在人工智能浪潮席卷的当下，内存技术的革新成为半导体行业竞争的关键战场。尽管第一代 SOCAMM（System - On - Chip Attached Memory Module，系统级芯片附加内存模块）尚未实现商业化，三星电子却已马不停蹄地大力推进第二代 SOCAMM（SOCAMM 2）的研发工作，将其视为高带宽内存（HBM）在市场机遇方面的潜在竞争对手，意图在 AI 服务器内存领域抢占先机。
　　据韩国媒体 Newsis 和 IT Chosun 报道，三星在其的可持续发展报告中证实了正在开发基于 LPDDR5X 的服务器级内存模块 SOCAMM 2。SOCAMM 2 的设计亮点颇多，它的性能超越了传统的基于 DDR 的 RDIMM 模块，在相同容量下，功耗降低约 50%，性能提升高达 90%。其设计包含更宽的 I/O 通道，并针对 AI 服务器的计算需求进行了优化，这使得它在处理 AI 模型日益增长的计算密集度时更具优势。
　　作为基于低功耗 DRAM 的下一代内存技术，专为高性能、高功耗的 AI 服务器而设计，兼具节能和高吞吐量的特性。随着 AI 模型对计算资源的需求呈指数级增长，行业观察人士认为 SOCAMM 有望颠覆传统的 DRAM 架构。与已广泛应用于 AI 加速器的 HBM 不同，SOCAMM 尚未实现商业部署。不过，包括三星在内的领先芯片制造商已向英伟达提供 SOCAMM 样品进行验证。三星率先开发 SOCAMM 2，彰显了其在市场成熟之前抢占市场份额的决心。
　　今年年初，市场就有消息传出，英伟达正与包括三星电子、SK 海力士在内的主要内存半导体公司进行秘密谈判，合作开发新型内存标准 SOCAMM 并推动其商业化。值得注意的是，据韩媒报道，美光下一代内存解决方案 SOCAMM 已率先获得英伟达量产批准，而三星和 SK 海力士的 SOCAMM 尚未获得英伟达。这一事件标志着内存半导体领域的重大转变，对 B2B 服务器市场和蓬勃发展的设备端 AI 领域都有潜在影响。
　　英伟达创始人黄仁勋在 CES 2025 上强调：“未来，工程师、艺术家和所有使用计算机作为工具的人都需要一台个人 AI 超级计算机。” 他指出了 SOCAMM 在实现这一目标方面的变革潜力。一位行业消息人士也表示：“内存标准传统上是由 JEDEC 的多家 PC、内存和服务器公司达成共识确定的，但英伟达正在追求自己的内存标准，这反映了对其创新和影响力的信心。”
　　海力士也在英伟达 GTC 大会上展示了 SOCAMM，并在新闻稿中宣称 “SOCAMM 已成为 AI 服务器存储器的新标准，SK 海力士将通过该产品展示 AI 存储器技术的领先地位”。其 SOCAMM 的核心参数为单模块容量 128GB，由容量为 32GB 的 4 颗芯片组成；采用 16 颗 16Gb LPDDR5X 记忆体芯片封装，并采用线键合（Wire Bonding）工艺，而非 HBM 所使用的 TSV（硅通孔）工艺。其数据传输带宽为 120GB/s，尽管比传统服务器 DRAM 快 2.5 倍，但仍远低于 HBM3E 的 1.2TB/s。三星同样不甘示弱，其采用 LPDDR5X DRAM 的可拆卸模块功耗仅 9.2W，比 DDR5 RDIMM 服务器模块节能 45% 以上。
　　市场消息称，英伟达可能将 50% 的 SOCAMM 订单交给美光，剩下的由三星和 SK 海力士平分。此外，三星电子率先开发的 LPCAMM 可将内存占用面积减少 60% 以上，提高 PC 或笔记本的内部组件设计自由度，为增加电池容量等腾出更多空间，使内部布局更加高效。
　　预计 SOCAMM 的出现将在整个半导体行业产生连锁反应，不仅影响三星电子和 SK 海力士等内存制造商，还会波及 Simmtech 和 TLB 等基板公司。据报道，这些公司正在合作为 SOCAMM 供应基板。一位业内人士透露，“英伟达和内存公司正在交换 SOCAMM 原型并进行性能测试”，并可能在今年年底开始大规模生产。