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MOSFET

(共找到“10”条查询结果)
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山东
源头工厂
  • 型号/规格:

    33欧姆

  • 品牌/商标:

    天润

  • 封装形式:

    陶瓷

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

关键词:高功率无感电阻 大功率无感电阻 瓷管电阻 其他:议定 产品描述:青岛天润高周波电器有限公司无感电阻与一般电阻相比有下述多方面的优点: 电阻本身的电感值小于0.5微亨,频率...

  • *口径:

    可以定做

  • 功率:

    4000(Kw)

  • 加工定制:

  • 类型:

    连续封口机

  • 重量:

    80(kg)

  • 包装类型:

  • 自动化程度:

    全自动

  • 型号/规格:

    BIS-4000

BIS-4000B型全自动在线式电磁感应铝箔封口机 特点:难封产品直接从隧道中间穿过,其他产品从隧道外面过去同样*封口效果。 隧道式电磁感应铝箔封口机是我公司专门研发的一款封口设备,...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQP5N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

济南市美斯捷电子商行成立于2000年,我公司是电子元器件厂家指定代理商和电子元件批发商,我们以产品的品种多,质量好,价格低,电子元器件性配套完善闻名于*,公司追求*和周到的服务质...

  • 品牌:

    心源

  • 型号:

    sck-5

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    HA/行输出级

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

山东聊城心源石英制品公司坐落于美丽的江北水城----聊城开发区。京九铁路.济邯铁路和济聊馆*公路的贯通使聊城的交通十分便利。 山东聊城心源石英制品公司是以生产各种规格石英玻璃管...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF730

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

本商品价格请致电我公司,量大可优惠! 烟台英特芯电子科技有限公司(原烟台拓普科技有限公司)是一家以经销、代理国产及*,直插及贴片,集成电路、电阻、电容、二*管、三*管、整流桥...

    品牌/商标 TRIN* 型号/规格 *5N50G 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流 4.5A 500V MOSFET 可替代*童FAIRCHILD(*5N50G) , 英凌飞INFINEON(spd03n50c3) Rds(on)=1.33欧姆 D-PAK封装 价格根据购买数量商榷。 青岛沃邦电子有限公司主要致力于在电子产品、家用电器产品及计算机系统集成类产品根据...

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格:

      N312AD

    • 封装:

      T0251

    • 批号:

      N729

    • 类型:

      其他IC

    供应贴片场效应管 N312AD,,, 烟台浩如商贸有限公司位于中国烟台,是一家从事电子、工控,低压、仪表、元件等产品的经销批发的有限责任公司。经营的电子、工控,低压、仪表、元件消...

    • 品牌/商标:

      AOS/美国万代

    • 型号/规格:

      AOT470

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    美斯捷电子商行成立于2000年,我公司是电子元器件厂家指定代理商和电子元件批发商,我们以产品的品种多,质量好,价格低,电子元器件性配套完善闻名于*,公司追求*和周到的服务质量。- ...

    • 额定电压:

      AC220

    • 产品系列:

      3RH12

    • 电流性质:

      交流

    • 额定电流:

      5A

    • 触点切换电流:

      5

    • 触点切换电压:

      250

    • *护特征:

      密封式

    • 触点负载:

      *率

    品牌欣灵型号HHS4R【JSMJ国内替代产品ZQ48S-S电源电压AC24V,DC24V,220V,380V(V)适用范围机械设备 HHS4系列电子式时间继电器(以下简称继电器)属通电*型。适用于交流50Hz,额定工作...

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格:

      C945

    • 品牌/商标:

      NEC/日本电气

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

    Type Polarity VCEO(V) IC(mA)2SC945 NPN 50 100 青岛凯得利电子有限公司是一家从事电子元器件贸易及相关集成电路等开发服务的高科技公司,是华东地区的电子元件供应商之一。主要代销...

    MOSFET行业资讯

    • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

      随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

    • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

      功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...

    • 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度[2024-06-14]

      电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...

    • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

      GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

    • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

      英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。  全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。  该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

    什么是MOSFET?

    • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
    • MOSFET

    MOSFET技术资料

    • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

      “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。  如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...

    • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

      绘制漏极电流与漏极电压的关系图  我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。  LTspice NMOS 示意...

    • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。  近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

    • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...

    • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

      MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。  在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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