩTYP）中最大抗性为24MΩ。 东芝TK024N60Z1 600V MOSFET 典型的栅极电荷为37NC（400VD，10VG，80A），总门电荷...
分类：新品快报 时间：2025/2/26 阅读：255 关键词：MOSFET
ROHM - 罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2025/2/24 阅读：166 关键词： 罗姆
Infineon - 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可...
时间：2025/2/20 阅读：86 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET， 赋能先进的热插拔技术和电池保护功能
为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟...
时间：2025/2/20 阅读：69 关键词：英飞凌
Littelfuse - 业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）M...
时间：2025/2/19 阅读：133 关键词：SiC MOSFET
