NTR4101PT1G
ON(安森美)
DFN
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市星源微科技有限公司,成立于2008年10月,主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购。 只做原装,百分百自家现货,严格的品质管理、优异的技术支持...
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全新
AO4410
SOP8
2019+RoHS
标志
6
5
4
AO4410 场效应管MOSFET N沟道全新现货 深圳市质嘉达科技有限公司专注为国内外客户提供一站式电子元器件及电子模块采购服务。公司所销售产品均从原厂或代理商正规渠道采购,品质保证!...
电话:13534295350
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BSC026N08NS5
INFINEON(英飞凌)
SMD/SMT
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
深圳市天卓伟业电子有限公司 经销批发的ic集成电路消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。深圳市天卓伟业电子有限公司经销的i...
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AO8807
AOS
TSSOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳市港禾科技有限公司 所上传的产品图片均为真实库存拍摄 AO8807 12V 6.5A TSSOP-8 2个P沟道 AO8807 12V 6.5A TS...
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CSD17578Q3AT
TI
VSONP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
型号:CSD17578Q3AT 深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件...
电话:0755-88607455
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FDP8874
ON(安森美)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管装
芯片详情:产品属性 属性值 选择属性制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 C...
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BSC010N04LSI
INFINEON(英飞凌)
TDSON-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
参数名称参数值Source Content uid BSC010N04LSI 是否Rohsren证 符合 生命周期 Active Objectid 1165904590 包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 针数 8 Reach Compliance Code not_co...
电话:0755-82568996
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SI2301ADS-T1-GE3
VISHAY/威世
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳中元伟业经营世界厂家,MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...
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AO3400
AOS/万代
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 产品图片: AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 具体参数: 型号 AO3400 漏源电压-值:...
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管,电阻电容,拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...
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AP9575AGH
APEC/富鼎
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
AP9575AGH TO-252 MOS场效应管 P沟道 <img src="https://file...
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手机:17688153037
TJ15P04M
TOSHIBA(东芝)
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET...
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IRFP3206PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC
无铅环保型
直插式
管装
超大功率
N 通道
产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc) 驱动电压( Rds On, 小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs...
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BSB280N15NZ3
INFINEON(英飞凌)
WDSON-2-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务:请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号,9000万+常备现...
电话:18025408677
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IRFB4020PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
深圳市奥利腾科技有限公司业务部专营各国品牌集成电路,IC,晶振。并具有着丰富的电子行业经验,在激烈的市场竞争中,以其独特的经营方式,优质的服务,逐渐闯出了一套属于自己的行业...
电话:0755-83247541
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IRL540NPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220(TO-220-3)
无铅环保型
直插式
50/TUBE
一、IRL540NPBF 产品特点 1、逻辑电平门开 2、先进的工艺技术 3、动态的电压上升率 4、高达175°C的工作温度 5、快速切换 6、足够高的雪崩系数 更多内容请参考产品PDF 二、IR...
电话:0755-83038055
手机:13670084051
50P06D
XBLW/芯伯乐
TO-252
普通型
贴片式
卷带编带包装
大功率
XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销,致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳,由一批具有海内外企业...
电话:0755-23995374
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AUIRFP064N-IR
杰盛微
TO-247
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
小功率
AUIRFP064N-IR 杰盛微原厂直供深圳市杰興電子有限公司 专营二.三级管等电子,诚信合作. 欢迎大众惠顾! 强势推出原装大功率三极管打造市场 本公司zui新到货大功率功放音响配对管:2SA193...
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SI2309
SWIRE
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
23+
型号:SI2309 封装:SOT-23 品牌:SWIRE 类型:低压MOS管/低压MOS管/低压MOS管 <p...
电话:0755-83367772
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BSS138NH6327
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
FAIRCHILD
SS
<div data-v-4e0cbf29="" class="name" style="-webkit-tap-highlight-color:rgba(0, 0, 0, 0);box-sizing:border-box;margin:0px;padding:0px 16px 0px...
电话:0755-83291010
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电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...