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MOSFET

（共找到“264”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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AO3414 AO3480 1.4W/MOSFET/N通道IC
AO3414 AO3480 1.4W/MOSFET/N通道IC
  • 型号/规格：

    AO3414 AO3480

  • 品牌/商标：

    万代

  • 封装形式：

    SOT-23-3L

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

1.4W/MOSFET/N通道IC/ 1.4W/MOSFET/N通道IC 1.4W/MOSFET/N通道IC 1.4W/MOSFET/N通道IC4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片，5V输入充电电流可达1A， 带芯片温度...

原厂场效应管（IR）-IRFL4310
原厂场效应管（IR）-IRFL4310
  • 型号/规格：

    IRFL4310TRPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    SOT223

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

原装IR公司产品，IRFL4310TRPBF，产地Malaysia，2500pcs per reel，无铅*，SOT223。

ST2301 场效应管
ST2301 场效应管
  • 型号/规格：

    ST2301

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT23

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

ＳＴ２３０１Ｐ沟道增强型场效应管,*限电压(VDS):－２０V *限电流(ID):－２．５A ,工作电压(VGS): ８V , 倒通电阻(RDS):VGS= １０V时, RDS=１３０毫欧, VGS=４．５V RDS=１９０毫欧 V...

场管45N03，40N03
场管45N03，40N03
  • 型号/规格：

    45N03

  • 品牌/商标：

    MOT

  • 封装形式：

    TO-252/220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    散装

长期供应集成电路ic,二*管,三*管,肖特基,快恢复二*管,场效应管,电容硅桥,排桥,等电子元件,有意请来电咨询洽谈 http://www.rightdz.com

  • 莱特电子有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东揭阳

    • 电话：0663-2341643

我司全新推出动力锂电池保护板专用MOS管（70V/80A,内阻5.6毫欧）
我司全新推出动力锂电池保护板专用MOS管（70V/80A,内阻5.6毫欧）
  • 品牌/商标：

    HY(后羿）

  • 型号/规格：

    HY1707P

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

：周 联系：26796工作 我司长期大量供应电源IC（AC-DC/DC-DC）和高低压MOS管，芯片100%原装进口，大规模上市公司封装，欢迎您来电垂询！ HY1001P/HY1707P和HY1708是我公司用于替换75N...

mosfet管，厂商大批量生产mosfet管|货源稳定
mosfet管，厂商大批量生产mosfet管|货源稳定
  • 型号/规格：

    全系列

  • 品牌/商标：

    FNK

  • 封装形式：

    全系列

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

乾野电子成功的*是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片*厂、封装与测试*厂的紧密合作，通过*产品在生产和测试过程中的质量控制，*大批量生产中...

功率MOS管-MOSFET-场效应管
功率MOS管-MOSFET-场效应管
  • 型号/规格：

    4N60-IRF3205-IRF840-IRF730-4N80-75N75-80N60

  • 品牌/商标：

    SEMIWILL

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    *率

功率MOS管-MOSFET-场效应管 概述： 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输...

场效应管 SI2307 现货热销
场效应管 SI2307 现货热销
  • 型号/规格：

    SI2307

  • 品牌/商标：

    扬晶

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

产品类型:贴片场效应管 产品品牌：扬晶/YJ 产品型号：SI2307 产品封装：SOT-23 漏电流：-3.2A 漏源电阻：0.078欧 漏源电压：-30V 沟道：P 功耗：1.25W 材料：硅 脚数：3 颜色：黑 储...

贴片MOSFET
贴片MOSFET
  • 型号/规格：

    BUK7240-100A

  • 品牌/商标：

    NXP

  • 封装形式：

    DPAK

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    管状

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

AO3401 SOT-23贴片场效应管/MOS管
AO3401 SOT-23贴片场效应管/MOS管
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    龙晶微

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

场效应管AO3401 SOT-23封装详细介绍： 深圳市龙晶微半导体有限公司成立于本世纪初，是一家集研发、制造、商贸为一体的实业发展公司。 龙晶公司以市场为导向，面向国内外客户。拥有自...

厂家DW01 SOT-23-6锂电池保护IC
厂家DW01 SOT-23-6锂电池保护IC
  • 型号/规格：

    DW01 SOT-23-6

  • 品牌/商标：

    龙晶微

  • 封装形式：

    SOT-23-6

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

我公司生产销售锂电池保护电路IC: DW01是一款高的锂电池保护电路。 正常状态下，如果对电池进行充电，则 DW01C可能会进入过电压充电保护状态；同时，满足*条件后，又会恢复到正常状态...

