FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）8V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）35 毫欧 @ 4.4A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）30nC @ 8VVgs（值）±8V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）960pF @ 4VFET 功能-功率耗散（值）960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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