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IGBT模块

（共找到“27”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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场效应管45NM50，45NM60
场效应管45NM50，45NM60
  • 型号/规格：

    45NM50

  • 品牌/商标：

    IOR

  • *类别：

    普通型

长期供应集成电路IC,二*管,三*管,肖特基,快恢复二*管,场效应管,电容硅桥,排桥,等电子元件,有意请来电咨询洽谈!!!http://www.rightdz.com

  • 莱特电子有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东揭阳

    • 电话：0663-2341643

IGBT系列变频功率模块
IGBT系列变频功率模块
  • 型号/规格：

    TDM

  • 品牌/商标：

    晶鸿

  • *类别：

    无铅*型

公司是一家从事半导体器件研制开发、生产和销售的*骨干企业，生产各类*、民用大功率三*管（3DD、2SD、2N、3DF、BU、3CF、3DA，）、高反压大功率开关管（3DK系列）、达林顿功率三*管（FH、YZ系列)、扁平型*功率晶体管模块（300W\500W\1000W）、场效应管（IRF系...

  • 衡阳晶体管有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:湖南衡阳

    • 电话：0734-8490333

    手机：13875624209

IGBT-400A600V单管-3P，全新产品大功率场效应管
IGBT-400A600V单管-3P，全新产品大功率场效应管
  • 型号/规格：

    40N60

  • 品牌/商标：

    kevin

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • Ic：

    40A

  • Bvce：

    600V

【购买须知】 1、小批量与整盘价格：整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁，暂不能实时更新在线价格，购买前请务必咨询客服后，再拍产品。 2、订单金额：当前总金额低于100元的订单...

现货EUPEC IGBT模块FS100R12KT3
现货EUPEC IGBT模块FS100R12KT3
  • 型号/规格：

    FS100R12KT3

  • 品牌/商标：

    EUPEC

  • *类别：

    无铅*型

EUPEC IGBT模块FS100R12KT3 100A/1200V六单元

GD300HFL120C2S_G4半导体IGBT模块
GD300HFL120C2S_G4半导体IGBT模块
  • 型号/规格：

    GD300HFL120C2S_G4

  • 品牌/商标：

    HAR

  • 环保类别：

    普通型

供应GD300HFL120C2S_G4半导体IGBT模块 GD300TLT120C2S GD300TLL120C2S GD300TLK120C2S GD300SGU120C2S GD300SGT170C2S GD300SGT120C2S GD300SGL170C2S GD300SGL120C2S GD300SGK120C2S GD300MPT65C6S GD300MNT65C6S GD300MLT60C2S GD300MLT120C2S GD300MLL120C...

*压IGBT管子IXGH6N170
*压IGBT管子IXGH6N170
  • 型号/规格：

    IXGH6N170

  • 品牌/商标：

    IXYS

  • *类别：

    普通型

*拆机件，IXYS公司，1700V 12A

  • 温岭东升电子
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:浙江台州

    • 电话：0576-86994176

    手机：13858675848

上银HIMIN导轨机床丝杆,EGW25CB*,安昂传动
上银HIMIN导轨机床丝杆,EGW25CB*,安昂传动
  • 型号/规格：

    1

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • *类别：

    普通型

上银HIMIN导轨机床丝杆,EGW25CB*,安昂传动 公司名：东莞市安昂五金机电有限公司 地址：东莞市南城区胜和路段美佳大厦B505 ：于龙全 手机： ： ：@qq.com 传真： http://www.vipdo.cn/ http://www.aa-nsk.com 上银HIWIN导轨产品特性：高、高刚度、低噪音、装配...

EUPEC/英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4
EUPEC/英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4
  • 型号/规格：

    FZ1200R16KF4

  • 品牌/商标：

    EUPEC/英飞凌

  • *类别：

    普通型

（1）600V IGBT ① 半桥（2单元） BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM200GB60DLC BSM150GB60DLC BSM300GB60DLC FF400R06ME3 FF200R06ME3 FF300R06ME3 FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3 ② H桥（4单元） F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4...

水冷板eag*
水冷板eag*
  • 型号/规格：

    eag*

  • 品牌/商标：

    eag*

  • *类别：

    普通型

上海鹰峰电子科技有限公司（EAGTOP）研发生产水冷板，*工艺种类有：钻孔式、压管式、组装式、摩擦焊式、电子束焊式、真空钎焊式。 水冷板是一种IGBT、GTO等功率元件*散热器，控制功率模块的温度，使其在所处的工作环境条件下不*过标准及规范所规定的温度，允...

集成IGBT变频器模块
集成IGBT变频器模块
  • 型号/规格：

    WX-IGBT，IGBT90

  • 品牌/商标：

    捷普

  • *类别：

    无铅*型

产品用途： 集成IGBT变频器模块是交流电机理想的调速产品，它在频率范围、动态响应、调速、低频转矩、转差补偿、通讯功能、智能控制、功率因数、工作效率等方面有其*的*性能。它以体积小、重量轻、通用*、应用领域宽、保护功能完善、*性高、操作方便、*等特点...

逆变IGBT模块工作原理、IGBT模块LVH300G1202Z（西玛华晶）
逆变IGBT模块工作原理、IGBT模块LVH300G1202Z（西玛华晶）
  • 型号/规格：

    LVH300G1202Z

  • 品牌/商标：

    西玛华晶

  • *类别：

    无铅*型

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅*驱动器能被广泛的接受和使用，这不*是因其所具有的高输出电流驱动能力...

