英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-03-14 11:42:16 | 373 次阅读

  英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC  MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC  MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC  MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。
  
  CoolSiC  MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比,这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC  MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V,并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术,这些器件可提供一流的散热性能,以及高防潮性。
  除了2000 V CoolSiC  MOSFET之外,英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC?二极管:首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合,随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC?二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外,英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。
关键词:电子

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告