PM20*M060
MITSUBISHI(三菱)
普通型
供应20A600V三菱模块PM20*M060 质量*经营液晶模块/等离子/YPPD-STK-4921QP-系列平板电视模块,**原装现货 三星缓冲板IC SN755866 SN755867 SN755870 SN755882 FE3407F*IC,通讯IC,工业IC,电脑IC,家电IC,三*管,三端稳压,场效应管,肖特基/快恢复,各种集...
电话:0754-82330985
手机:18923949122
FGA15N120
FAIRCHILD(飞兆)
TO-247
普通型
直插式
散装
w
H25R1202 K25T120 FGA25N120 H20T120 H20R1202 FGA15N120 H15R120 本公司经营场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压等大*率管,及其它电子元件。 更多型号咨询
电话:0754-89972709
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7MBR75SB060-50
SANYO(三洋)
无铅环保型
金佳盛电子,是一家综合性电子器件经销商; 公司本着“诚信”的商道,一直致力于为客户服务,公司时时刻刻关注产品质量,提供最有市场竞争力的价格。在为客户提供优质,,优越的服务,以诚信,平等与责住为企业道德观;以互利,分享,为价值观;以,品质,服务口碑立足...
电话:0754-84496059
手机:15913998825
台湾葳天
*R2045*
品牌/商标 台湾葳天 型号/规格 *R2045* 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 高频 *性 NPN型 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT /(MHz) 集电*允许电流ICM /(A) 集电*耗散功率PCM /(W) 营销方式 拆机 产品性质 *
电话:86 0754 86674799
手机:15089115399
品牌/商标 * 型号/规格 TYN1225 P60NF06 P75NF75 IRF2807 IRF1010E IRF3710 IRF3205 控制方式 单向 *数 三* 封装材料 塑料封装 封装外形 平板形 关断速度 高频(快速) 散热功能 不带散热片 功率特性 *率 频率特性 高频 额定正向平均电流 25(A) 控制*触发电压 1200(V) 控制*触发电流 20(mA) 正向重复峰值电压 200(V) ...
电话:86 754 84495998
手机:13592833368
电话:0754-84430728
电话:754-84485940
品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFP264 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 材料:N-FET硅N沟道本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量*,货源充足,供应电子元气件应用范围:电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、电焊机、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电...
电话:0754-84485397
品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SGW25N120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 汕头市金旺电子贸易有限公司是一家长期供应电子元器件的公司;本公司主营;电解电容,二*管,三*管,场效应,桥堆,整流桥,集成电路等;欢迎新老客户联系洽谈;或;传真;...
电话:0754-89970252
品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRGPC50KD2 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600伏(V) 夹断电压:600伏(V) 低频跨导:30安(μS) *间电容:30安(pF)明达电子商行是汕头市规模的电子元件供应商之一;我们享有惠的...
电话:0754-86678372
近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢? 当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。 电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的,接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...
如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...