TDM
晶鸿
无铅*型
公司是一家从事半导体器件研制开发、生产和销售的*骨干企业,生产各类*、民用大功率三*管(3DD、2SD、2N、3DF、BU、3CF、3DA,)、高反压大功率开关管(3DK系列)、达林顿功率三*管(FH、YZ系列)、扁平型*功率晶体管模块(300W\500W\1000W)、场效应管(IRF系...
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手机:13875624209
近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢? 当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。 电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的,接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...
如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...