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功率MOS管-MOSFET-场效应管

功率MOS管-MOSFET-场效应管
功率MOS管-MOSFET-场效应管
  • 型号/规格:

    4N60-IRF3205-IRF840-IRF730-4N80-75N75-80N60

  • 品牌/商标:

    SEMIWILL

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    *率

普通会员
  • 企业名:上海望爵电子科技有限公司

    类型:生产企业

    电话: 021-54841001

    联系人:汪先生

    QQ: QQ:81648466

    邮箱:sales110@semiwill.com

    地址:上海上海市上海闵行漕河泾浦江创新科技园A栋

商品信息

功率MOS管-MOSFET-场效应管
概述:
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

产品特性:
热阻低、开关速度快、输入阻*高、*合RoHS规范

产品系列:
1N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥1.0A 导通电阻RDS≤16.5ohm 
封装形式:TO-92
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

1N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥1.0A 导通电阻RDS≤16.5ohm 
封装形式:TO-92
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

2N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥2.0A 导通电阻RDS≤5.0ohm 
封装形式:TO-92/TO-251/TO-126
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

2N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥2.0A 导通电阻RDS≤5.0ohm 
封装形式:TO-92/TO-251/TO-126
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

2N70系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥700V  漏*电流ID≥2.0A 导通电阻RDS≤5.0ohm 
封装形式:TO-92/TO-251/TO-126
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

2N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥2.0A 导通电阻RDS≤5.0ohm 
封装形式:TO-92/TO-251/TO-126
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

4N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥4.0A 导通电阻RDS≤2.2ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

4N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥4.0A 导通电阻RDS≤2.2ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等
4N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥4.0A 导通电阻RDS≤2.2ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

3N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥3.0A 导通电阻RDS≤4.5ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

5N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥5.0A 导通电阻RDS≤1.5ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

5N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥5.0A 导通电阻RDS≤1.5ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

5N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥5.0A 导通电阻RDS≤1.5ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

6N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥6.0A 导通电阻RDS≤1.5ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

6N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥6.0A 导通电阻RDS≤1.5ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

6N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥6.0A 导通电阻RDS≤1.5ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

7N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥7.0A 导通电阻RDS≤1.3ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

7N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥7.0A 导通电阻RDS≤1.3ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

7N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥7.0A 导通电阻RDS≤1.3ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

7N90系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥900V  漏*电流ID≥7.0A 导通电阻RDS≤1.3ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

8N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥8.0A 导通电阻RDS≤1.3ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

8N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥8.0A 导通电阻RDS≤1.3ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

8N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥8.0A 导通电阻RDS≤1.3ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

10N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥10.0A 导通电阻RDS≤0.75ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

10N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥10.0A 导通电阻RDS≤0.75ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

12N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥600V  漏*电流ID≥12.0A 导通电阻RDS≤0.70ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

12N65系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥650V  漏*电流ID≥12.0A 导通电阻RDS≤0.70ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

12N80系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥800V  漏*电流ID≥12.0A 导通电阻RDS≤0.70ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

13N50系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥500V  漏*电流ID≥13.0A 导通电阻RDS≤0.48ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

18N50系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥500V  漏*电流ID≥18.0A 导通电阻RDS≤0.265ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

20N50系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥500V  漏*电流ID≥20.0A 导通电阻RDS≤0.265ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

50N06系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥60V  漏*电流ID≥60.0A 导通电阻RDS≤0.023ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

100N03系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥30V  漏*电流ID≥100.0A 导通电阻RDS≤0.0053ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

30N06系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥60V  漏*电流ID≥30.0A 导通电阻RDS≤0.036ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

19N10系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥10V  漏*电流ID≥19.0A 导通电阻RDS≤0.1ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

75N03系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥30V  漏*电流ID≥75.0A 导通电阻RDS≤0.007ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

75N75系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥75V  漏*电流ID≥75.0A 导通电阻RDS≤0.009ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

80N60系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥60V  漏*电流ID≥80.0A 导通电阻RDS≤0.009ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF3205系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥55V  漏*电流ID≥110.0A 导通电阻RDS≤0.008ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF640系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥200V  漏*电流ID≥18.0A 导通电阻RDS≤0.18ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF630系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥200V  漏*电流ID≥10.0A 导通电阻RDS≤0.4ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF634系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥250V  漏*电流ID≥9.0A 导通电阻RDS≤0.45ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF730系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥400V  漏*电流ID≥5.5A 导通电阻RDS≤1.0ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF740系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥500V  漏*电流ID≥5.5A 导通电阻RDS≤0.55ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF840系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥500V  漏*电流ID≥8.5A 导通电阻RDS≤0.85ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

IRF830系列MOS管
关键参数:漏-源电压BVDSS≥400V  漏*电流ID≥8.5A 导通电阻RDS≤1.0ohm 
封装形式:TO-220AB/TO-220F/TO-262
应用领域:电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等

产品封装形式: TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F、TO-*、TO-247等
包装方式:管装/盘装
*要求:RoHS、Reach等

SEMIWILL为您提供全系列的MOS场效应管产品,按照封装形式,可以分为:TO-251、TO-126、TO-220、TO-220F、TO-*、TO-247等插件封装形式和TO-252、TO-263等贴片封装形式。关注SEMIWILL产品和服务信息,请关注SEMIWILL网站:https://www.semiwill.com

联系方式

企业名:上海望爵电子科技有限公司

类型:生产企业

电话: 021-54841001

联系人:汪先生

QQ: QQ:81648466

邮箱:sales110@semiwill.com

地址:上海上海市上海闵行漕河泾浦江创新科技园A栋

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