Infineon - 英飞凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET, 赋能先进的热插拔技术和电池保护功能

类别:其他  出处:网络整理  发布于:2025-02-20 15:41:29 | 69 次阅读

  为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求,MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出的新型OptiMOS 5 Linear FET 2解决了这一难题,这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区(SOA)之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害,并因其低RDS(on) 而能够在工作期间将损耗降至。与上一代产品OptiMOS Linear FET相比,OptiMOS Linear FET 2改善了高温下的 SOA、降低了栅极漏电流,并扩大了封装选择范围。这使每个控制器可以并联更多的 MOSFET,不仅降低了物料(BOM)成本,还通过扩展产品组合为设计带来了更大的灵活性。



  采用TOLL封装的OptiMOS Linear FET 2
  100 V OptiMOS Linear FET 2采用 TO-leadless封装(TOLL)。与 RDS(on)相近的标准OptiMOS 5 相比,该器件在10 ms、54 V时的SOA高出12倍,在100 s时的SOA高出 3.5 倍。后一项改进对于电池管理系统(BMS)在短路情况下进行电池保护尤为重要。在短路情况下,保障系统设计和可靠性的关键在于并联MOSFET之间的电流分配。OptiMOS 5 Linear FET 2通过优化传输特性改进了电流分配。凭借宽SOA和经过改进的电流分流,在元件数量由短路电流要求决定的设计中,元件数量多可减少 60%。这实现了高功率密度、高效率且高度可靠的电池保护,可被广泛用于电动工具、电动自行车、电动摩托车、叉车、电池备用电源、纯电动汽车等领域。

关键词:英飞凌

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