IPP045N10N3
INFINEON（英飞凌）
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
小功率
数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G 产品相片 TO-220-3 标准包装 500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 OptiMOS™ 包装 管件 FET 类型 MO...
电话：0512-65561918
手机：13222986678
MaxPower
MXP1008AT
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
100V/115A 7.2mΩN-Channel MOSFETApplications:● Uninterruptible Power Supply ID● High Speed Power Switching● High Efficiency Synchronous Rectification in S...
手机：
NCE/SSF
TO-220
无铅*型
直插式
盒装
*率
苏州东南科技有限公司为电子元器件的代理，主要代理产品有合泰、义隆、MICROCHIP等*。同时也是国内MOS管的代理商，代理的SSF7509、SSF7510、NCE7580用于*替代ST75NF75、NE*145、IRF36...
电话：0512-67078005-620
手机：18662292758
品牌:IR 型号:IRFP4228PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道本公司产品绿色*！原装！一手货源，大量现货库存！产品广泛有：贴片二*管·贴片三*管·贴片电容·贴片电阻·贴...
电话：0512-68052325
FUJI/富士通
6*P100RSA120-60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
LLCC/无引线陶瓷片载
GE-N-FET锗N沟道
名称功率模块型号6*P100RSA120-60 品牌 富士fuji 服务概述： 我们专注于位置控制、速度控制、转矩控制，数控改造和测功机/组件试验台的应用。完整的系统集成和工业控制改造应用经验。...
电话：512-62207220
LBSS138LT1G
LRC
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
埃克尔电子LRC代理、分销 原装贴片二*管，三*管，MOS管，白光驱动，稳压器，运放，TVS/*D保护器件，其他代理品牌包括：Bourns,BrtLed（佰鸿）,Phoenix,Panasonic,Samtec,Torex,MATSUK...
电话：0512-65811982-616
手机：13817270684
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...
