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IGBT模块

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  • 型号/规格:

    2MBI50F-050

  • 品牌/商标:

    FUJI

  • 环保类别:

    普通型

公司现货

  • 型号/规格:

    APTGT50SK170T1G

  • 品牌/商标:

    Microsemi

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 集电极—发射极电压 VCEO:

    1.7 kV

  • 在25 C的连续集电极电流:

    75 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • Pd-功率耗散:

    312 W

IGBT 模块APTGT50SK170T1GMicrosemi原装现货 IGBT 模块APTGT50SK170T1G IGBT 模块APTGT50SK170T1G IGBT 模块APTGT50SK170T1G 制造商: Microsemi 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 ...

  • 型号/规格:

    IRG4PC50WPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装方式:

    盘装

  • 安装方式:

    SMD/SMT

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 <span style="text-alig...

  • 型号/规格:

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

型号: BSM150GX120DN2 品牌:英飞凌 封装: 批号:08+ 数量:340 我司常备原装现货,质量保证,价格优势,欢迎咨询洽谈!! ==========================================深圳市信泰瑞达科技有限公司/廖立斌ADD:深圳市福田区华强北振兴路华发大厦5楼商务中心#...

  • 型号/规格:

    MSK4300-HD

  • 品牌/商标:

    MSK

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电机电源电压:

    75伏

  • 输出开关能力:

    10安培

  • 批次:

    批次

  • 备注:

    进口原装

MSK4300-HD MSK4300-HD MSK4300-HD 特征: 75伏电机电源电压 10安培输出开关能力,全N通道MOSFET输出桥 100%工作循环高压侧导通 适用于从直流到100kHz的PWM应用 射穿/交叉传导保护 欠...

  • 型号/规格:

    FGS15N40LTF,IGBT,SOP-8,400V,15A,不带二极管

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    普通型

&amp;lt;友情提示&amp;gt;具体价格视当天市场行情而定.买家请通过或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您! 全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 FGS15N40LTF,SOP-8,400V,15A,08NPB SGR15N40L,SOT-252,400V,130A,07...

  • 型号/规格:

    PSD 192-16

  • 品牌/商标:

    宝德芯

  • 环保类别:

    普通型

  • 电流:

    192

  • 电压:

    1600

上海森港电子科技有限公司,是IGBT以及配套驱动网上供应商,公司自1998年成立以来就一直推广IGBT以配套驱动,传咸器产品.公司和国际半导体企业:德国Infineon、Semikron、瑞士Concept,...

  • 型号/规格:

    CM200DY-12H

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 电压 - 集射极击穿(值:

    600V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(值):

    200A

  • 功率 - 值:

    780W

产品型号 CM200DY-12H 类别 分立半导体产品 家庭 IGBT - 模块 系列 IGBTMOD&amp;#129;&amp;#8482; IGBT 类型 - 配置 半桥 电压 - 集射极击穿(值) 600V 电流 - 集电极 (Ic)...

  • 型号/规格:

    DDB6U85N16L

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    MODULE

制造商: Infineon 产品种类: 分立半导体模块 RoHS: 详细信息 产品: Schottky Diode Modules 类型: Rectifier Diode Module 技术: SiC Vf - 正向电压: 1.44 V Vr - 反向电压 : 1.6 kV Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V 安装风格: Chassis Mount 封装 / ...

  • 型号/规格:

    AP20N15GI-HF

  • 品牌/商标:

    APEC台湾富鼎

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 批号:

    18+

  • 数量:

    12500

  • 封装:

    TO-220CFM

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor-IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor-GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也...

  • 型号/规格:

    CM75E3U-12H

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI

  • 环保类别:

    无铅环保型

供应IGBT模块。平讯达电子更多新产品请你登陆:http://www.pxddz.com/企业网进入站查看咨询。

  • 型号/规格:

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商标:

    中兴

  • 环保类别:

    无铅环保型

需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来电咨询。 需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来电咨询。 需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来电咨询。 需要看更详细情况,可以联系陈 原装真实深圳现货。欢迎来...

  • 型号/规格:

    FS225R12KE3/AGDR-82C

  • 品牌/商标:

    ABB

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 价格:

    12660.0

FS225R12KE3/AGDR-82C FS225R12KE3/AGDR-81C FS225R17KE3/AGDR-81C FS225R17KE3/AGDR-82C FS225R12KE3/AGDR-82C FS225R17KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-82C FS300R12KE3/AGDR-82C FS450R12KE3/AGDR-81C FS450R12K...

  • 上海艾斯达电子
  • 供应商等级:
  • 企业类型:经销商
  • 地区:上海上海市
  • 电话:021-51035787

    手机:13764678882

  • 型号/规格:

    IKW30N60H3FKSA1

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    普通型

  • 批号:

    21+

  • 安装类型:

    表面贴装型

产品简介: IKW30N60H3FKSA1晶体管IGBT 类型 IKW30N60H3FKSA1晶体管IGBT描述全选类别分立半导体产品晶体管IGBT单 IGBT制造商Infineon Technologies系列TrenchStop包装管件产品状态在...

  • 型号/规格:

    FF300R12KS4

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 发货地:

    北京

产品信息(PRODUCT INFORMATION):高频开关双管IGBT功率模块 品牌(BRAND):英飞凌 (INFINEON) 规格(STANDARD):300A/1200V/IGBT/2U ,详见pdf资料 货品状况:全新 (100% NEW) 质保(WARRANTY):45天(45 DAYS) 批号(D/C):2023+ 数量(QTY):103 货期(LEAD TIME)...

  • 型号/规格:

    WSS-TLP521

  • 品牌/商标:

    WSS

  • 环保类别:

    无铅环保型

MOSFET,结型场效应管,IGBT模块,IPM模块,GTR达林顿模块,规格齐全,原装,欢迎来电咨询洽谈!!!

  • 型号/规格:

    AO8810

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 批号:

    22+

  • 产品名称:

    共漏双n通道增强模场效应晶体管

概述 AO8810/L采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性...

  • 型号/规格:

    FF300R12KS4

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    普通型

  • 1:

    300A

  • 2:

    1200V

  • 3:

    2管

  • 4:

    普通

北京恒达万信科技有限公司代理销售美国,日本, 欧洲产电子元件:功率模块 IGBT,IPM,可控硅,整流桥,二极管,场效应,快熔及驱动电路.厂家:三菱(MITSUBISHI),富士(FUSI),东芝(TOSHIBA),三社...

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装:

    管装

型号:FGA25N120ANDTU 品牌:仙童 标准包装:450 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT- 单路 晶体管类型::绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 集电极直流电流::50A 饱和电压, Vce sat ::2.5V 功耗, Pd::312W 电压, Vceo::1.2kV 工作温度范围::-55&#176;C 到...

  • 型号/规格:

    FP15R12KE3

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    普通型

  • 包装:

    1

FP15R12KE3 IGBT 模块 原装现货BOM配单 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Hex 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 在25 C的连续集电极电流: 27 ...

IGBT模块行业资讯

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2024-01-02]

    深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...

  • Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2024-01-02]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...

  • 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2023-12-25]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2023-12-14]

    适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...

  • 1200 V 900 A 双 IGBT模块--FF900R12IE4[2023-10-13]

    PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块,采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。  特征描述  提高工作结温 Tvj op  高直流电压稳定性  高短路能力,自限制短路电流  低开关损耗...

什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
  • IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块上的续流二极管(续流二极管作用)[2022-12-23]

    IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢?  当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。  我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。  电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。  但变频器实际是要驱动电机的,接在电...

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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