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MOSFET

（共找到“23”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET继电器 mos管 TLP181 场效应晶体管 大功率场效应管 东芝电子管

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公司类型
苏州
源头工厂
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MEK600-04DA艾赛斯mos晶体管全新21+
MEK600-04DA艾赛斯mos晶体管全新21+
  • 型号/规格：

    MEK600-04DA

  • 品牌/商标：

    艾赛斯

  • 封装形式：

    标准封装

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    螺丝型

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

苏州新杰邦电子技术有限公司： 代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的...

诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
  • 型号/规格：

    IXFN80N50Q2

  • 品牌/商标：

    IXYS/艾赛斯

  • 封装形式：

    树脂封装

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    大功率

IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...

英飞凌Infineon场效应管MOS管IPB120P04P4-04
英飞凌Infineon场效应管MOS管IPB120P04P4-04
  • 型号/规格：

    IPB120P04P4-04

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    PG-TO263-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

特英飞凌Infineon场效应管MOS管IPB120P04P4-04 P 通道 - 正常电平 - 增强模式 符合AEC MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装（符合 RoHS） 100%...

场效应管APM2300CAC茂达
场效应管APM2300CAC茂达
  • 型号/规格：

    APM2300CAC-TRG

  • 品牌/商标：

    茂达ANPEC

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

茂达原装原厂产品， APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原厂产品， APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原厂产品， APM2300CAC-TRG SOT23茂达原装原厂产品， APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原...

台湾友顺UTC 场效应管 MOS管 UF730L/TO-220
台湾友顺UTC 场效应管 MOS管 UF730L/TO-220
  • 型号/规格：

    UF730L/TO-220

  • 品牌/商标：

    UTC

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

买家须知： 1)网站上标价为未税价格，请购买前咨询当前价格和运费。 2）网站上的货期为无货时的最长货期，下单前请咨询实时货期。 2）本公司产品繁多，网站上不能全部展现，若有相关...

  • 上海凯硅电子有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：贸易/代理/分销
  • 地区:江苏苏州

    • 电话：0512-65874200-206

    手机：18717750585

NCE6003 60V 3A NCE代理现货MOS管SOT23 举报
NCE6003 60V 3A NCE代理现货MOS管SOT23 举报
  • 型号/规格：

    NCE6003

  • 品牌/商标：

    NCE

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

品牌NCE型号NCE6003种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途SW-REG/开关电源封装外形CHIP/小型片状材料ALGaAS铝镓砷是否跨境货源否货号NCE6003NCE代理,原装,可开17%增票,...

OR7090 电动车控制器 动力锂电保护板 专用 MOS管 70V/90A
OR7090 电动车控制器 动力锂电保护板 专用 MOS管 70V/90A
  • 型号/规格：

    OR7090

  • 品牌/商标：

    ORTECH

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    中功率

苏州奥泰盛电子科技有限公司研发、生产、销售各种功率半导体器件，品种多型号全库存量大，可为您的产品更新换代提供全方位的技术及元器件的快速、准确、全面、优质的配套服务。 专营:...

IPP045N10N3及INFINEON全系列MOSFET
IPP045N10N3及INFINEON全系列MOSFET
  • 型号/规格：

    IPP045N10N3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    小功率

数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G 产品相片 TO-220-3 标准包装 500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 OptiMOS™ 包装 管件 FET 类型 MO...

PHILIPS飞利浦电容0.22UF63V 大量现货 量大另议 不开票
PHILIPS飞利浦电容0.22UF63V 大量现货 量大另议 不开票
  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    0.33UF63V

  • 介质材料：

    铝电解

  • 应用范围：

    晶体管电路

  • 外形：

    方块状

  • 功率特性：

    *率

  • 频率特性：

    中频

  • 调节方式：

    固定

公司主营： 全系列铝电解电容、贴片旺全厚声风华三星电容/电阻、（0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2512大小功率一系列）、钽电容.（P型、A型、B型、C型、D型、E型...

MOS管FQPF2N60C仙童-飞兆-FAIRCHILD-东芝-ST代理
MOS管FQPF2N60C仙童-飞兆-FAIRCHILD-东芝-ST代理
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格：

    FQPF2N60C

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    TO-220-3 整包

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

FQPF2N60C:600V,4700mO,2A,23W 昆山海驰电子代理，批发原装品牌：IC-可控硅-光耦-场效应管-单片机-二极管-三极管等。授权代理：长电-ST先科-UTC-亿光分销:TOSHIBA(东芝)，FAIRCHILD(...

