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MOSFET

（共找到“28”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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CET华瑞MOS全系列产品
CET华瑞MOS全系列产品
  • 型号/规格：

    CEU12N10L

  • 品牌/商标：

    CET台湾华瑞

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

CEM9288CEM2108E(ESD)CEM2182(ESD)CEM9088CEM2152CEM2192CEM8208(ESD)CEM9926A CEM3032 CEM8809 CEM3060 CEM4892CEM3100CEM3120CEM3128CEM3172CEM3178CEM3252CEM3258CEM3254CEM3252LC...

开关电源IC APW7073KE-TRG全新原装 价格优势 茂达大中代理商
开关电源IC APW7073KE-TRG全新原装 价格优势 茂达大中代理商
  • 型号/规格：

    APW7073KE-TRG

  • 品牌/商标：

    大中sinopower

  • 封装形式：

    SOP-14

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

IC描述：同步降压PWM控制器 单12V电源供电要求，0.6V参考电压为1％，关电和软启动功能，可编程频率范围50 kHz～1000kHz，电压模式PWM控制设计，高达100%占空比，欠压保护，过电流保护...

FDB33N25TM 全新原装现货库存250v 33A安森美MOS
FDB33N25TM 全新原装现货库存250v 33A安森美MOS
  • 型号/规格：

    FDB33N25TM

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    D2PAK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

FDB33N25TM FDB52N20TM FDB12N50TM FDB28N30TM FDB44N25TM 原装ON MOS; 有需求的申请特价; 产品概览 FDB33N25: N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V，33A，94mΩ 欲看完整文档，请参阅数据表...

SPA11N80C3
SPA11N80C3
  • 型号/规格：

    SPA11N80C3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    大功率

  • 电压：

    800V

深圳迈科斯微电子有限公司自2013年3月成立以来，一直致力于为客户提供包括电能表计量通讯、电力电源、充电器、适配器、LED照明电源等各种工业及消费类电子用的全套解决方案。并致力于...

代理韩国信安MOS管 TSD5N50
代理韩国信安MOS管 TSD5N50
  • 型号/规格：

    TSD5N50/TO-252

  • 品牌/商标：

    韩国信安/TRU*EMI

  • 封装形式：

    贴片

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

我司是代理韩国信安TRU*EMI品牌的全系列MOS管，现有大量现货： TSF2N60 TSF5N60 TSF8N60 TSF10N60 TSF12N60 TSD5N50 TSF3N80 等等一系列产品型号，质量*，有需求请联系我！

FGL60N100BNTDTU电焊机逆变器UPS专用原装现货
FGL60N100BNTDTU电焊机逆变器UPS专用原装现货
  • 型号/规格：

    FGL60N100BNTDTU

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    TO-264

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    超大功率

FGL60N100BNTDTU原装现货优势热卖,货源稳定.60A1000V的仙单IGBT主要应用在UPS和光伏逆变器上,具有出色的开关和传导及耐雪崩性能,同样适用于电磁感应加热(IH)应用如IH电饭煲,电磁炉和...

FDN302P P沟道2.5V SOT-23 欢迎咨询
FDN302P P沟道2.5V SOT-23 欢迎咨询
  • 型号/规格：

    FDN302P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

下单之前请先咨询，由于电子流动性快,所以价格不会恒久不变,成本会因来货数量来货渠道以及市场需求量在每一个时期做一定的调整,当来货量高于市场需求量会做下调处理 本公司：IC,可调...

原装UTC 8N80L-TF1-T 场效应管 MOSFET原装
原装UTC 8N80L-TF1-T 场效应管 MOSFET原装
  • 型号/规格：

    8N80L-TF1-T

  • 品牌/商标：

    UTC

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒装管装

  • 功率特征：

    中功率

N-MOS 8A 800V Rdson<1.45R(Max) FEATURES * Typically 35 nC Low Gate Charge * RDS(ON) = 1.45Ω @VGS = 10V * Typically 13 pF Low CRSS * Improved dv/dt Capability ...

NCE6003 60V 3A NCE代理现货MOS管SOT23 举报
NCE6003 60V 3A NCE代理现货MOS管SOT23 举报
  • 型号/规格：

    NCE6003

  • 品牌/商标：

    NCE

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

品牌NCE型号NCE6003种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途SW-REG/开关电源封装外形CHIP/小型片状材料ALGaAS铝镓砷是否跨境货源否货号NCE6003NCE代理,原装,可开17%增票,...

场效应管 TSA20N50
场效应管 TSA20N50
  • 型号/规格：

    TSA20N50 TO-*

  • 品牌/商标：

    TRU*EMI

  • 封装形式：

    塑封//*

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

深圳市美亚科技有限公司创办于2002年，是集成电路设计、生产、销售、以及贸易代理为一体的高科技企业。于2005年又成立了香港分公司即香港美亚科技有限公司。公司立足深圳，业务*世界...

