MOS效应管2N60F

品牌/商标：
ET
型号/规格：
2N60F
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
SIT静电感应
夹断电压：
600（V）

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SVD2N60F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用仕兰微电子的S-Rin^TM平面高压VDMOS工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
特点：