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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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深圳
源头工厂
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DMN2004WK-7 20V场效应管N沟道MOSFET
DMN2004WK-7 20V场效应管N沟道MOSFET
  • 型号/规格：

    DMN2004WK-7

  • 品牌/商标：

    DIODES

  • 封装形式：

    SOT-523

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    管装

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 价格：

    0.7/PCS

20V场效应管N沟道MOSFET/20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片，5V输入充电电流可达1A， ...

LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家
LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家
  • 型号/规格：

    LM317

  • 品牌/商标：

    VSEEI

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂家LM317全新原厂TO-252 1.2~37V 1.5A 负压调节器三端稳压器厂...

ST2301 场效应管
ST2301 场效应管
  • 型号/规格：

    ST2301

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT23

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

ＳＴ２３０１Ｐ沟道增强型场效应管,*限电压(VDS):－２０V *限电流(ID):－２．５A ,工作电压(VGS): ８V , 倒通电阻(RDS):VGS= １０V时, RDS=１３０毫欧, VGS=４．５V RDS=１９０毫欧 V...

我司全新推出动力锂电池保护板专用MOS管（70V/80A,内阻5.6毫欧）
我司全新推出动力锂电池保护板专用MOS管（70V/80A,内阻5.6毫欧）
  • 品牌/商标：

    HY(后羿）

  • 型号/规格：

    HY1707P

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

：周 联系：26796工作 我司长期大量供应电源IC（AC-DC/DC-DC）和高低压MOS管，芯片100%原装进口，大规模上市公司封装，欢迎您来电垂询！ HY1001P/HY1707P和HY1708是我公司用于替换75N...

场效应管 SI2307 现货热销
场效应管 SI2307 现货热销
  • 型号/规格：

    SI2307

  • 品牌/商标：

    扬晶

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

产品类型:贴片场效应管 产品品牌：扬晶/YJ 产品型号：SI2307 产品封装：SOT-23 漏电流：-3.2A 漏源电阻：0.078欧 漏源电压：-30V 沟道：P 功耗：1.25W 材料：硅 脚数：3 颜色：黑 储...

AO3401 SOT-23贴片场效应管/MOS管
AO3401 SOT-23贴片场效应管/MOS管
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    龙晶微

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

场效应管AO3401 SOT-23封装详细介绍： 深圳市龙晶微半导体有限公司成立于本世纪初，是一家集研发、制造、商贸为一体的实业发展公司。 龙晶公司以市场为导向，面向国内外客户。拥有自...

厂家DW01 SOT-23-6锂电池保护IC
厂家DW01 SOT-23-6锂电池保护IC
  • 型号/规格：

    DW01 SOT-23-6

  • 品牌/商标：

    龙晶微

  • 封装形式：

    SOT-23-6

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

我公司生产销售锂电池保护电路IC: DW01是一款高的锂电池保护电路。 正常状态下，如果对电池进行充电，则 DW01C可能会进入过电压充电保护状态；同时，满足*条件后，又会恢复到正常状态...

原装SI2302 台产优势现货！品质！
原装SI2302 台产优势现货！品质！
  • 型号/规格：

    SI2302

  • 品牌/商标：

    Creator台湾创达

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

型号：SI2302 厂商：Creator台湾创达 类别：N渠道增强型场效应晶体管 描述： Creator台湾创达品牌下的SI2302的安装方式是贴片式，封装形式为SOT-23，可用作电源管理、电池保护，负载...

  • 深圳市亿胜达电子商行
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-83030792

    手机：13724397073

IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管IRFZ44
IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管IRFZ44
  • 品牌：

    YM

  • 型号：

    IRFZ44

  • 封装：

    TO-220

  • 批号：

    18+

  • FET类型：

    N

  • 漏源电压（Vdss）：

    55V

  • 漏极电流(Id)：

    49A

  • 漏源导通电阻(RDS On)：

    0.0175

IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF XJDZ IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF XJDZ IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF X...

原装IR场效应管 60V TO-252 IRLR014TRL 大量现货
原装IR场效应管 60V TO-252 IRLR014TRL 大量现货
  • 型号/规格：

    IRLR014

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市伟创微晶科技是一家经营电子元器件公司，具贴片备一定的实力与规模。货源直接，库存量大，一直秉承“用户，信誉，质量”作为公司的发展宗旨。 本着携手共进，互利互惠，共同发...

