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Infineon - 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装,为现代汽车应用提供更高效率

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简...

时间:2024/5/7 阅读:144 关键词:电子

ST - 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。  这些硅基晶体管具有出色的单...

时间:2024/4/30 阅读:219 关键词:电子

Infineon - 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS 7

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7...

时间:2024/4/26 阅读:119 关键词:电子

英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高...

分类:新品快报 时间:2024/4/16 阅读:568 关键词:电子

80V 对称双 N 沟道 MOSFET,尺寸为 3 x 3mm

New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。  Vishay SiZF4800LDT 双...

分类:新品快报 时间:2024/4/3 阅读:357

意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。   这些硅基晶体管具有出色的...

分类:新品快报 时间:2024/4/1 阅读:655 关键词:MOSFET

Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性...

时间:2024/3/21 阅读:111 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损...

时间:2024/3/21 阅读:219 关键词:电子

Infineon - 英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...

时间:2024/3/21 阅读:140 关键词:电子

英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET,以更高的功率密度和效率树立行业新标准

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型...

分类:新品快报 时间:2024/3/21 阅读:498 关键词:英飞凌

英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列...

分类:新品快报 时间:2024/3/18 阅读:523 关键词:电子

Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组...

分类:新品快报 时间:2024/3/15 阅读:496 关键词:MOSFET

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...

分类:新品快报 时间:2024/3/14 阅读:585 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2, 推动低碳化的高性能系统

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性...

时间:2024/3/12 阅读:343 关键词:电子

三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率...

分类:新品快报 时间:2024/3/2 阅读:386 关键词:电子