6*7132-*D32-0AA0
西门子
普通型
西门子模块6*7132-*D32-0AA0 型号,欢迎来电询价 6*7132-*D32-0AA0 6*7131-1BL01-0XB0 6*7131-*D01-0AA0 6*7131-*F00-0AA0 6*7132-1BL00-0XB0 6*7132-*B31-0AB0 6*7132-*D02-0AA0 6*7132-*D32-0AA0 6*7132-*F00-0AA0 6*7134-4FB01-0AB0 6*7134-4GB01-0AB0 6*7...
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MMD240S160B
MACMIC宏微
普通型
IGBT模块
其他
树脂封装
MMD70E120X MMD70E160X MMD70E180X MMD100E120X MMD100E160X MMD100E180X MMD150F120X MMD150F160X MMD150F180X MMD200F120X MMD200F160X MMD200F180X MMD250F120X MMD250F160X MMD25...
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SEMiX205MLI07E4
赛米控
无铅环保型
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赛米控IGBT模块 IGBT模块,性能 赛米控在SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP中提供的IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管),在拓扑结构、额定电流和电压方面均不同。电流范围从4A到1700A,电压等级从600V到1700V。IGBT模块可用于各种领域,并采用了关键技...
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品牌:富士 型号:IGBT模块 批号:IGBT模块 封装:IGBT模块深圳佳利电子有限公司供应深圳富士IGBT单管深圳佳利电子有限公司供应富士IGBT单管赵刚.cnhttp://szjiali.china.herostart.com中国广东深圳市福田区华强北路赛格广场1D094深圳佳利电子有限公司是一家集代理和销售电子元器件为一体的合资公司。主要经营各种日本品牌电子...
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近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢? 当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。 电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的,接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...
如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...