DMN2004WK-7
DIODES
SOT-523
普通型
管装
单件包装
大功率
0.7/PCS
20V场效应管N沟道MOSFET/20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片,5V输入充电电流可达1A, ...
电话:0755-83768026
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全系列
FNK
全系列
无铅*型
直插式
卷带编带包装
乾野电子成功的*是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片*厂、封装与测试*厂的紧密合作,通过*产品在生产和测试过程中的质量控制,*大批量生产中...
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IRFL4310TRPBF
IR
SOT223
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
原装IR公司产品,IRFL4310TRPBF,产地Malaysia,2500pcs per reel,无铅*,SOT223。
电话:021-62982735
手机:13621628436
ST2301
ST
SOT23
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
ST2301P沟道增强型场效应管,*限电压(VDS):-20V *限电流(ID):-2.5A ,工作电压(VGS): 8V , 倒通电阻(RDS):VGS= 10V时, RDS=130毫欧, VGS=4.5V RDS=190毫欧 V...
电话:0755-83551150
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45N03
MOT
TO-252/220
普通型
贴片式
散装
长期供应集成电路ic,二*管,三*管,肖特基,快恢复二*管,场效应管,电容硅桥,排桥,等电子元件,有意请来电咨询洽谈 http://www.rightdz.com
电话:0663-2341643
HY(后羿)
HY1707P
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
:周 联系:26796工作 我司长期大量供应电源IC(AC-DC/DC-DC)和高低压MOS管,芯片100%原装进口,大规模上市公司封装,欢迎您来电垂询! HY1001P/HY1707P和HY1708是我公司用于替换75N...
电话:0755-33121735
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4N60-IRF3205-IRF840-IRF730-4N80-75N75-80N60
SEMIWILL
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
*率
功率MOS管-MOSFET-场效应管 概述: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输...
电话:021-54841001
SI2307
扬晶
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
产品类型:贴片场效应管 产品品牌:扬晶/YJ 产品型号:SI2307 产品封装:SOT-23 漏电流:-3.2A 漏源电阻:0.078欧 漏源电压:-30V 沟道:P 功耗:1.25W 材料:硅 脚数:3 颜色:黑 储...
电话:0755-28108558
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AO3401
龙晶微
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
场效应管AO3401 SOT-23封装详细介绍: 深圳市龙晶微半导体有限公司成立于本世纪初,是一家集研发、制造、商贸为一体的实业发展公司。 龙晶公司以市场为导向,面向国内外客户。拥有自...
电话:0755-28103558
手机:13543319641
DW01 SOT-23-6
龙晶微
SOT-23-6
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
我公司生产销售锂电池保护电路IC: DW01是一款高的锂电池保护电路。 正常状态下,如果对电池进行充电,则 DW01C可能会进入过电压充电保护状态;同时,满足*条件后,又会恢复到正常状态...
电话:0755-28103558
手机:13410781055
33欧姆
天润
陶瓷
普通型
直插式
单件包装
大功率
关键词:高功率无感电阻 大功率无感电阻 瓷管电阻 其他:议定 产品描述:青岛天润高周波电器有限公司无感电阻与一般电阻相比有下述多方面的优点: 电阻本身的电感值小于0.5微亨,频率...
电话:0532-84783777
手机:15820039099
SI2302
Creator台湾创达
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
型号:SI2302 厂商:Creator台湾创达 类别:N渠道增强型场效应晶体管 描述: Creator台湾创达品牌下的SI2302的安装方式是贴片式,封装形式为SOT-23,可用作电源管理、电池保护,负载...
电话:0755-83030792
手机:13724397073
YM
IRFZ44
TO-220
18+
N
55V
49A
0.0175
IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF XJDZ IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF XJDZ IRFZ44N MOS管 55V 49A 场效应管 直插TO-220 IRFZ44NPBF X...
电话:0755-82861808
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CET9435A
CET
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
1、本店所有宝贝全部支持(支付宝、银行转账、现金)交易! 2.由于价格,品牌种类繁多。所以在拍之前请先联系店主,或在线客服,QQ 电子元件是型的产品,技术含量较高,由于本身可能...
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SI2300
长电
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
全系列二三极管,提供样品 二三极管、MOS管 SI2300 SI2301 SI2302 SI2305 SI2306 AO3400 AO3401 AO3402 AO3415 AO3423 1N4007W/A7 , 1N4007/M7 FR107/RS1M FFM107/F7/S1M/FM MB6F MB1...
电话:0755-23619906
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IRFP460/TO-247
IR
塑料封装
无铅环保型
直插式
散装
大功率
产品名称:大功率场效应管 型 号:IRFP460 品 牌:IR 材 质:硅管 封装形式:塑料封装(TO-247) 极限工作电压:500V 电流允许值:21A 耗散功率:300W 本公司生产销售大功率三极管、...
电话:0559-6695112
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IRF150\MTM20N15\IRFP450
衡字牌
TO*\TO3
无铅*型
直插式
盒带编带包装
大功率
公司是一家从事半导体器件研制开发、生产和销售的*骨干企业,生产各类*、民用大功率三*管(3DD、2SD、2N、3DF、BU、3CF、3DA,)、高反压大功率开关管(3DK系列)、达林顿功率三*管(...
电话:0734-8490333
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75N75,75N80
LS ,ST
TO-220
无铅*型
直插式
条装
长期大量供应电动车上使用的,MOS管,75N75,75N80.品质*,价格优势。有需求请速联系!
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AO3401
AOS
SOT-23-3
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
AO3401印记A19T封装SOT-23-3大电流 MOS管 型号:AO3401 体积:SOT-23 打字:A19T 漏*源*电压(Vdss):30V Id时的Vgs(th)():1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V 在Vds时的...
电话:0755-33061015
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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道,该器件名为 SiZF4800LDT,“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供 pn结二极管是最基本的...