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MOSFET

（共找到“22”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS TLP181 拆机场效应管 场效应管MOS管 大功率场效应管 华晶MOS管

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经销商
北京
源头工厂
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IRFU120N
IRFU120N
  • 型号/规格：

    TO-251

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    DIP

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

专营,原装.,大量现货

共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
  • 型号/规格：

    SI2305CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）8V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On...

原装进口IR公司场效应管
原装进口IR公司场效应管
  • 型号/规格：

    10BQ040PBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    全新原装进口

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    全新原装进口

1/93-M50 100MT160PA 100MT160PB 10BQ015 10BQ015. 10BQ015PBF 10BQ015TR 10BQ030 10BQ040 10BQ040. 10BQ040PBF 10BQ040TR 10BQ060 10BQ060PBF 10BQ060TR 10BQ100 10BQ100PBF 10BQ100...

MOS管
MOS管
  • 型号/规格：

    FUD3N40TU

  • 品牌/商标：

    FSC

  • 封装形式：

    TO-251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

FDU3N40 批号10+ 数量60K，此货为客户订货，但因为客户的订单出现问题，所以无法白日提货，现在做库存处理*出售，有意请致电：陈

IGBT模块FP10R12YT3_B4
IGBT模块FP10R12YT3_B4
  • 品牌：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号：

    FP10R12YT3_B4

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业.电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块，快恢复二*管，场效应及驱动电路.品牌三菱、...

IRFZ44NPBF IR原装MOS管 IRFZ44NPBF IRFZ44N TO-220 MOS管N沟道55V 49A
IRFZ44NPBF IR原装MOS管 IRFZ44NPBF IRFZ44N TO-220 MOS管N沟道55V 49A
  • 型号/规格：

    IRFZ44NPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

厂家：IRF [International Rectifier] 描述：HEXFET-R Power MOSFET 标准包装：50 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：HEXFET® FET 型：MOSFET N 通道，金属...

IPD50N06S2-14
IPD50N06S2-14
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IPD50N06S2-14

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

DatasheetsIPx034N06L3 GProduct PhotosTO-220-3Catalog DrawingsMOSFET TO-220(AB), TO-220-3Standard Package500CategoryDiscrete Semiconductor ProductsFamilyFETs - SingleSerie...

IR MOSFET单管 IRFS4010PBF IRFS4010-7PPBF
IR MOSFET单管 IRFS4010PBF IRFS4010-7PPBF
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFS4010PBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

我公司代理IR(国际整流器公司) ， Infineon(英飞凌) MOSFET IGBT单管及模块。

ic 原装场效应管 FS20KM-5
ic 原装场效应管 FS20KM-5
  • 类型：

    其他IC

  • 封装形式：

    直插型

  • 型号/规格：

    FS20KM-5

  • 批号：

    2007

  • 品牌/商标：

    Mitsubishi/三菱

  • 封装材料：

    塑料封装

  • 封装：

    TO-220F

  • 应用范围：

    功率

北京银盛铭商贸有限公司欢迎您本公司主要经营：二三*管、场效应管、肖特基、快恢复、达林顿、IGBT、集成电路。公司地址：北京市海淀区知春路118号知春电子城三层1358室实体门面：北京...

批发 IR 功率MOSFET 场效应 IRFR220N FR220N TO-252 批发
批发 IR 功率MOSFET 场效应 IRFR220N FR220N TO-252 批发
  • 封装形式：

    TO-252

  • 型号/规格：

    IRFR220N

  • 1：

    1

  • 品牌/商标：

    NS/国半

  • 材料：

    硅(Si)

  • 沟道类型：

    其他

  • 应用范围：

    开关

鸿源拓展（北京）科技有限公司√ 服务：专心 专注真芯服务！经营项目：二三*管：整流管 肖特基 快恢复 开关管 稳压管 基准源 场效应 瞬变管电阻电容：5% 1% 0.5% 0.1% ...

RJH60F5DPK 现货
RJH60F5DPK 现货
  • 品牌：

    Hitachi/日立

  • 型号：

    RJH60F5DPK

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

品牌REN*AS型号RJH60F5DPK种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途D/变频换流封装外形P-DIT/塑料双列直插材料N-FET硅N沟道开启电压30（V）夹断电压10（V）跨导5（μ...

