80V 对称双 N 沟道 MOSFET,尺寸为 3 x 3mm

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-04-03 11:26:31 | 265 次阅读

  New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。
  Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct

  据《纽约客》报道,该器件名为 SiZF4800LDT,“为设计人员提供了用于同步降压转换器、负载点转换器以及半桥和全桥功率级的节省空间的解决方案”。“在这些应用中,高侧和低侧 MOSFET 形成了 50% 占空比的优化组合,而其逻辑电平在 4.5V 时开启,简化了电路驱动。”

  Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET
  在充分散热的情况下,连续漏极电流为 29A (70°C),但在 25 x 25mm 方形 FR4 PCB 中,实际电流低于 10A。
  4.5V 驱动器的总栅极电荷为 11nC,10V 驱动器的总栅极电荷为 23nC(40V 10A 漏极-源极)。
  栅极电压为 4.5V 时的导通电阻为 24mΩmax。

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