IPD50N06S2-14

品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
型号/规格：
IPD50N06S2-14
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-HBM/半桥组件
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
GE-P-FET锗P沟道
开启电压：
1（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）

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场效应管MOSFET(1)
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商品信息

DatasheetsProduct PhotosCatalog DrawingsStandard PackageCategoryFamilySeriesFET T*eFET FeatureRds On (Max) @ Id, VgsDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25° CVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) @ VgsInput Capacitance (Ciss) @ VdsPower - MaxMounting T*ePackage / CaseSupplier Device Package

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