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MOSFET

（共找到“27”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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CET华瑞MOS全系列产品
CET华瑞MOS全系列产品
  • 型号/规格：

    CEU12N10L

  • 品牌/商标：

    CET台湾华瑞

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

CEM9288CEM2108E(ESD)CEM2182(ESD)CEM9088CEM2152CEM2192CEM8208(ESD)CEM9926A CEM3032 CEM8809 CEM3060 CEM4892CEM3100CEM3120CEM3128CEM3172CEM3178CEM3252CEM3258CEM3254CEM3252LC...

开关电源IC APW7073KE-TRG全新原装 价格优势 茂达大中代理商
开关电源IC APW7073KE-TRG全新原装 价格优势 茂达大中代理商
  • 型号/规格：

    APW7073KE-TRG

  • 品牌/商标：

    大中sinopower

  • 封装形式：

    SOP-14

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

IC描述：同步降压PWM控制器 单12V电源供电要求，0.6V参考电压为1％，关电和软启动功能，可编程频率范围50 kHz～1000kHz，电压模式PWM控制设计，高达100%占空比，欠压保护，过电流保护...

FDB33N25TM 全新原装现货库存250v 33A安森美MOS
FDB33N25TM 全新原装现货库存250v 33A安森美MOS
  • 型号/规格：

    FDB33N25TM

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    D2PAK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

FDB33N25TM FDB52N20TM FDB12N50TM FDB28N30TM FDB44N25TM 原装ON MOS; 有需求的申请特价; 产品概览 FDB33N25: N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V，33A，94mΩ 欲看完整文档，请参阅数据表...

代理韩国信安MOS管 TSD5N50
代理韩国信安MOS管 TSD5N50
  • 型号/规格：

    TSD5N50/TO-252

  • 品牌/商标：

    韩国信安/TRU*EMI

  • 封装形式：

    贴片

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

我司是代理韩国信安TRU*EMI品牌的全系列MOS管，现有大量现货： TSF2N60 TSF5N60 TSF8N60 TSF10N60 TSF12N60 TSD5N50 TSF3N80 等等一系列产品型号，质量*，有需求请联系我！

FGL60N100BNTDTU电焊机逆变器UPS专用原装现货
FGL60N100BNTDTU电焊机逆变器UPS专用原装现货
  • 型号/规格：

    FGL60N100BNTDTU

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    TO-264

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    超大功率

FGL60N100BNTDTU原装现货优势热卖,货源稳定.60A1000V的仙单IGBT主要应用在UPS和光伏逆变器上,具有出色的开关和传导及耐雪崩性能,同样适用于电磁感应加热(IH)应用如IH电饭煲,电磁炉和...

FDN302P P沟道2.5V SOT-23 欢迎咨询
FDN302P P沟道2.5V SOT-23 欢迎咨询
  • 型号/规格：

    FDN302P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

下单之前请先咨询，由于电子流动性快,所以价格不会恒久不变,成本会因来货数量来货渠道以及市场需求量在每一个时期做一定的调整,当来货量高于市场需求量会做下调处理 本公司：IC,可调...

原装UTC 8N80L-TF1-T 场效应管 MOSFET原装
原装UTC 8N80L-TF1-T 场效应管 MOSFET原装
  • 型号/规格：

    8N80L-TF1-T

  • 品牌/商标：

    UTC

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒装管装

  • 功率特征：

    中功率

N-MOS 8A 800V Rdson<1.45R(Max) FEATURES * Typically 35 nC Low Gate Charge * RDS(ON) = 1.45Ω @VGS = 10V * Typically 13 pF Low CRSS * Improved dv/dt Capability ...

NCE6003 60V 3A NCE代理现货MOS管SOT23 举报
NCE6003 60V 3A NCE代理现货MOS管SOT23 举报
  • 型号/规格：

    NCE6003

  • 品牌/商标：

    NCE

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

品牌NCE型号NCE6003种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途SW-REG/开关电源封装外形CHIP/小型片状材料ALGaAS铝镓砷是否跨境货源否货号NCE6003NCE代理,原装,可开17%增票,...

场效应管 TSA20N50
场效应管 TSA20N50
  • 型号/规格：

    TSA20N50 TO-*

  • 品牌/商标：

    TRU*EMI

  • 封装形式：

    塑封//*

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

深圳市美亚科技有限公司创办于2002年，是集成电路设计、生产、销售、以及贸易代理为一体的高科技企业。于2005年又成立了香港分公司即香港美亚科技有限公司。公司立足深圳，业务*世界...

