CEU12N10L
CET台湾华瑞
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
CEM9288CEM2108E(ESD)CEM2182(ESD)CEM9088CEM2152CEM2192CEM8208(ESD)CEM9926A CEM3032 CEM8809 CEM3060 CEM4892CEM3100CEM3120CEM3128CEM3172CEM3178CEM3252CEM3258CEM3254CEM3252LC...
电话：076987050062
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UTC/友顺
UF830
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
▲东莞市来特电子有限公司，成立于2005年。为UTC代理,主营整流电源管理IC、MOSFET、二极管(IN4001--IN4007)、稳压二极管和三极管等，所有产品均有很大的优势。▲公司秉承『质量求发展...
电话：0769-33268359
手机：13790353210
CEB80N75
CET
TO-263
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
1.CET*代理商(若有疑问可直接咨询CET),代理CET全系列MOS产品,长期接受订货,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务. 2.本条产品发布的参数非准确数据,若需要了解此产品详细信息可以在...
电话：0769-86717085
手机：13580999598
SMD(SO)/表面封装
IPD135N08N3G
13+
N-FET硅N沟道
INFINEON/英飞凌
MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物
结型(JFET)
增强型
中盈科电子主营：IC系列产品，电容、电阻（0201-2512大小功率一系列）、排阻、可调电阻、涤纶电容、钽质电容、电感、磁珠、二极管、三极管、整流管、发光管、保险管以及各名厂IC等，...
电话：0769-22383933
手机：18938164395
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...