REN*AS原装*MOS管 2SK1317
REN*AS原装*MOS管 2SK1317
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    2SK1317

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    REN*AS/瑞萨

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

一、MOS管 2SK1317技术参数： 二、MOS管 2SK1317实物拍摄：MOS管 2SK1317MOS管 2SK1317MOS管 2SK1317 *说明：尊敬的客户，本公司发布的产品价格为参考价格。如需获取具体产品信息请咨...

美格纳场效应管
美格纳场效应管

    品牌/商标 长电 型号/规格 M*T3904T 应用范围 功率 功率特性 小功率 频率特性 低频 *性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 营销方式 * 产品性质 * 铠洋电子是一家经*相关部门批准注册的企业。铠洋电子凭着良好的信用、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。铠洋电子热诚欢迎各界朋...

    SI7336ADP-T1-E3 专营VISHAY*原装现货热卖SI7336ADP-T1-E3
    SI7336ADP-T1-E3 专营VISHAY*原装现货热卖SI7336ADP-T1-E3
    • 品牌/商标：

      Vishay/威世通

    • 型号/规格：

      SI7336ADP-T1-E3

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      MOSFET N 通道，金属氧化物

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      AM/调幅

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    • 2：

      1

    北京*博*电子科技有限公司是一家经*相关部门批准注册的企业。北京*博*科技发展有限公司凭着良好的信用、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。北京*博*科技发展有限公司热诚欢...

    P*T3906 代码T2A NXP恩智浦 开关晶体管pnp 三*管
    P*T3906 代码T2A NXP恩智浦 开关晶体管pnp 三*管
    • 应用范围：

      功率

    • 品牌/商标：

      NXP/恩智浦

    • 型号/规格：

      P*T3906 T2A

    • 封装形式：

      贴片型

    • 材料：

      硅(Si)

    本公司图片均为实物实拍，**无铅现货价格：整盘:0.04/个型号：P*T3906代码：T2A品牌：NXP恩智浦（原装） 产地：china 规格：SOT-23(贴片) 数量：3000pcs/盘 类别：PNP开关晶体管特点...

    600V Coolmos单管
    600V Coolmos单管
    • 型号/规格：

      600V Coolmos单管

    • 品牌/商标：

      Infineon

    • 封装形式：

      未知

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      直插式

    • 包装方式：

      卷带编带包装

    • 功率特征：

      *功率

    600V Coolmos单管供应 600V Coolmos单管

    SPW52N50C3 分离式半导体产品 *
    SPW52N50C3 分离式半导体产品 *
    • 品牌/商标：

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格：

      SPW52N50C3

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      MOS-ARR/陈列组件

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    供应SPW52N50C3 分离式半导体产品*原装 优势热卖 量大可申请*型号：SPW52N50C3厂家：Infineon 类别：分离式半导体产品 FET 特点：标准型家庭：MOSFET，GaNFET - 单 系列：CoolMOS&...

    IPD50N06S2-14
    IPD50N06S2-14
    • 品牌/商标：

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格：

      IPD50N06S2-14

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MOS-HBM/半桥组件

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      GE-P-FET锗P沟道

    DatasheetsIPx034N06L3 GProduct PhotosTO-220-3Catalog DrawingsMOSFET TO-220(AB), TO-220-3Standard Package500CategoryDiscrete Semiconductor ProductsFamilyFETs - SingleSerie...

    *童MOS场效应管 提供样品！
    *童MOS场效应管 提供样品！
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      FDP2532

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 营销方式：

      现货

    • 封装形式：

      直插型

    商品替换/技术参数对比表商品型号商品品牌 BVdss[V] ID [A] RDS(CN)[mΩ] PD[W] FDP2532美国*童 FairChild6 北京韶光科技有限公司成立于1998年，是国内*早从事代理功率...

    MOS效应管2N60F
    MOS效应管2N60F
    • 品牌/商标：

      ET

    • 型号/规格：

      2N60F

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      SIT静电感应

    另：供应各类存储芯片 三端稳压 IC 单片机，*，欢迎来电来函咨询。北京世纪凌宇科技有限公司是以经营电子元件的销售及相关电子产品技术开发、软硬件设计、推广、技术服务咨询等为一体...

    MOSFET行业资讯

    • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

      随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

    • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

      功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

    • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

      电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

    • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

      GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

    • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

      英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

    什么是MOSFET?

    • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

    • 目录

      MOSFET

    MOSFET技术资料

    • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

      “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

    • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

      绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

    • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

    • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

    • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

      MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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