33欧姆
天润
陶瓷
普通型
直插式
单件包装
大功率
关键词：高功率无感电阻 大功率无感电阻 瓷管电阻 其他：议定 产品描述：青岛天润高周波电器有限公司无感电阻与一般电阻相比有下述多方面的优点： 电阻本身的电感值小于0.5微亨，频率...
电话：0532-84783777
手机：15820039099
可以定做
4000（Kw）
是
连续封口机
80（kg）
箱
全自动
BIS-4000
BIS-4000B型全自动在线式电磁感应铝箔封口机 特点：难封产品直接从隧道中间穿过，其他产品从隧道外面过去同样*封口效果。 隧道式电磁感应铝箔封口机是我公司专门研发的一款封口设备，...
手机：18668991050
FAIRCHILD/*童
FQP5N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
济南市美斯捷电子商行成立于2000年，我公司是电子元器件厂家指定代理商和电子元件批发商，我们以产品的品种多,质量好,价格低,电子元器件性配套完善闻名于*，公司追求*和周到的服务质...
手机：
心源
sck-5
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
HA/行输出级
LLCC/无引线陶瓷片载
SENSEFET电流敏感
山东聊城心源石英制品公司坐落于美丽的江北水城----聊城开发区。京九铁路.济邯铁路和济聊馆*公路的贯通使聊城的交通十分便利。 山东聊城心源石英制品公司是以生产各种规格石英玻璃管...
手机：18663538567
IR/国际整流器
IRF730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
本商品价格请致电我公司，量大可优惠！ 烟台英特芯电子科技有限公司（原烟台拓普科技有限公司）是一家以经销、代理国产及*，直插及贴片，集成电路、电阻、电容、二*管、三*管、整流桥...
手机：
品牌/商标 TRIN* 型号/规格 *5N50G 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流 4.5A 500V MOSFET 可替代*童FAIRCHILD(*5N50G) , 英凌飞INFINEON(spd03n50c3) Rds(on)=1.33欧姆 D-PAK封装 价格根据购买数量商榷。 青岛沃邦电子有限公司主要致力于在电子产品、家用电器产品及计算机系统集成类产品根据...
电话：86 0532 83080679
FAIRCHILD/*童
N312AD
T0251
N729
其他IC
供应贴片场效应管 N312AD，,， 烟台浩如商贸有限公司位于中国烟台，是一家从事电子、工控，低压、仪表、元件等产品的经销批发的有限责任公司。经营的电子、工控，低压、仪表、元件消...
电话：535-2120289
AOS/美国万代
AOT470
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
美斯捷电子商行成立于2000年，我公司是电子元器件厂家指定代理商和电子元件批发商，我们以产品的品种多,质量好,价格低,电子元器件性配套完善闻名于*，公司追求*和周到的服务质量。－ ...
电话：0531-81607933
AC220
3RH12
交流
5A
5
250
密封式
*率
品牌欣灵型号HHS4R【JSMJ国内替代产品ZQ48S-S电源电压AC24V,DC24V,220V,380V（V）适用范围机械设备 HHS4系列电子式时间继电器（以下简称继电器）属通电*型。适用于交流50Hz，额定工作...
电话：0531-66822866
P-DIT/塑料双列直插
C945
NEC/日本电气
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
Type Polarity VCEO(V) IC(mA)2SC945 NPN 50 100 青岛凯得利电子有限公司是一家从事电子元器件贸易及相关集成电路等开发服务的高科技公司，是华东地区的电子元件供应商之一。主要代销...
电话：86053283024135
手机：13854299102
Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件...
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC） MOSFET栅极免受过压...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满...
意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引逆变器进行了优化，这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...
英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET。 英飞凌 135V OptiMOS 6 封装 其中有 10 种封装可供选择：7 针 D2PAK（TO-263）、3.3 x 3.3mm PQFN、SuperSO8、TO-220、TO-Leadless（HSOF-8）、TOLG（HSOG-8）或 TOLT（HDSOP-16）。...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...
