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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS TLP181 TLP521 拆机场效应管 大功率场效应管 东芝场效应管

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公司类型
深圳
源头工厂
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LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家
LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家
  • 型号/规格：

    LM317

  • 品牌/商标：

    VSEEI

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂...

场效应管IRF3007S 全新现货
场效应管IRF3007S 全新现货
  • 型号/规格：

    IRF3007S

  • 品牌/商标：

    国际品牌

  • 封装形式：

    SMD/DIP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/DIP

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际知名的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

DMN2004WK-7 20V场效应管N沟道MOSFET
DMN2004WK-7 20V场效应管N沟道MOSFET
  • 型号/规格：

    DMN2004WK-7

  • 品牌/商标：

    DIODES

  • 封装形式：

    SOT-523

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    管装

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 价格：

    0.7/PCS

20V场效应管N沟道MOSFET/20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片，5V输入充电电流可达1A， ...

MOSFET 晶体管 FDN306P
MOSFET 晶体管 FDN306P
  • 型号/规格：

    FDN306P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管，电阻电容，拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...

STS5N15F4 场效应管 ST/意法半导体 封装SOIC-8 批次21+
STS5N15F4 场效应管 ST/意法半导体 封装SOIC-8 批次21+
  • 型号/规格：

    STS5N15F4

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

Source Content uid STS5N15F4 Brand Name STMicroelectronics 生命周期 Active Objectid 1614158259 零件包装代码 SOT 包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 针数 8 Reach Compliance ...

SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    SEP

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

商品属性品牌 SEP 型号 AO3401 封装 SOT-23 批号 2023+ 配置类型 贴片MOS管N沟道 FET类型 N沟道漏源电压 20V 漏源电流 2.8A 漏源导通电阻 4.5V栅源电压 12V 栅极电荷 14 工作温度范围...

场效应管 电压-40V 电流-15A TJ15P04M
场效应管 电压-40V 电流-15A TJ15P04M
  • 型号/规格：

    TJ15P04M

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET...

SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
  • 型号/规格：

    SQJ469EP-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    威世

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

  • 单位：

    个

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
  • 型号/规格：

    IRFP260NPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247AC-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    小功率

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述： 类别分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化...

晶体管 MOSFET IPD90P04P4L-04 原装
晶体管 MOSFET IPD90P04P4L-04 原装
  • 型号/规格：

    IPD90P04P4L-04

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 货物：

    进口原装

标题产品描述：IPD90P04P4L-04 晶体管 MOSFET Infineon MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2产品属性 属性值 选择属性制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: ...

ST/意法电子BTB16-800BRG代理销售
ST/意法电子BTB16-800BRG代理销售
  • 型号/规格：

    BTB16-800CWRG

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

深圳市岭缃峰电子有限公司是集研发、生产、销售、IC/集成电路于一体，主要经营方向是面向各种消费类电子芯片、通讯、汽车、民用、军用等高端集成芯片。公司历经了十几年的不懈努力，...

AOTF4S60采购 AOTF4S60商
AOTF4S60采购 AOTF4S60商
  • 型号/规格：

    AOTF4S60

  • 品牌/商标：

    NA

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应！ 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处，专注于...

BUK9Y40-55B 94055B MOS场效应管 SOT-669 原装进口汽车芯片
BUK9Y40-55B 94055B MOS场效应管 SOT-669 原装进口汽车芯片
  • 型号/规格：

    94055B

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOT669

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳创鑫兴电子科技郑重承诺：只做原装！ 我公司主营电容,兼营汽车电子产品IC芯片：包括汽车电脑板 CPU、存储器存储芯片、怠速驱动、节气门、非门、电源、转速 处理、仪表芯片、单片...

深圳市英特法电子科技有限公司代理IR：IRFB4227PBF
深圳市英特法电子科技有限公司代理IR：IRFB4227PBF
  • 型号/规格：

    IRFB4227PBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220AB

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管件

  • 功率特征：

    大功率

深圳市英特法电子科技有限公司代理IR：IRFB4227PBF。数据列表IRFB4227PbF 产品相片TO-220ABPKG 产品培训模块HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers) 设计资源IRFB4227PBFSab...

DN2540N8-G 品牌：MICROCHIP
DN2540N8-G 品牌：MICROCHIP
  • 型号/规格：

    DN2540N8-G

  • 品牌/商标：

    MICROCHIP/微芯

  • 封装形式：

    SOT-89

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

只做原装，只有原装，假一赔十 制造商: Microchip 产品种类: DN2540N8-G RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-89-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Chan...

仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
  • 型号/规格：

    BSS138NH6327

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 品牌：

    FAIRCHILD

  • 丝印：

    SS

<div data-v-4e0cbf29="" class="name" style="-webkit-tap-highlight-color:rgba(0, 0, 0, 0);box-sizing:border-box;margin:0px;padding:0px 16px 0px...

IRFP450PBF N沟道,500V,14A,400mΩ@10V
IRFP450PBF N沟道,500V,14A,400mΩ@10V
  • 型号/规格：

    IRFP450PBF

  • 品牌/商标：

    VISHAY(威世)

  • 封装形式：

    TO-247(AC)

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

IRFP450PBFIRFP450PBFIRFP450PBFIRFP450PBFIRFP450PBF深圳市三芯半导体有限公司 选择我们-增值服务 1、业内365天退换货服务，品质保证 2、工程师提供技术支持，解决后顾担忧 3、付款...

TK100E10N1
TK100E10N1
  • 型号/规格：

    TK100E10N1

  • 品牌/商标：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管件

  • 功率特征：

    小功率

产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...

IPW60R037CSFD进口原装现货
IPW60R037CSFD进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

STMOSFET管STS6NF20V
STMOSFET管STS6NF20V
  • 型号/规格：

    STS6NF20V

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    SOIC-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

供应STMOSFET管STS6NF20V 规格 产品种类: MOSFET 制造商: STMicroelectronics RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 通道数量: 1 Channel 晶体管...

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

    随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

  • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

  • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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