威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能,...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品非常适合即...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高,可实现更长的行驶距离或更小的高压电池,从而为消费者带来好处。 ROHM自2012年获...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...