  • 美亚科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：代理商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-28231923-8003

    手机：13923792283

美格纳的MOS管MDF2N60TH
美格纳的MOS管MDF2N60TH
  • 型号/规格：

    MDF2N60TH

  • 品牌/商标：

    美格纳

  • 封装形式：

    TO220F

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

2A 600V TO220F MOS管，代理美格那系列产品，质量*，欢迎洽谈！

  • 飞捷士科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：代理商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-88257825

    手机：15622829450

UTC原厂UF830,原装,假一罚百
UTC原厂UF830,原装,假一罚百
  • 品牌/商标：

    UTC/友顺

  • 型号/规格：

    UF830

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

▲东莞市来特电子有限公司，成立于2005年。为UTC代理,主营整流电源管理IC、MOSFET、二极管(IN4001--IN4007)、稳压二极管和三极管等，所有产品均有很大的优势。▲公司秉承『质量求发展...

MOS场效应管
MOS场效应管
  • 型号/规格：

    DTU40N06

  • 品牌/商标：

    鼎日 din-tek

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市尚鼎芯科技有限公司，品牌:鼎日集团,主营产品：鼎日MOS管，可控硅IGBT，便携式电源方案.提供能够应用于广泛领域的Power MosFET,从用于便携设备，采用精密工序的超低导通电阻部...

NCE70R1K2K
NCE70R1K2K
  • 型号/规格：

    NCE70R1K2K

  • 品牌/商标：

    NCE

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

GeneralDescription Theseriesofdevicesuseadvancedsuperjunction technologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlow gatecharge.ThissuperjunctionMOSFETfitstheindustry’s AC-...

充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片 修改
充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片 修改
  • 型号/规格：

    AUIRFS4310ZTRL

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    S0P

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 用途：

    汽车级MOS

上海慧鲲电子有限公司长期供应充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片，现货1000K库存，欢迎！ ，QQ： 22 4 0，：马经理 上海慧鲲电子有限公司成立于2002年，是一家...

BYV27-200*原装现货*，PHI商
BYV27-200*原装现货*，PHI商
  • 品牌：

    PHILIPS/飞利浦

  • 型号：

    BYV27-200

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    M*金属半导体

深圳市旭*电子有限公司（简称“旭*”）凭着精心严谨的管理及积*进取的精*，分销安森美（ON Semiconductor）、意法半导体(ST)、德州仪器（Texas Instrument...

MOS 场效应管 代理 CEB80N75
MOS 场效应管 代理 CEB80N75
  • 型号/规格：

    CEB80N75

  • 品牌/商标：

    CET

  • 封装形式：

    TO-263

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

1.CET*代理商(若有疑问可直接咨询CET),代理CET全系列MOS产品,长期接受订货,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务. 2.本条产品发布的参数非准确数据,若需要了解此产品详细信息可以在...

进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
  • 型号/规格：

    IRFM460

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-254

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • BVDSS：

    500V

  • ID：

    19A

以下是我司的其他优势产品-IR场效应管，都为原厂，种类齐全，欢迎前来采购！ IRFM460 IRFV140 IRF5M5210 IRFF130 IRFF230 IRFM250 IRFM440 IRFY240 IRFY9130 IRF5Y1310CM IRF044 IRF0...

MOS管FQPF2N60C仙童-飞兆-FAIRCHILD-东芝-ST代理
MOS管FQPF2N60C仙童-飞兆-FAIRCHILD-东芝-ST代理
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格：

    FQPF2N60C

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    TO-220-3 整包

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

FQPF2N60C:600V,4700mO,2A,23W 昆山海驰电子代理，批发原装品牌：IC-可控硅-光耦-场效应管-单片机-二极管-三极管等。授权代理：长电-ST先科-UTC-亿光分销:TOSHIBA(东芝)，FAIRCHILD(...

ANALOGPOWER全系列封装MOS管 ANALOGPOWER代理商
ANALOGPOWER全系列封装MOS管 ANALOGPOWER代理商
  • 型号/规格：

    AM4392N

  • 品牌/商标：

    AnalogPower

  • 封装形式：

    SO-8

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

美国ANALOG POWER专注于MOS管已经11年了，提供全系列中低压MSOFET，提供全套MOSFET解决方案，也可根据客户要求*。 主要服务电脑，通讯，锂电池保护，电源，工业控制等市场。 可*替代N...

MOS管
MOS管
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOT23-3L

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

专门经营各类主动元件(集成电路IC,存储芯片,二三极管等)和被动元件(电阻,电容,电感等)及机电元件(可控硅,场效应管),我们以低成本提供全方位一站式电子元器件供应链采购方案,包括但不...

  • 群英科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：代理商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-82564322

    手机：13418625599

MOSFET行业资讯

  • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

  • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

    基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

    在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

  • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

    德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

  • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

  • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

    在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

  • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

    在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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