RGB调光大电流3400-3402厂家直销30V6A贴片SOT23-3封装nmos
RGB调光大电流3400-3402厂家直销30V6A贴片SOT23-3封装nmos
  • 型号/规格：

    HC3400M

  • 品牌/商标：

    惠新晨电子

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

LED爆闪、RGB调光等用MOS管 30V 6A SOT23-3 N型贴片mos管场效应中低压mos请直接联系公司销售 注：厂家直销 量大优惠 欢迎选购 产品型号：HC3400M 参数：30V 6A 封装：SOT-23-3 替换AO...

原装9435A SOT-223 MOS管场效应管
原装9435A SOT-223 MOS管场效应管
  • 型号/规格：

    CET9435A

  • 品牌/商标：

    CET

  • 封装形式：

    SOT-223

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

1、本店所有宝贝全部支持（支付宝、银行转账、现金）交易！ 2.由于价格，品牌种类繁多。所以在拍之前请先联系店主，或在线客服，QQ 电子元件是型的产品，技术含量较高，由于本身可能...

SI2300 30V 3.6A N沟道 SOT-23 场效应 MOS管 贴片大芯片
SI2300 30V 3.6A N沟道 SOT-23 场效应 MOS管 贴片大芯片
  • 型号/规格：

    SI2300

  • 品牌/商标：

    长电

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

全系列二三极管，提供样品 二三极管、MOS管 SI2300 SI2301 SI2302 SI2305 SI2306 AO3400 AO3401 AO3402 AO3415 AO3423 1N4007W/A7 , 1N4007/M7 FR107/RS1M FFM107/F7/S1M/FM MB6F MB1...

AO3401印记A19T封装SOT-23-3大电流
AO3401印记A19T封装SOT-23-3大电流
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOT-23-3

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

AO3401印记A19T封装SOT-23-3大电流 MOS管 型号：AO3401 体积：SOT-23 打字：A19T 漏*源*电压(Vdss)：30V Id时的Vgs(th)（）：1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 在Vds时的...

MOS管 场效应管 FDN335N
MOS管 场效应管 FDN335N
  • 型号/规格：

    FDN335N

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD(仙童)

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

DCY深圳市登辰易科技有限公司 真心诚意的服务于每一个客户,专注贴片元器件十余年，成就电子元器件品牌，全方位提供SMD、DIP元件配套一站式服务和开发解决方案 ISO质量保证：本公司代...

金属氧化物半导体场效应管BLV740 TO220-FP TO220-AB 贝岭代理
金属氧化物半导体场效应管BLV740 TO220-FP TO220-AB 贝岭代理
  • 型号/规格：

    BLV740 TO220-FP TO220-AB

  • 品牌/商标：

    贝岭（BELLING)

  • 封装形式：

    TO220-FP TO220-AB

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • Mode：

    N-Channel

  • VSD(Max)：

    400V

供应金属氧化物半导体场效应管BLV740 TO220-FP TO220-AB 贝岭代理 深圳市海本电子科技有限公司 COS灿瑞代理：霍尔开关芯片，音频功放IC,闪光灯驱动IC,背光驱动IC,照明驱动IC 上海贝岭...

KF3001低导通电阻PMOS管兼容SI2301
KF3001低导通电阻PMOS管兼容SI2301
  • 型号/规格：

    KF3001

  • 品牌/商标：

    KF

  • 封装形式：

    SOT23

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

KF3001低导通电阻PMOS管 KF3001是P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻.它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本...

MOS管，7安600伏贴片
MOS管，7安600伏贴片
  • 型号/规格：

    HM7N60L

  • 品牌/商标：

    HKZ

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

HKZHM7N60L，牌子是HKZ，封装为TO-252贴片，通过电流为7安，通过电压为600伏；该产品来自于深圳市恒心半导体有限公司。 恒芯半导体封装测试基地启动于2009年，是一家从事半导体功率器...

场效应晶体管_场效应晶体管厂家
场效应晶体管_场效应晶体管厂家
  • 型号/规格：

    CF7N60S

  • 品牌/商标：

    CT(沛倫)

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

MOSFET场效应晶体管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶...

场效应管|场效应管SSF2N60由三资半导体
场效应管|场效应管SSF2N60由三资半导体
  • 型号/规格：

    SSF2N60

  • 品牌/商标：

    韩国索森美

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    *率

深圳2N60_深圳2N60价格_深圳2N60厂家-场效应管|场效应管SSF2N60由深圳市三资半导体有限公司供应 深圳2N60，深圳2N60价格，深圳2N60厂家... 深圳2N60，场效应管|场效应管SSF2N60由三资...

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

    随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

  • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

  • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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