IRFP450
IR
TO-*
普通型
直插式
散装
大功率
本公司主要经营*拆机;电解电容,安规电容,涤纶电容,二*管,三*管,场效应管,可控硅,整流桥,集成电路等元件,型号*,质量*,价格合理,长期现货供应,欢迎联系洽谈..........(...
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IRFZ48
IR
金属封装
普通型
汕头中新电子商行,本电子商行以信誉为本,价格实惠,品质至上,服务周到为经营理念,欢迎广大客商的惠顾,也欢迎广大客商与我们建立长期友好的合作关系....
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IRF1404
IR
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
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IRF1404上海现货10000只,价格优惠,欢迎来电,燕
电话:0755-88377193
手机:13670499181
IRFP250N
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
本公司从事电源模块、IGBT,IRMOS管及相关配件、元器件产品的代理、分销。渠道正规,。 公司建立三年多,一直配有的技术、销售及物流团队,一直坚持“和谐、诚信、卓越、效率,以的服...
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12N60
semiHow
TO-220
无铅*型
直插式
卷带编带包装
大功率
semiHow介绍: SemiHow是以在*半导体技术和中国奠定的*生产为基础,以中国企业坚实的 Partnership为*, 与 Partner一起用其他企业无法*衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业. semiHow...
电话:021-31001104
手机:18962647589
APM9435KC-TRG
茂达
封装: SOP-8 Vds(V): -30 Vgs(V): ±25 Id(A): -4.9 R@Vgs=10: 60(53) R@Vgs=4.5: 95(80) R@Vgs=2.5: - Qg(Vgs=4.5V): 22.6(10v) V(th): -1.5
电话:021-64957967
手机:13916098262
IKW50N60T
INFINEON(英飞凌)
DIP
无铅*型
直插式
卷带编带包装
*功率
IKW50N60T,采用 TO-247封装方式。 制造商: Infineon产品种类: IGBT 晶体管封装 / 箱体: TO-247集电*—发射*电压 VCEO: 600 V栅*/发射*电压: +/- 20 V集电*连续电流 Ic: 80 A 封装: T...
电话:0755-13590350508
手机:13590350508
NTF5P03T3
ON(安森美)
SOT-223
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
NTF5P03T3 技术规格 制造商ON Semiconductor 产品种类MOSFET 功率 RoHS否 配置Single Dual Drain 晶体管极性P-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.1 Ohms 正向跨导 gFS(值/值)3.9 ...
电话:0755-83759925
手机:13147072887
ME (微盟)
ME6206L33PG
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DIFF/差分放大
CHIP/小型片状
P-FET硅P沟道
描述: 特点: 高输出电压:±2% ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗 输出电压:1.5V~5.0V(步长 0.1V) 低压差,具有过流和短路保护的 CMOS 降压 工作电压:6V 型电压稳...
电话:0755-36858333
手机:13510760508
TOS SANY HIT SANK
2SC1242
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
HA/行输出级
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
现货库存欢迎询问88 郭生, 本公司经营集成电路二三*管多年。 质量*。 电脑配件。欢迎广大客户来电。"
电话:86 0755 13790825388
Mitsubishi/三菱
*60AM-18F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
欢迎垂询上海资发半导体有限公司 上海资发半导体有限公司位于中国,上海资发半导体有限公司是一家IGBT、可控硅、GTR、平板GTO、英飞凌、ABB、场效应管等等产品的经销批发的。上海资发...
电话:021-68361005
手机:18916576762
INFINEON/英飞凌
IKW20N60T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
数据列表IKW20N60T产品相片TO-247-3标准包装240类别分立半导体产品家庭IGBT - 单路系列TrenchS*™IGBT 类型沟道和场截止电压 - 集射*击穿(值)600V不同 Vge、Ic 时的 V...
手机:
AP2306AGN
富鼎*
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
AP2306AGN 台湾富鼎*(APEC)代理 AP2306AGN N沟道 VDS=30V IDS=5A SOT-23 本公司成立于2007年,为台湾富鼎*(APEC)大陆代理,华润华晶,华润矽微深圳代理...代理销售MOS管,IGBT,采样电...
电话:0755-13480196780
手机:13480196780
国产
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
*,批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】: 原装,*合欧洲ROHS条例,体积小,重量轻,耐温耐压高, 漏电流和介...
手机:
1N60
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
V(BR)DSS 漏源击穿电压 : 600V (VGS = 0V, ID = 250μA)RDS(on) 静态漏源导通电阻 : 9 Ω (VGS=10V,ID = 0.5A)VGS(th) 阈值电压 : 3V (VDS = VGS, ID = 250&a...
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IR/国际整流器
IRFPS35N50L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
深圳展锐达科技有限公司是国内从事电子元器件贸易配套服务的知名品牌公司。至今已成为国内多家公司的优质供应商.:3122655手机:2型号品牌年份封装数量备注AT24CO2B-10PUAT10+DIP10000...
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德国法勒
LTE/LTE-U10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...
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FAIRCHILD/*童
FGH60N60SFDTU
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
深圳市圳想电子有限公司在电子元器件产品领域拥有10余年的经验,是一家专门服务于电子企业的综合性公司,在元器件方面我们已取得美国GPM、日本松木(MATSUKI)、台湾UPI、山东淄博美...
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CS3N50B3
华晶
TO-251
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深圳市锐铄电子有限公司自2004年成立已来,已有八年的电子元器件配套经验。是深圳一家*、有信誉、可开17%增值税票的注册公司。我们本着诚信的原则,以顾客至上、互利互惠的经营理念,...
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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道,该器件名为 SiZF4800LDT,“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供 pn结二极管是最基本的...