东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出采用新型L-TOGL（大型晶体管...

分类：新品快报 时间：2023/2/3 阅读：338

瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车...

分类：新品快报 时间：2023/2/1 阅读：334 关键词：IGBT

Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%，有助于减少元器件数量并简化设计 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新...

分类：新品快报 时间：2023/1/30 阅读：314 关键词：MOSFET

MOSFET恐将面临价格压力

PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季客户端仍旧处于保守态度，使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢，供应链预期，最差情况可能要延续到今年第...

分类：行业趋势 时间：2023/1/3 阅读：679 关键词：MOSFET

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机...

分类：新品快报 时间：2022/12/29 阅读：402 关键词：MOSFET

AOS推出低导通电阻的30V MOSFET

日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商（AOS,纳斯达克代码:AOSL)宣布推出一款低导通电阻的30VMOSFET——AONS30300，它具有较高的安全工作区（...

分类：新品快报 时间：2022/12/7 阅读：10230

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET（用于可穿戴设备、无线耳机等）

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机...

分类：新品快报 时间：2022/12/2 阅读：443 关键词：MOSFET

薄型PowerPAK 600V EF系列快速体二极管 MOSFET, RDS(ON)*Qg FOM创业界新低

Vishay推出采用薄型PowerPAK?10x12封装的新型第四代600VEF系列快速体二极管MOSFET。 VishaySiliconixn沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29%，为通信、工业和计算应...

分类：新品快报 时间：2022/10/25 阅读：613

瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度

瑞能半导体CEOMarkusMosen先生受邀出席了在上海盛大举办的第九届中国国际半导体高管峰会（以下简称：CISES）。在CISES上，MarkusMosen先生发表了《新一代碳化硅MOSFET，正...

分类：名企新闻 时间：2022/9/9 阅读：1665

东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损...

分类：新品快报 时间：2022/8/31 阅读：1388