东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...
分类：新品快报 时间：2023/8/30 阅读：436 关键词：MOSFET模块
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET—...
分类：新品快报 时间：2023/8/18 阅读：432 关键词：MOSFET
Infineon - 英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS? S7 ...
时间：2023/8/16 阅读：165 关键词：英飞凌
Nisshinbo - 用于消费类和工业设备、内置电感和MOSFET的降压型DC/DC开关稳压器模块“NC2700MA / NC2701MA / NC2702MA”上市
日清纺微电子将发布一款内置电感和MOSFET的降压型DC/DC开关稳压器模块“NC2700MA / NC2701MA / NC2702 MA”系列新品，适用于消费类和工业设备。 FPGA和SoC等高性能数字LSI越来越多地应用于工业机器人、手机基站、半导体测试仪等大型工...
时间：2023/8/14 阅读：199 关键词：MOSFET
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET，以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两...
分类：新品快报 时间：2023/8/10 阅读：298 关键词：ROHM
英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（...
分类：新品快报 时间：2023/8/4 阅读：427 关键词：英飞凌
该公司表示，新部件是 SSM14N956L，“采用东芝的微工艺，与已经发布的 13.5A SSM10N954L 相同”。 SSM10N954L 电池保护双 MOSFET 应用早期 SSM10N954L 双 MOSFET 的应用电路 MOSFET 旁边还有用于保护栅极免受过高电压影响的钳位器...
分类：新品快报 时间：2023/7/19 阅读：288 关键词：MOSFET
Toshiba - 东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用。该...
时间：2023/7/10 阅读：221
Infineon - 采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V Co...
时间：2023/7/7 阅读：194 关键词：TO263-7封装
Toshiba - 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品...
时间：2023/7/5 阅读：138
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信...
分类：新品快报 时间：2023/6/30 阅读：471
Nexperia 宣布扩大其 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装选项，之前仅提供 LFPAK56E 封装，现在还包括 LFPAK56 和 LFPAK88 封装。 这些器件旨在将电信、服务器计...
分类：新品快报 时间：2023/6/27 阅读：413 关键词：MOSFET 封装
Nexperia扩充NextPower 80／100 V MOSFET产品组合的封装系列
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK8...
分类：新品快报 时间：2023/6/21 阅读：447 关键词：MOSFET
Onsemi -安森美领先的EliteSiC MOSFET和二极管技术将是Kempower的电动汽车快充方案的关键
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号： ON），宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电...
时间：2023/6/19 阅读：199 关键词：电子
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压60...
分类：新品快报 时间：2023/6/14 阅读：509 关键词：MOSFET
