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IGBT模块

(共找到“449”条查询结果)
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  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装:

    管装

型号:FGA25N120ANDTU 品牌:仙童 标准包装:450 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT- 单路 晶体管类型::绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 集电极直流电流::50A 饱和电压, Vce sat ::2.5V 功耗, Pd::312W 电压, Vceo::1.2kV 工作温度范围::-55°C 到...

  • 型号/规格:

    CM400DY-24A

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 批次:

    18+

  • 封装:

    MODULE

型号:CM400DY-24A CM400DY-24A Powerex Inc IGBT MOD DUAL 1200V 400A A SER ROHS 无铅 标准包装:1 类别:分立式导体产品 家庭:IGBT - 模块 系列:IGBTMOD&...

  • 型号/规格:

    KGF75N60KDB-U/P

  • 品牌/商标:

    KEC

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装方式:

    管带包装

  • 封装:

    TO-247

KEC韩国泰进KGF75N60KDB-U/P 场效应管 KEC韩国泰进KGF75N60KDB-U/P场效应管相关资料: 场效应管:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(j...

  • 型号/规格:

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商标:

    中兴

  • 环保类别:

    无铅环保型

需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来电咨询。 需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来电咨询。 需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来电咨询。 需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来...

  • 型号/规格:

    AP85GT33SW

  • 品牌/商标:

    AP/富鼎

  • 环保类别:

    无铅环保型

AP85GT33SW,TO-3P,DIP/IGBT,带二极管,330V,90A, 产品型号:AP85GT33SW 封装:TO-3P 品牌:AP/富鼎 源漏极间雪崩电压VCES(V):330 夹断电压VGE:±30 漏极电流IC(A):90 开启电压VGE(TH)(V):6 功率PD(W):150 输入电容Cies(PF):2800 typ. 通道极性:N沟道 低...

  • 型号/规格:

    NCE40TD120T

  • 品牌/商标:

    NCE新节能

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    TO-247-3L

  • 集电极发射极电压:

    1200V

  • 栅极发射极电压:

    ±30v

薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一,大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜,如半导体主动层、介电层和金属电极层,薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。它的...

  • 型号/规格:

    DD200KB160

  • 品牌/商标:

    SanRex(三社)

  • 环保类别:

    无铅环保型

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电...

  • 型号/规格:

    PSS15SF6-AG15

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    MODULE

PSS15SF6-AG15 IGBT 模块 日本三菱MITSUBISHI 公司介绍 深圳市欧昇科技有限公司于2006年进军深圳市场。是一家大型而的IC(集成电路)代理分销商。主营品牌有三菱,MICROCHI单片机、AD、TI、BB、ST、NXP、ON、MAX、LITTELFUSE等电子无器件。 为应广大客户的需...

  • 型号/规格:

    IRG4PC50WPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装方式:

    盘装

  • 安装方式:

    SMD/SMT

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 <span style="text-alig...

  • 型号/规格:

    MMD240S160B

  • 品牌/商标:

    MACMIC宏徽

  • 环保类别:

    普通型

  • 封装材料:

    树脂封装

  • 封装外形:

    其他

  • 关断速度:

    普通

  • 散热功能:

    其它

MMD70E120X MMD70E160X MMD70E180X MMD100E120X MMD100E160X MMD100E180X MMD150F120X MMD150F160X MMD150F180X MMD200F120X MMD200F160X MMD200F180X MMD250F120X MMD250F160X MMD25...

  • 型号/规格:

    PRIME2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    普通型

  • 单位重量:

    825 g

  • 宽度:

    89 mm

产品种类: IGBT 模块 制造商: Infineon 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Dual 集电极—发射极电压 VCEO: 1700 V 集电极—射极饱和电压: 2.45 V 在25 C的连续集电极电流: 930 A 栅极...

  • 型号/规格:

    2MBI50F-050

  • 品牌/商标:

    FUJI

  • 环保类别:

    普通型

公司现货

  • 型号/规格:

    APTGT50SK170T1G

  • 品牌/商标:

    Microsemi

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 集电极—发射极电压 VCEO:

    1.7 kV

  • 在25 C的连续集电极电流:

    75 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • Pd-功率耗散:

    312 W

IGBT 模块APTGT50SK170T1GMicrosemi原装现货 IGBT 模块APTGT50SK170T1G IGBT 模块APTGT50SK170T1G IGBT 模块APTGT50SK170T1G 制造商: Microsemi 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 ...

