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MOSFET

（共找到“14”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

其他
深圳
源头工厂
MOS管IRF1404
MOS管IRF1404
  • 型号/规格：

    IRF1404

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    *率

IRF1404上海现货10000只,价格优惠,欢迎来电,燕

三*管原装英飞凌IKW50N60T
三*管原装英飞凌IKW50N60T
  • 型号/规格：

    IKW50N60T

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    DIP

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    *功率

IKW50N60T，采用 TO-247封装方式。 制造商: Infineon产品种类: IGBT 晶体管封装 / 箱体: TO-247集电*—发射*电压 VCEO: 600 V栅*/发射*电压: +/- 20 V集电*连续电流 Ic: 80 A 封装: T...

  • 深圳市维奇电子
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：其他
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-13590350508

    手机：13590350508

场效应管NTF5P03T3原装现货
场效应管NTF5P03T3原装现货
  • 型号/规格：

    NTF5P03T3

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT-223

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

NTF5P03T3 技术规格 制造商ON Semiconductor 产品种类MOSFET 功率 RoHS否 配置Single Dual Drain 晶体管极性P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）0.1 Ohms 正向跨导 gFS（值/值）3.9 ...

ME6206L33PG低压差线性稳压器微盟代理
ME6206L33PG低压差线性稳压器微盟代理
  • 品牌/商标：

    ME （微盟）

  • 型号/规格：

    ME6206L33PG

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DIFF/差分放大

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

描述： 特点： 高输出电压：±2% ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗 输出电压：1.5V~5.0V(步长 0.1V) 低压差，具有过流和短路保护的 CMOS 降压 工作电压：6V 型电压稳...

2SC1242
2SC1242
  • 品牌/商标：

    TOS SANY HIT SANK

  • 型号/规格：

    2SC1242

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HA/行输出级

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

现货库存欢迎询问88 郭生， 本公司经营集成电路二三*管多年。 质量*。 电脑配件。欢迎广大客户来电。"

infineon 英飞凌 原装*IC 贴片功率mosfet IKW20N60T
infineon 英飞凌 原装*IC 贴片功率mosfet IKW20N60T
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IKW20N60T

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

数据列表IKW20N60T产品相片TO-247-3标准包装240类别分立半导体产品家庭IGBT - 单路系列TrenchS*™IGBT 类型沟道和场截止电压 - 集射*击穿（值）600V不同 Vge、Ic 时的 V...

MOS管: AP2306AGN
MOS管: AP2306AGN
  • 型号/规格：

    AP2306AGN

  • 品牌/商标：

    富鼎*

  • 封装形式：

    SOT-23

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

AP2306AGN 台湾富鼎*（APEC）代理 AP2306AGN N沟道 VDS=30V IDS=5A SOT-23 本公司成立于2007年,为台湾富鼎*(APEC)大陆代理,华润华晶，华润矽微深圳代理...代理销售MOS管,IGBT,采样电...

*原装电子元器件IC,IRFPS35N50L
*原装电子元器件IC,IRFPS35N50L
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFPS35N50L

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

深圳展锐达科技有限公司是国内从事电子元器件贸易配套服务的知名品牌公司。至今已成为国内多家公司的优质供应商.:3122655手机:2型号品牌年份封装数量备注AT24CO2B-10PUAT10+DIP10000...

FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGH60N60SFDTU

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

深圳市圳想电子有限公司在电子元器件产品领域拥有10余年的经验，是一家专门服务于电子企业的综合性公司，在元器件方面我们已取得美国GPM、日本松木（MATSUKI）、台湾UPI、山东淄博美...

华润华晶MOS管
华润华晶MOS管
  • 型号/规格：

    CS3N50B3

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 封装形式：

    TO-251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

深圳市锐铄电子有限公司自2004年成立已来，已有八年的电子元器件配套经验。是深圳一家*、有信誉、可开17％增值税票的注册公司。我们本着诚信的原则,以顾客至上、互利互惠的经营理念，...

AnalogPower美商亚柏MOS管
AnalogPower美商亚柏MOS管
  • 型号/规格：

    AnalogPower

  • 品牌/商标：

    AnalogPower

  • 封装形式：

    AnalogPower

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

AM MOS管其实是美商亚柏半导体AnalogPower MOS管。AnalogPower 简称AP 商标也是以AP开头，进入大陆市场比较晚，AnalogPower 的MOS管型号都是以AM开头，而富鼎的MOS管型号则是以AP开头...

2SA1942/2SC5199东芝TOSHIBA音响功放管 功放对管 *十
2SA1942/2SC5199东芝TOSHIBA音响功放管 功放对管 *十
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SA1942/2SC5199

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 类型：

    其他IC

  • 批号：

    09＋

  • 封装：

    TO-*(N)

相关参数：180V12A120W30MHz原装*,以当天的报价为准!单价可谈!网上标价均属批量*格，*供参考，（量大价优）少量价或样品请另询价，如有不便，敬请见谅！温馨提示：为了保障买卖双方的...

*童MOS管
*童MOS管
  • 型号/规格：

    FDB3562/FDP3652

  • 品牌/商标：

    fairchild

  • 封装形式：

    To-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

联系： msn: FAN5236QSCXFAN7602BMXFDS5690MM74HC132MXFDA59N301N4747A_T50ANC7SZ66M5XFAN2011MPXHCPL0501R12N7002FQA70N10HGTP7N60A4_F102FDS9933AHGTP7N60A4D74LCX244MTCXIRLR130AT...

  • shenzhenlejia
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：其他
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-13689584786

韩国D&I场效应管
韩国D&I场效应管
  • 型号/规格：

    DFF2N60

  • 品牌/商标：

    DNI

  • 封装形式：

    塑料封装

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插

  • 功率特征：

    大功率

DFP/F2N60,TO-220/F,(600V,2A). (可代Fairchild FQPF2N60C(SSS2N60B) Toshiba 2SK3067(2SK3767) IR IRFIBC20G ST STP2NK60ZFP),

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

    随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

  • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

  • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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