IXFN80N50Q2
IXYS/艾赛斯
树脂封装
普通型
直插式
散装
大功率
IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...
电话:0512-57600323
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MEK600-04DA
艾赛斯
标准封装
无铅环保型
螺丝型
盒带编带包装
中功率
苏州新杰邦电子技术有限公司: 代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的...
电话:051257718939
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IPB120P04P4-04
INFINEON(英飞凌)
PG-TO263-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
特英飞凌Infineon场效应管MOS管IPB120P04P4-04 P 通道 - 正常电平 - 增强模式 符合AEC MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(符合 RoHS) 100%...
电话:051265564717
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APM2300CAC-TRG
茂达ANPEC
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原...
电话:0512-68029812
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UF730L/TO-220
UTC
TO-220
普通型
直插式
盒带编带包装
买家须知: 1)网站上标价为未税价格,请购买前咨询当前价格和运费。 2)网站上的货期为无货时的最长货期,下单前请咨询实时货期。 2)本公司产品繁多,网站上不能全部展现,若有相关...
电话:0512-65874200-206
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NCE6003
NCE
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
品牌NCE型号NCE6003种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途SW-REG/开关电源封装外形CHIP/小型片状材料ALGaAS铝镓砷是否跨境货源否货号NCE6003NCE代理,原装,可开17%增票,...
电话:0512-50710709
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OR7090
ORTECH
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
中功率
苏州奥泰盛电子科技有限公司研发、生产、销售各种功率半导体器件,品种多型号全库存量大,可为您的产品更新换代提供全方位的技术及元器件的快速、准确、全面、优质的配套服务。 专营:...
电话:0512-6257
手机:13915563401
IPP045N10N3
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
小功率
数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G 产品相片 TO-220-3 标准包装 500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 OptiMOS™ 包装 管件 FET 类型 MO...
电话:0512-65561918
手机:13222986678
*
0.33UF63V
铝电解
晶体管电路
方块状
*率
中频
固定
公司主营: 全系列铝电解电容、贴片旺全厚声风华三星电容/电阻、(0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2512大小功率一系列)、钽电容.(P型、A型、B型、C型、D型、E型...
电话:86 0512 68184096
手机:13222208693
FAIRCHILD/仙童
FQPF2N60C
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
S/开关
TO-220-3 整包
N-FET硅N沟道
FQPF2N60C:600V,4700mO,2A,23W 昆山海驰电子代理,批发原装品牌:IC-可控硅-光耦-场效应管-单片机-二极管-三极管等。授权代理:长电-ST先科-UTC-亿光分销:TOSHIBA(东芝),FAIRCHILD(...
电话:0512-50111115
手机:13456331233
YM
YMP730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
"
手机:13510302333
MaxPower
MXP1008AT
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
100V/115A 7.2mΩN-Channel MOSFETApplications:● Uninterruptible Power Supply ID● High Speed Power Switching● High Efficiency Synchronous Rectification in S...
手机:
IR/国际整流器
IR2102STRPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
原装库存现货,IC供应商,可为厂家提供BOM配套服务,优势库存热卖中!信和电子公司秉承着客户为*的宗旨,诚信交易,多年来为新老顾客了提供了如ST, FAIRCHILD,TOSHIBA,SANYO,ON,TI等世界...
电话:086 0512 53669282
NS/国半
10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
代理各种品牌MOS,详细规格请来电查询 600V 1N60R*:0.9 2N60R*: 0.98 2N60TO-220 R*:1.05 4N60TO-220 R*:1.30 7N60TO-220 R*:1.98 10N60 TO-220 R*:2.95 900V 6N90TO-220 R*:3....
电话:86 0512 57020726-605
手机:18962677292
FH/风华
12N60 TO-220
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
型号:12N60F TO-220 塑封型号:12N65P TO-220 铁头 苏州博洋电子有限公司是从事研发、生产、销售各种电子产品的综合性企业。公司主营产品有电解电容器、二、三*管、IC芯片、场效应管...
电话:0512-65580380
NCE/SSF
TO-220
无铅*型
直插式
盒装
*率
苏州东南科技有限公司为电子元器件的代理,主要代理产品有合泰、义隆、MICROCHIP等*。同时也是国内MOS管的代理商,代理的SSF7509、SSF7510、NCE7580用于*替代ST75NF75、NE*145、IRF36...
电话:0512-67078005-620
手机:18662292758
品牌:IR 型号:IRFP4228PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道本公司产品绿色*!原装!一手货源,大量现货库存!产品广泛有:贴片二*管·贴片三*管·贴片电容·贴片电阻·贴...
电话:0512-68052325
ON/安森美
UC3842BNG
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
GE-P-FET锗P沟道
*
These devices are available in an 8−pin dual−in−line and surfacemount (SOIC−8) plastic package as well as the 14&a...
电话:512-62373510
品牌/商标 UTC 型号/规格 UF840L 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 开启电压 2-4(V) 漏*电流 8000(mA) 耗散功率 134000(mW)
电话:0512-69350560
FUJI/富士通
6*P100RSA120-60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
LLCC/无引线陶瓷片载
GE-N-FET锗N沟道
名称功率模块型号6*P100RSA120-60 品牌 富士fuji 服务概述: 我们专注于位置控制、速度控制、转矩控制,数控改造和测功机/组件试验台的应用。完整的系统集成和工业控制改造应用经验。...
电话:512-62207220
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS S7T...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本...
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下,电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...