随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia，我们将久经验证的MOSFET知识和广泛的应用认知相结合，打造了一系列更丰富的应用专用MOSFET。
过去，具有给定的品质因数（FOM）的标准功率开关基本上可以应用于任何场合。但随着技术的进步和应用的多样化，对MOSFET的需求比以往任何时候都要复杂和多样。常规MOSFET数据表上有100多个参数，如Rds(on)、Vth、Ciss和Qg等等。但通常只有少数参数在每个项目中至关重要。而且随着应用的变化，关键参数也会发生变化。
因此，单一的 MOSFET 参数很难满足所有应用的需求。Nexperia 深谙这一道理，“应用专用”是在 MOSFET 领域的又一大创新，这是基于多年对特定应用的理解和与客户的携手合作而推出的产品系列。通过重点优化对某一应用场景为关键的参数，即使可能会牺牲其他不太关联的参数，但也确保我们的 MOSFET 产品能够完美匹配特定领域的需求，发挥出的性能和效益。
重复雪崩的汽车ASFET
有保证的重复雪崩性能，符合汽车标准
使用MOSFET为驱动电磁阀等感性负载供电时，大多数电路设计包含附加的器件，以便当负载电流在关断期间持续流动时保护MOSFET。解决方案包括高效但昂贵的升压拓扑（可重复利用能量），以及效率较低但更经济实惠的续流二极管方案。重复雪崩装置的简单替代方案在过去只能通过平面技术来实现。Nexperia通过优化MOSFET，使其能够轻松应对重复雪崩电流，同时将结温保持在175 ℃以下，从而提供了一种真正耐用的器件，实现了大量的系统级节约。
用于重复雪崩的ASFET专为满足一系列汽车和感性负载的需求而设计：
符合AEC-Q101标准
有保证的重复雪崩性能，经过高达10亿个周期的测试
稳健的硅技术与LFPAK的热性能相结合，确保芯片温度保持在175 ℃以下
使用单个MOSFET非常简便，减少了BOM和电路复杂性，实现了系统成本和空间节约
用现代沟槽替代旧式平面技术
与续流二极管方案相比，提供了更高的效率和更快的开关