山东青岛厂家33欧姆高功率无感电阻
山东青岛厂家33欧姆高功率无感电阻
  • 型号/规格：

    33欧姆

  • 品牌/商标：

    天润

  • 封装形式：

    陶瓷

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

关键词：高功率无感电阻 大功率无感电阻 瓷管电阻 其他：议定 产品描述：青岛天润高周波电器有限公司无感电阻与一般电阻相比有下述多方面的优点： 电阻本身的电感值小于0.5微亨，频率...

原装SI2302 台产优势现货！品质！
原装SI2302 台产优势现货！品质！
  • 型号/规格：

    SI2302

  • 品牌/商标：

    Creator台湾创达

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

型号：SI2302 厂商：Creator台湾创达 类别：N渠道增强型场效应晶体管 描述： Creator台湾创达品牌下的SI2302的安装方式是贴片式，封装形式为SOT-23，可用作电源管理、电池保护，负载...

  • 深圳市亿胜达电子商行
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-83030792

    手机：13724397073

场效应管MOS 直插 IRF840PBF
场效应管MOS 直插 IRF840PBF
  • 型号/规格：

    IRF840PBF

  • 品牌/商标：

    Vishay

  • 封装形式：

    管装

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

IRF840PBF实物照片： IRF840PBF参数详情：制造商:Vishay 产品种类: MOSFET耗散功率:125W(Tc）漏源极电压（Vds）：500V连续漏极电流（Id）：8A工作温度:-55℃ ~ 150℃典型关闭延迟时间...

IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管IRFZ44
IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管IRFZ44
  • 品牌：

    YM

  • 型号：

    IRFZ44

  • 封装：

    TO-220

  • 批号：

    18+

  • FET类型：

    N

  • 漏源电压（Vdss）：

    55V

  • 漏极电流(Id)：

    49A

  • 漏源导通电阻(RDS On)：

    0.0175

IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF XJDZ IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF XJDZ IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF X...

原装IR场效应管 60V TO-252 IRLR014TRL 大量现货
原装IR场效应管 60V TO-252 IRLR014TRL 大量现货
  • 型号/规格：

    IRLR014

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市伟创微晶科技是一家经营电子元器件公司，具贴片备一定的实力与规模。货源直接，库存量大，一直秉承“用户，信誉，质量”作为公司的发展宗旨。 本着携手共进，互利互惠，共同发...

RGB调光大电流3400-3402厂家直销30V6A贴片SOT23-3封装nmos
RGB调光大电流3400-3402厂家直销30V6A贴片SOT23-3封装nmos
  • 型号/规格：

    HC3400M

  • 品牌/商标：

    惠新晨电子

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

LED爆闪、RGB调光等用MOS管 30V 6A SOT23-3 N型贴片mos管场效应中低压mos请直接联系公司销售 注：厂家直销 量大优惠 欢迎选购 产品型号：HC3400M 参数：30V 6A 封装：SOT-23-3 替换AO...

原装9435A SOT-223 MOS管场效应管
原装9435A SOT-223 MOS管场效应管
  • 型号/规格：

    CET9435A

  • 品牌/商标：

    CET

  • 封装形式：

    SOT-223

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

1、本店所有宝贝全部支持（支付宝、银行转账、现金）交易！ 2.由于价格，品牌种类繁多。所以在拍之前请先联系店主，或在线客服，QQ 电子元件是型的产品，技术含量较高，由于本身可能...

SI2300 30V 3.6A N沟道 SOT-23 场效应 MOS管 贴片大芯片
SI2300 30V 3.6A N沟道 SOT-23 场效应 MOS管 贴片大芯片
  • 型号/规格：

    SI2300

  • 品牌/商标：

    长电

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

全系列二三极管，提供样品 二三极管、MOS管 SI2300 SI2301 SI2302 SI2305 SI2306 AO3400 AO3401 AO3402 AO3415 AO3423 1N4007W/A7 , 1N4007/M7 FR107/RS1M FFM107/F7/S1M/FM MB6F MB1...

N沟道增强型场效应晶体管FHF18N50
N沟道增强型场效应晶体管FHF18N50
  • 型号/规格：

    FHF18N50

  • 品牌/商标：

    飞虹

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

广州飞虹电子科技有限公司成立于2007年，注册资本2880万元人民币。从事半导体器件设计、生产、销售为一体的高新技术型企业。公司坐落于广州增城区东区高科技工业园，厂区占地面积75亩...

MOSFET行业资讯

  • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

  • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

    基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

    在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

  • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

    德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

  • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

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    MOSFET

MOSFET技术资料

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

  • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

    在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

  • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

    在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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