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MOSFET

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  • 型号/规格:

    IRFP450

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-*

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

本公司主要经营*拆机;电解电容,安规电容,涤纶电容,二*管,三*管,场效应管,可控硅,整流桥,集成电路等元件,型号*,质量*,价格合理,长期现货供应,欢迎联系洽谈..........(...

  • 型号/规格:

    IRFZ48

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    金属封装

  • *类别:

    普通型

汕头中新电子商行,本电子商行以信誉为本,价格实惠,品质至上,服务周到为经营理念,欢迎广大客商的惠顾,也欢迎广大客商与我们建立长期友好的合作关系....

  • 型号/规格:

    IRF1404

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    *率

IRF1404上海现货10000只,价格优惠,欢迎来电,燕

  • 型号/规格:

    IRFP250N

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

本公司从事电源模块、IGBT,IRMOS管及相关配件、元器件产品的代理、分销。渠道正规,。 公司建立三年多,一直配有的技术、销售及物流团队,一直坚持“和谐、诚信、卓越、效率,以的服...

  • 型号/规格:

    12N60

  • 品牌/商标:

    semiHow

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

semiHow介绍: SemiHow是以在*半导体技术和中国奠定的*生产为基础,以中国企业坚实的 Partnership为*, 与 Partner一起用其他企业无法*衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业. semiHow...

  • 型号/规格:

    APM9435KC-TRG

  • 品牌/商标:

    茂达

封装: SOP-8 Vds(V): -30 Vgs(V): ±25 Id(A): -4.9 R@Vgs=10: 60(53) R@Vgs=4.5: 95(80) R@Vgs=2.5: - Qg(Vgs=4.5V): 22.6(10v) V(th): -1.5

  • 型号/规格:

    IKW50N60T

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    DIP

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    *功率

IKW50N60T,采用 TO-247封装方式。 制造商: Infineon产品种类: IGBT 晶体管封装 / 箱体: TO-247集电*—发射*电压 VCEO: 600 V栅*/发射*电压: +/- 20 V集电*连续电流 Ic: 80 A 封装: T...

  • 深圳市维奇电子
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:其他
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-13590350508

    手机:13590350508

  • 型号/规格:

    NTF5P03T3

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-223

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

NTF5P03T3 技术规格 制造商ON Semiconductor 产品种类MOSFET 功率 RoHS否 配置Single Dual Drain 晶体管极性P-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.1 Ohms 正向跨导 gFS(值/值)3.9 ...

  • 品牌/商标:

    ME (微盟)

  • 型号/规格:

    ME6206L33PG

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DIFF/差分放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

描述: 特点: 高输出电压:±2% ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗 输出电压:1.5V~5.0V(步长 0.1V) 低压差,具有过流和短路保护的 CMOS 降压 工作电压:6V 型电压稳...

  • 品牌/商标:

    TOS SANY HIT SANK

  • 型号/规格:

    2SC1242

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    HA/行输出级

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

现货库存欢迎询问88 郭生, 本公司经营集成电路二三*管多年。 质量*。 电脑配件。欢迎广大客户来电。"

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    *60AM-18F

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

欢迎垂询上海资发半导体有限公司 上海资发半导体有限公司位于中国,上海资发半导体有限公司是一家IGBT、可控硅、GTR、平板GTO、英飞凌、ABB、场效应管等等产品的经销批发的。上海资发...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IKW20N60T

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

数据列表IKW20N60T产品相片TO-247-3标准包装240类别分立半导体产品家庭IGBT - 单路系列TrenchS*™IGBT 类型沟道和场截止电压 - 集射*击穿(值)600V不同 Vge、Ic 时的 V...

  • 型号/规格:

    AP2306AGN

  • 品牌/商标:

    富鼎*

  • 封装形式:

    SOT-23

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

AP2306AGN 台湾富鼎*(APEC)代理 AP2306AGN N沟道 VDS=30V IDS=5A SOT-23 本公司成立于2007年,为台湾富鼎*(APEC)大陆代理,华润华晶,华润矽微深圳代理...代理销售MOS管,IGBT,采样电...

  • 品牌:

    国产

  • 型号:

    2N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

*,批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】: 原装,*合欧洲ROHS条例,体积小,重量轻,耐温耐压高, 漏电流和介...

  • 型号/规格:

    1N60

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

V(BR)DSS 漏源击穿电压 : 600V (VGS = 0V, ID = 250μA)RDS(on) 静态漏源导通电阻 : 9 Ω (VGS=10V,ID = 0.5A)VGS(th) 阈值电压 : 3V (VDS = VGS, ID = 250&a...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFPS35N50L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

深圳展锐达科技有限公司是国内从事电子元器件贸易配套服务的知名品牌公司。至今已成为国内多家公司的优质供应商.:3122655手机:2型号品牌年份封装数量备注AT24CO2B-10PUAT10+DIP10000...

  • 品牌/商标:

    德国法勒

  • 型号/规格:

    LTE/LTE-U10

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FGH60N60SFDTU

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

深圳市圳想电子有限公司在电子元器件产品领域拥有10余年的经验,是一家专门服务于电子企业的综合性公司,在元器件方面我们已取得美国GPM、日本松木(MATSUKI)、台湾UPI、山东淄博美...

  • 型号/规格:

    CS3N50B3

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO-251

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

深圳市锐铄电子有限公司自2004年成立已来,已有八年的电子元器件配套经验。是深圳一家*、有信誉、可开17%增值税票的注册公司。我们本着诚信的原则,以顾客至上、互利互惠的经营理念,...

  • 型号/规格:

    K1723

  • 品牌/商标:

    MOT

  • 封装形式:

    TO-*

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

*现货 敬候来电垂询采购

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什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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