类别：其他 出处：网络整理 发布于：2025-02-20 15:41:29 | 70 次阅读
为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on) 而能够在工作期间将损耗降至。与上一代产品OptiMOS Linear FET相比，OptiMOS Linear FET 2改善了高温下的 SOA、降低了栅极漏电流，并扩大了封装选择范围。这使每个控制器可以并联更多的 MOSFET，不仅降低了物料（BOM）成本，还通过扩展产品组合为设计带来了更大的灵活性。
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