NTR4101PT1G
ON(安森美)
DFN
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市星源微科技有限公司,成立于2008年10月,主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购。 只做原装,百分百自家现货,严格的品质管理、优异的技术支持...
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AO8807
AOS
TSSOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳市港禾科技有限公司 所上传的产品图片均为真实库存拍摄 AO8807 12V 6.5A TSSOP-8 2个P沟道 AO8807 12V 6.5A TS...
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CSD17578Q3AT
TI
VSONP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
型号:CSD17578Q3AT 深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件...
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FDP8874
ON(安森美)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管装
芯片详情:产品属性 属性值 选择属性制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 C...
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FDN338P
鹏领
SOT-23
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
请新老顾客下单前先咨询客服。 封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216) 1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)FDN338P 电压:4V 6.3V 10V 16V 2...
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SI2301ADS-T1-GE3
VISHAY/威世
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳中元伟业经营世界厂家,MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...
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AO3400
AOS/万代
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 产品图片: AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 具体参数: 型号 AO3400 漏源电压-值:...
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全新
AO4410
SOP8
2019+RoHS
标志
6
5
4
AO4410 场效应管MOSFET N沟道全新现货 深圳市质嘉达科技有限公司专注为国内外客户提供一站式电子元器件及电子模块采购服务。公司所销售产品均从原厂或代理商正规渠道采购,品质保证!...
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管,电阻电容,拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...
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AP9575AGH
APEC/富鼎
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
AP9575AGH TO-252 MOS场效应管 P沟道 <img src="https://file...
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IRF4905PBF
IR/国际整流器
P沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
IRF4905PBF产品详细规格生产商:Ir规格书:RohsLead free / RoHS Compliant标准包装50FET 型MOSFET P-Channel, Metal OxideFET特点Standard漏极至源极电压(VDSS)55V电流-连续漏极(编...
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BSB280N15NZ3
INFINEON(英飞凌)
WDSON-2-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务:请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号,9000万+常备现...
电话:18025408677
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IRFB4020PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
深圳市奥利腾科技有限公司业务部专营各国品牌集成电路,IC,晶振。并具有着丰富的电子行业经验,在激烈的市场竞争中,以其独特的经营方式,优质的服务,逐渐闯出了一套属于自己的行业...
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IRF1010EZSTRL
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片规格: Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片的特征: &#61623;先进的工...
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FDPF5N60NZ
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
本公司代理FAIRCHILD仙童快恢复二极管,部分型号如下FFPF20UP20DN,FFPF20UA60DN,FFPF20UP60DNTU,FFPF12UP20DNTU,FFPF20UP30DN,FFP15S60S,RHRP840,RHRP860,RHRP1540,RHRP1560,ISL9R860...
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FAIRCHILD/仙童
BS170
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
CC/恒流
N-FET硅N沟道
1
深圳市波光电子有限公司,起源于1985年,正式成立于2002年,是一家国际品牌半导体代理分销公司,主要服务于中小型电子制造企业。我可提供一系列的元器件服务,包括现货供应,期货订货...
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IPD90P04P405ATMA2
INFINEON(英飞凌)
TO-252-3-313
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
供应IPD90P04P405ATMA2 场效应管(MOSFET)Infineon(英飞凌) TO-252-3-313产品属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DPAK...
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50P06D
XBLW/芯伯乐
TO-252
普通型
贴片式
卷带编带包装
大功率
XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销,致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳,由一批具有海内外企业...
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IPA70R360P7S
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
盒子管装
原装现货长期滚动式备货库存13714450367 NRF52832-QFAA-R NRF52833-QDAA-R NRF52810-QFAA-R ADR01AKSZ-REEL7 LT1964ES5-5#TRMPBF BTS3035EJ TLE4296-2GV50 TLE6250GV33 TLS810B1EJ V3...
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SI2305
CJ/长电
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...
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Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...