IRFP450
IR
TO-*
普通型
直插式
散装
大功率
本公司主要经营*拆机;电解电容,安规电容,涤纶电容,二*管,三*管,场效应管,可控硅,整流桥,集成电路等元件,型号*,质量*,价格合理,长期现货供应,欢迎联系洽谈..........(...
电话:0754-86679013
手机:15989735439
IRFZ48
IR
金属封装
普通型
汕头中新电子商行,本电子商行以信誉为本,价格实惠,品质至上,服务周到为经营理念,欢迎广大客商的惠顾,也欢迎广大客商与我们建立长期友好的合作关系....
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IRF1404
IR
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
*率
IRF1404上海现货10000只,价格优惠,欢迎来电,燕
电话:0755-88377193
手机:13670499181
IRFP250N
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
本公司从事电源模块、IGBT,IRMOS管及相关配件、元器件产品的代理、分销。渠道正规,。 公司建立三年多,一直配有的技术、销售及物流团队,一直坚持“和谐、诚信、卓越、效率,以的服...
电话:021-64832037
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12N60
semiHow
TO-220
无铅*型
直插式
卷带编带包装
大功率
semiHow介绍: SemiHow是以在*半导体技术和中国奠定的*生产为基础,以中国企业坚实的 Partnership为*, 与 Partner一起用其他企业无法*衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业. semiHow...
电话:021-31001104
手机:18962647589
APM9435KC-TRG
茂达
封装: SOP-8 Vds(V): -30 Vgs(V): ±25 Id(A): -4.9 R@Vgs=10: 60(53) R@Vgs=4.5: 95(80) R@Vgs=2.5: - Qg(Vgs=4.5V): 22.6(10v) V(th): -1.5
电话:021-64957967
手机:13916098262
IKW50N60T
INFINEON(英飞凌)
DIP
无铅*型
直插式
卷带编带包装
*功率
IKW50N60T,采用 TO-247封装方式。 制造商: Infineon产品种类: IGBT 晶体管封装 / 箱体: TO-247集电*—发射*电压 VCEO: 600 V栅*/发射*电压: +/- 20 V集电*连续电流 Ic: 80 A 封装: T...
电话:0755-13590350508
手机:13590350508
NTF5P03T3
ON(安森美)
SOT-223
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
NTF5P03T3 技术规格 制造商ON Semiconductor 产品种类MOSFET 功率 RoHS否 配置Single Dual Drain 晶体管极性P-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.1 Ohms 正向跨导 gFS(值/值)3.9 ...
电话:0755-83759925
手机:13147072887
ME (微盟)
ME6206L33PG
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DIFF/差分放大
CHIP/小型片状
P-FET硅P沟道
描述: 特点: 高输出电压:±2% ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗 输出电压:1.5V~5.0V(步长 0.1V) 低压差,具有过流和短路保护的 CMOS 降压 工作电压:6V 型电压稳...
电话:0755-36858333
手机:13510760508
TOS SANY HIT SANK
2SC1242
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
HA/行输出级
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
现货库存欢迎询问88 郭生, 本公司经营集成电路二三*管多年。 质量*。 电脑配件。欢迎广大客户来电。"
电话:86 0755 13790825388
Mitsubishi/三菱
*60AM-18F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
欢迎垂询上海资发半导体有限公司 上海资发半导体有限公司位于中国,上海资发半导体有限公司是一家IGBT、可控硅、GTR、平板GTO、英飞凌、ABB、场效应管等等产品的经销批发的。上海资发...
电话:021-68361005
手机:18916576762
INFINEON/英飞凌
IKW20N60T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
数据列表IKW20N60T产品相片TO-247-3标准包装240类别分立半导体产品家庭IGBT - 单路系列TrenchS*™IGBT 类型沟道和场截止电压 - 集射*击穿(值)600V不同 Vge、Ic 时的 V...
手机:
AP2306AGN
富鼎*
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
AP2306AGN 台湾富鼎*(APEC)代理 AP2306AGN N沟道 VDS=30V IDS=5A SOT-23 本公司成立于2007年,为台湾富鼎*(APEC)大陆代理,华润华晶,华润矽微深圳代理...代理销售MOS管,IGBT,采样电...
电话:0755-13480196780
手机:13480196780
国产
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
*,批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】: 原装,*合欧洲ROHS条例,体积小,重量轻,耐温耐压高, 漏电流和介...
手机:
1N60
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
V(BR)DSS 漏源击穿电压 : 600V (VGS = 0V, ID = 250μA)RDS(on) 静态漏源导通电阻 : 9 Ω (VGS=10V,ID = 0.5A)VGS(th) 阈值电压 : 3V (VDS = VGS, ID = 250&a...
手机:
IR/国际整流器
IRFPS35N50L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
深圳展锐达科技有限公司是国内从事电子元器件贸易配套服务的知名品牌公司。至今已成为国内多家公司的优质供应商.:3122655手机:2型号品牌年份封装数量备注AT24CO2B-10PUAT10+DIP10000...
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德国法勒
LTE/LTE-U10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...
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FAIRCHILD/*童
FGH60N60SFDTU
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
深圳市圳想电子有限公司在电子元器件产品领域拥有10余年的经验,是一家专门服务于电子企业的综合性公司,在元器件方面我们已取得美国GPM、日本松木(MATSUKI)、台湾UPI、山东淄博美...
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CS3N50B3
华晶
TO-251
无铅*型
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深圳市锐铄电子有限公司自2004年成立已来,已有八年的电子元器件配套经验。是深圳一家*、有信誉、可开17%增值税票的注册公司。我们本着诚信的原则,以顾客至上、互利互惠的经营理念,...
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随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...