  • 美亚科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：代理商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-28231923-8003

    手机：13923792283

美格纳的MOS管MDF2N60TH
美格纳的MOS管MDF2N60TH
  • 型号/规格：

    MDF2N60TH

  • 品牌/商标：

    美格纳

  • 封装形式：

    TO220F

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

2A 600V TO220F MOS管，代理美格那系列产品，质量*，欢迎洽谈！

  • 飞捷士科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：代理商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-88257825

    手机：15622829450

UTC原厂UF830,原装,假一罚百
UTC原厂UF830,原装,假一罚百
  • 品牌/商标：

    UTC/友顺

  • 型号/规格：

    UF830

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

▲东莞市来特电子有限公司，成立于2005年。为UTC代理,主营整流电源管理IC、MOSFET、二极管(IN4001--IN4007)、稳压二极管和三极管等，所有产品均有很大的优势。▲公司秉承『质量求发展...

MOS场效应管
MOS场效应管
  • 型号/规格：

    DTU40N06

  • 品牌/商标：

    鼎日 din-tek

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市尚鼎芯科技有限公司，品牌:鼎日集团,主营产品：鼎日MOS管，可控硅IGBT，便携式电源方案.提供能够应用于广泛领域的Power MosFET,从用于便携设备，采用精密工序的超低导通电阻部...

NCE70R1K2K
NCE70R1K2K
  • 型号/规格：

    NCE70R1K2K

  • 品牌/商标：

    NCE

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

GeneralDescription Theseriesofdevicesuseadvancedsuperjunction technologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlow gatecharge.ThissuperjunctionMOSFETfitstheindustry’s AC-...

充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片 修改
充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片 修改
  • 型号/规格：

    AUIRFS4310ZTRL

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    S0P

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 用途：

    汽车级MOS

上海慧鲲电子有限公司长期供应充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片，现货1000K库存，欢迎！ ，QQ： 22 4 0，：马经理 上海慧鲲电子有限公司成立于2002年，是一家...

BYV27-200*原装现货*，PHI商
BYV27-200*原装现货*，PHI商
  • 品牌：

    PHILIPS/飞利浦

  • 型号：

    BYV27-200

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    M*金属半导体

深圳市旭*电子有限公司（简称“旭*”）凭着精心严谨的管理及积*进取的精*，分销安森美（ON Semiconductor）、意法半导体(ST)、德州仪器（Texas Instrument...

MOS 场效应管 代理 CEB80N75
MOS 场效应管 代理 CEB80N75
  • 型号/规格：

    CEB80N75

  • 品牌/商标：

    CET

  • 封装形式：

    TO-263

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

1.CET*代理商(若有疑问可直接咨询CET),代理CET全系列MOS产品,长期接受订货,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务. 2.本条产品发布的参数非准确数据,若需要了解此产品详细信息可以在...

进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
  • 型号/规格：

    IRFM460

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-254

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • BVDSS：

    500V

  • ID：

    19A

以下是我司的其他优势产品-IR场效应管，都为原厂，种类齐全，欢迎前来采购！ IRFM460 IRFV140 IRF5M5210 IRFF130 IRFF230 IRFM250 IRFM440 IRFY240 IRFY9130 IRF5Y1310CM IRF044 IRF0...

MOS管FQPF2N60C仙童-飞兆-FAIRCHILD-东芝-ST代理
MOS管FQPF2N60C仙童-飞兆-FAIRCHILD-东芝-ST代理
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格：

    FQPF2N60C

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    TO-220-3 整包

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

FQPF2N60C:600V,4700mO,2A,23W 昆山海驰电子代理，批发原装品牌：IC-可控硅-光耦-场效应管-单片机-二极管-三极管等。授权代理：长电-ST先科-UTC-亿光分销:TOSHIBA(东芝)，FAIRCHILD(...

ANALOGPOWER全系列封装MOS管 ANALOGPOWER代理商
ANALOGPOWER全系列封装MOS管 ANALOGPOWER代理商
  • 型号/规格：

    AM4392N

  • 品牌/商标：

    AnalogPower

  • 封装形式：

    SO-8

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

美国ANALOG POWER专注于MOS管已经11年了，提供全系列中低压MSOFET，提供全套MOSFET解决方案，也可根据客户要求*。 主要服务电脑，通讯，锂电池保护，电源，工业控制等市场。 可*替代N...

MOSFET行业资讯

  • Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-23]

    Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件...

  • Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-17]

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  • 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合[2024-09-29]

    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满...

  • ST推出第四代SiC MOSFET[2024-09-27]

    意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。　　新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引逆变器进行了优化，这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...

  • 英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET[2024-09-23]

    英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET。　　英飞凌 135V OptiMOS 6 封装　　其中有 10 种封装可供选择：7 针 D2PAK（TO-263）、3.3 x 3.3mm PQFN、SuperSO8、TO-220、TO-Leadless（HSOF-8）、TOLG（HSOG-8）或 TOLT（HDSOP-16）。...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

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