  • 型号/规格:

    F3L150R07W2E3_B11

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电源电源:

    650V

  • 电源电流:

    150V

  • 品牌:

    INFINEON/英飞凌

英飞凌F3L150R07W2E3_B11 全新原装IGBT模块 型号 :F3L150R07W2E3_B11 全新原装,大量现货,1只起售,热烈欢迎新老客户前来咨询.接受长期订单 产地:德国 电流:150A,电压:650V. 承诺全新...

  • 型号/规格:

    MSK4300-HD

  • 品牌/商标:

    MSK

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电机电源电压:

    75伏

  • 输出开关能力:

    10安培

  • 批次:

    批次

  • 备注:

    进口原装

MSK4300-HD MSK4300-HD MSK4300-HD 特征: 75伏电机电源电压 10安培输出开关能力,全N通道MOSFET输出桥 100%工作循环高压侧导通 适用于从直流到100kHz的PWM应用 射穿/交叉传导保护 欠...

  • 型号/规格:

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

型号: BSM150GX120DN2 品牌:英飞凌 封装: 批号:08+ 数量:340 我司常备原装现货,质量保证,价格优势,欢迎咨询洽谈!! ==========================================深圳市信泰瑞达科技有限公司/廖立斌ADD:深圳市福田区华强北振兴路华发大厦5楼商务中心#...

  • 型号/规格:

    AP20N15GI-HF

  • 品牌/商标:

    APEC台湾富鼎

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    12500

  • 封装:

    TO-220CFM

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor-IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor-GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也...

  • 型号/规格:

    CM75E3U-12H

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI

  • 环保类别:

    无铅环保型

供应IGBT模块。平讯达电子更多新产品请你登陆:http://www.pxddz.com/企业网进入站查看咨询。

  • 型号/规格:

    2单元300A500V

  • 品牌/商标:

    FUJI

  • 环保类别:

    普通型

光丰模块,欢迎订购!,.蔡。

  • 型号/规格:

    FS225R12KE3/AGDR-82C

  • 品牌/商标:

    ABB

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 价格:

    12660.0

FS225R12KE3/AGDR-82C FS225R12KE3/AGDR-81C FS225R17KE3/AGDR-81C FS225R17KE3/AGDR-82C FS225R12KE3/AGDR-82C FS225R17KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-82C FS300R12KE3/AGDR-82C FS450R12KE3/AGDR-81C FS450R12K...

  • 上海艾斯达电子
  • 供应商等级:
  • 企业类型:经销商
  • 地区:上海上海市
  • 电话:021-51035787

    手机:13764678882

IGBT模块行业资讯

  • Power Integrations的新型SCALE-iFlex LT即插即用型门极驱动器可将EconoDUAL IGBT模块的性能提高20%[2021-09-13]

    PowerIntegrations推出新型即插即用型SCALE-iFlexLT双通道门极驱动器。新型驱动器可将多个并联EconoDUAL模块的性能提高20%,使用户可以从功率逆变器和变换器堆栈中节省每六个模块中的一个。除了节省驱动器和模块的成本外,这还降低了控制复杂性以及与模块、接...

  • 工信部:持续推进芯片、器件及IGBT模块产业发展[2019-10-09]

    关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函   民进9组:   你们提出的《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案》收悉。经商发展改革委,现答复如下:   集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,其技...

  • 工信部:持续推进芯片、器件及IGBT模块产业发展[2019-10-09]

    随着全球气候变化和城市化对传统农业的影响,植物照明的需求和能耗不断扩大,同时随着LED照明技术的成熟和普及,LED照明也开始与农业应用结合,LED植物照明成为LED行业的一个利基市场。我国LED植物产业已形成产业集群,LED植物照明优势明显,将加速其市场渗透...

  • 上汽英飞凌 第10万只IGBT模块下线[2019-05-08]

    供货十万只,零市场投诉,用完美的成绩向所有客户表达上汽英飞凌追求质量标准的决心和信心。4月29日,上汽英飞凌举迎来第10万只IGBT模块下线及芯片焊接线成功量产。  据悉,电力电子驱动模块(IGBT)属于能源转换与传输的核心器件,被广泛用于混合动力...

  • 一文读懂IGBT模块特点及技术发展趋势[2019-03-30]

    作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面,如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备,以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面,IGBT用于...

什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
  • IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A.

  • Littelfuse推出高额定值的IGBT模块功率半导体产品[2014-11-19]

    Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A。

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