IRF730 5.5A400V MOSFET(YMP730)
IRF730 5.5A400V MOSFET(YMP730)
  • 品牌/商标：

    YM

  • 型号/规格：

    YMP730

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

"

MaxPower MXP1008AT
MaxPower MXP1008AT
  • 品牌/商标：

    MaxPower

  • 型号/规格：

    MXP1008AT

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

100V/115A 7.2mΩN-Channel MOSFETApplications:● Uninterruptible Power Supply ID● High Speed Power Switching● High Efficiency Synchronous Rectification in S...

*原装IR2102STRPBF
*原装IR2102STRPBF
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IR2102STRPBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

原装库存现货,IC供应商,可为厂家提供BOM配套服务,优势库存热卖中!信和电子公司秉承着客户为*的宗旨，诚信交易，多年来为新老顾客了提供了如ST, FAIRCHILD,TOSHIBA,SANYO,ON,TI等世界...

MOS管
MOS管
  • 品牌/商标：

    NS/国半

  • 型号/规格：

    10N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

代理各种品牌MOS,详细规格请来电查询 600V 1N60R*：0.9 2N60R*： 0.98 2N60TO-220 R*：1.05 4N60TO-220 R*：1.30 7N60TO-220 R*：1.98 10N60 TO-220 R*：2.95 900V 6N90TO-220 R*：3....

大量现货MOS管 场效应管 12N60 12N65 TO-220
大量现货MOS管 场效应管 12N60 12N65 TO-220
  • 品牌/商标：

    FH/风华

  • 型号/规格：

    12N60 TO-220

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

型号：12N60F TO-220 塑封型号：12N65P TO-220 铁头 苏州博洋电子有限公司是从事研发、生产、销售各种电子产品的综合性企业。公司主营产品有电解电容器、二、三*管、IC芯片、场效应管...

MOS管替代NE*145
MOS管替代NE*145
  • 品牌/商标：

    NCE/SSF

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒装

  • 功率特征：

    *率

苏州东南科技有限公司为电子元器件的代理，主要代理产品有合泰、义隆、MICROCHIP等*。同时也是国内MOS管的代理商，代理的SSF7509、SSF7510、NCE7580用于*替代ST75NF75、NE*145、IRF36...

MOSFET管 IRFP4228PBF
MOSFET管 IRFP4228PBF

    品牌:IR 型号:IRFP4228PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道本公司产品绿色*！原装！一手货源，大量现货库存！产品广泛有：贴片二*管·贴片三*管·贴片电容·贴片电阻·贴...

    UC3842BNG
    UC3842BNG
    • 品牌/商标：

      ON/安森美

    • 型号/规格：

      UC3842BNG

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MIN/微型

    • 材料：

      GE-P-FET锗P沟道

    • 产品性质：

      *

    These devices are available in an 8−pin dual−in−line and surfacemount (SOIC−8) plastic package as well as the 14&a...

    现 UTC UF840耗尽型MOS管N沟道
    现 UTC UF840耗尽型MOS管N沟道

      品牌/商标 UTC 型号/规格 UF840L 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 开启电压 2-4（V） 漏*电流 8000（mA） 耗散功率 134000（mW）

      FUJI 逆变功率模块
      FUJI 逆变功率模块
      • 品牌/商标：

        FUJI/富士通

      • 型号/规格：

        6*P100RSA120-60

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        耗尽型

      • 用途：

        MOS-FBM/全桥组件

      • 封装外形：

        LLCC/无引线陶瓷片载

      • 材料：

        GE-N-FET锗N沟道

      名称功率模块型号6*P100RSA120-60 品牌 富士fuji 服务概述： 我们专注于位置控制、速度控制、转矩控制，数控改造和测功机/组件试验台的应用。完整的系统集成和工业控制改造应用经验。...

      MOSFET行业资讯

      • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

        随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

      • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

        功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

      • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

        电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

      • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

        GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

      • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

        英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

        “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

      • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

        绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

      • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

      • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

      • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

        MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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