MSM82C54-2GS
OKI
无铅环保型
MSM82C54-2G
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MSM82C54-2G
18929629886
可编程定时器IC
高价回收MSM82C54-2GS 回收中频ic、收购电源ic、回收蓝牙ic、收购功放ic、回收WIFI等手机芯片，公司在深圳、东莞、惠州、上海、苏州、香港等地均设有办事点，全国各地均可上门合作洽...
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SGH40N60UFD
FSC
无铅*型
适用于开关电源。电焊机。UPS ，PFC，逆变电源等电路 SGH23N60UFD 23A 600V IGBT *童 SGH40N60UFD 40A 600V IGBT *童 SGH80N60UFD 80A600V IGBT *童 SGL160N60UFD 160A 600V IGBT *童 科联提供*原装产品，欢迎来联系
电话：0755-88377193
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CM100DY-24A
MITSUBISHI（三菱）
无铅环保型
产品特性： 采用CSTBTTM硅片技术 饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小 比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装 本公司从事电源模块、IGBT及相关配件、元器件产品的代理、分销。渠道正规，。 公司建立三...
电话：021-64832037
手机：13391193711
CM600HA-24H
MITSUBISHI（三菱）
无铅环保型
上海新隆电子有限公司，销售世界各大品牌的功率模块，有IR.IXYS.三肯.PRX.泰科.三社.丹弗斯.日立,英达. Mitsubishi.ABB .Fujitsu.东芝.英飞凌.欧佩克.西门子.西门康。等系列产品，有IGBT，整流桥.二极管,可控硅，IPM，GTR，熔断器，晶闸管等, 我们以的质量，...
电话：021-63461338
手机：18221065881
IKW50N60T
INFINEON（英飞凌）
无铅*型
IKW50N60T，采用 TO-247封装方式。 制造商: Infineon产品种类: IGBT 晶体管封装 / 箱体: TO-247集电*—发射*电压 VCEO: 600 V栅*/发射*电压: +/- 20 V集电*连续电流 Ic: 80 A 封装: Tube配置: Single工作温度: + 175 C工作温度: - 40 C安装风格: Through Hole
电话：0755-13590350508
手机：13590350508
品牌:西门康 型号:SKM200GB128D 批号:08 封装:模块 营销方式:现货 产品性质:新品上海资发实业科技有限公司。我公司是一的功率模块、集成电路、机电设备和液压元件供应商。专营日本三菱、富士、东芝；美国快捷、ABB、IR、TYCO；德国IXYS、西门子、欧派克、西门康等公司IGBT、场效应管、达林顿、IPM、PIM、GTR、三相整流桥、...
电话：021-68361005
手机：18916576762
AP50G60SW
富鼎*
无铅*型
Part Number Package Vces Vge Ic (A) PD (W) AP50G60SW TO-*(W) 300 产品广泛运用于电磁炉，电焊机，变频器上！ 具体资料欢迎来电咨询！ 公司本着真诚服务,互惠互利的原则,跟广大客户建立长期合作的关系.希望能为更多的客户代理更好的产品及更好的服务. 我们...
电话：0755-13480196780
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2SK4107
东芝
普通型
伟创国际MOSFET广泛应用于工业电焊机、UPS电源、*器城等领域。 主要代理及经销的品牌：FUJI、TOSHIBA、IR、FAIRCHILD、 供应工业电焊机MOSFET ：2SK4107 伟创国际,六年工业电焊机MOSFET、IGBT开发及配套经验，将是您的供应商。 联系方式： 公司网址：WWW.FOXT...
电话：0755-89667799
手机：13828768321
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) M...
PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。 特征描述 提高工作结温 Tvj op 高直流电压稳定性 高短路能力，自限制短路电流 低开关损耗...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的，接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...