钨针、导电嘴、喷嘴、导电杆、*缘套、气筛
钨针、导电嘴、喷嘴、导电杆、*缘套、气筛
  • 型号/规格：

    钨针、导电嘴、喷嘴、导电杆、*缘套、气筛

  • 品牌/商标：

    钨针、导电嘴、喷嘴、导电杆、*缘套、气筛

  • *类别：

    无铅*型

钢木家俱等铝、镁、不锈钢、铜、钛、低碳钢实现铝材及多种材料的*焊接IGBT控制交、直流TIG弧焊电源实现铝材及多种材料的*焊接晶闸管控制CO2/MAG焊机*4种功能的普及机型！＜BR＞ *适合粗丝大电流焊接！产品名称： 晶闸管控制交、直流TIG弧焊电源功能众多，用途...

富士电机碳化硅混合IGBT
富士电机碳化硅混合IGBT
  • 型号/规格：

    FUJI

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • *类别：

    无铅*型

香港威柏电子(Westpac Electronics)创办於1992年，为日本富士电机(FUJI ELE*RIC)半导体器件之中国及香港地区代理。主要产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士电机简介： 富士电机早...

IGBT
IGBT
  • 型号/规格：

    600V

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • *类别：

    普通型

产品主要用于变频器、电焊机、感应加热、控制柜、太阳能、风能等。

  • 广成集团
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0731-22832891

    手机：15364208619

富士IGBT模块*原装
富士IGBT模块*原装
  • 型号/规格：

    2*300N-060

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • *类别：

    无铅*型

富士IGBT模块，FUJI IGBT模块， 富士电机IGBT，日本富士IGBT模块，*IGBT模块，*IGBT模块，富士IGBT模块现货，*原装，*库存。 "N"系列1200V IGBT模块已经停产,请选用"P"系列或"S"系列以及第五代&qu...

MOSFET、IGBT驱动器IR2118S(直插)
MOSFET、IGBT驱动器IR2118S(直插)
  • 型号/规格：

    IR2118S

  • 品牌/商标：

    IR

  • *类别：

    无铅*型

批号 -- 封装 DIP 营销方式 现货 产品性质 * 制作工艺 半导体集成 集成程度 小规模 工作温度 0~70（℃） IR2118S：MOSFET、IGBT驱动器 封装：直插（DIP） *原装，大型厂家生产，价格便宜，质量有*，有*现货，买多有优惠! 地址：武汉市洪山区珞瑜路158号华中电...

IGBT驱动器QC962和QC841
IGBT驱动器QC962和QC841
  • 型号/规格：

    QC962和QC841

  • 品牌/商标：

    MORNSUN

  • *类别：

    无铅*型

品牌 MORNSUN 型号 QC962和QC841 应用范围 稳压/恒压 类别名称:混合集成IGBT 驱动器A、QC841 是一种混合集成型IGBT 驱动器，内部集成高共模抑制比和高隔离电压的*光耦，可实现功率半导体器件与控制电路之间的*电气隔离。通过检测IGBT 的集电*欠饱和压降来实现...

A8439 IGBT驱动器 闪光灯电容充电IC
A8439 IGBT驱动器 闪光灯电容充电IC
  • 型号/规格：

    A8439

  • 品牌/商标：

    Allegro

  • *类别：

    无铅*型

品牌 Allegro 型号 A8439 批号 09+ 封装 10 pin TDFN/MLP 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 数模混合信号 制作工艺 混合集成 导电类型 双*型 集成程度 中规模 规格尺寸 4X4（mm） 工作温度 0~70（℃） 静态功耗 0.01（mW） 特点 由 1 枚锂离子或 2 枚碱性/...

东芝大功率IGBT模块 MG75Q1JS50
东芝大功率IGBT模块 MG75Q1JS50
  • 型号/规格：

    MG75Q1JS50

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA

  • *类别：

    无铅*型

批号 09+10**原装 封装 75A.1200V 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双*型 集成程度 大规模 工作温度 -40~125（℃） 深圳市伟信达电子有限公司是国内市场*早的MOS－FET（SOP-8系列）元件的经销商之一，专营品牌有 VI...

单管大功率IGBT模块 驱动器KB102驱动
单管大功率IGBT模块 驱动器KB102驱动
  • 型号/规格：

    KB102

  • 品牌/商标：

    落木源电子

  • *类别：

    无铅*型

批号 0820 封装 SIP 特点· 单管大功率IGBT模块驱动器。· 变压器信号耦合，延迟小，工作频率高。· 工作占空比5－95％。· 输入信号幅值4.5－7V，或3－4.5V。· 可按默认值直接使用，也可根据需要调节盲区时间、软...

IGBT模块行业资讯

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2024-01-02]

    深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...

  • Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2024-01-02]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...

  • 全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2023-12-25]

    许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...

  • Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2023-12-14]

    适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器　　深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...

  • 1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4[2023-10-13]

    PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。　　特征描述　　提高工作结温 Tvj op　　高直流电压稳定性　　高短路能力，自限制短路电流　　低开关损耗...

什么是IGBT模块?

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

  • 目录

    IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块上的续流二极管（续流二极管作用）[2022-12-23]

    IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？　　当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。　　我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。　　电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。　　但变频器实际是要驱动电机的，接在电...

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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