英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET。
英飞凌 135V OptiMOS 6 封装
其中有 10 种封装可供选择:7 针 D2PAK(TO-263)、3.3 x 3.3mm PQFN、SuperSO8、TO-220、TO-Leadless(HSOF-8)、TOLG(HSOG-8)或 TOLT(HDSOP-16)。
Rds(on) 值范围为 2 至 14.3mΩ,栅极电压为 10V,栅极电荷范围为 14.3 至 21nC – 大致随着 Rds(ON) 的减小而增加。工作温度范围为 -5 至 +175°C。
该公司强调低反向恢复电荷和低栅极阈值分布,因此,随机选择 TO-220、7.3mΩ、98A、43nC Qgate(0 – 10V)IPP073N13NM6,在 68V、20A、500A/?s 时反向恢复通常为 81nC( 162nC),栅极阈值在 2.5 至 3.5V 之间。
预计将应用于轻型电动车、叉车、电动工具、园艺工具和不间断电源。
这些都是采用该公司的工业 OptiMos 6 工艺制造的,旨在提供 120 和 150V 范围之间的中间步骤。
据英飞凌介绍,其第六代 mosfet 与第五代相比,导通电阻降低了 50%,并且体二极管速度更快但更软,反向恢复电荷更少。
在推出 135V 部件的同一天,它还推出了一些 150V OptiMos 6 MOSFET,这次一共有 11 个,采用相同范围的封装。
除了轻型电动汽车和叉车之外,这些产品还针对电信和服务器电源、太阳能优化器和大功率 USB 充电器。