WX-IGBT，IGBT90
捷普
无铅*型
产品用途： 集成IGBT变频器模块是交流电机理想的调速产品，它在频率范围、动态响应、调速、低频转矩、转差补偿、通讯功能、智能控制、功率因数、工作效率等方面有其*的*性能。它以体积小、重量轻、通用*、应用领域宽、保护功能完善、*性高、操作方便、*等特点...
电话：0533-15866289871
手机：15866289871
种类:代 特性:山东省 用途:功率管三菱IGBT模块、H系列、A系列、NF系列、IPM智能模块、75A/400A--600V/1200V*原装、现货欢迎订购CM75DY-24A、CM100DY-24A、CM150DY-24A、CM200DY-24A、CM300DY-24A、CM600DY-24ACM50DY-24H、CM100DY-24H、CM200DY-24H、CM300DY-24H、CM600DY-24HCM20HA-12H、CM300DA-12HPM150CVA120、PM30CSJ0...
电话：0546-6916058
品牌:英飞凌 型号:BSM10GP120 应用范围:普通工业 整流元件:*缘栅双*型晶体管 功率特性:大功率 频率特性:高频 交流输入电压:1200（V） 直流输出电流:10（A） 工作结温:100（℃） 效率:98（%）IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，*缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱...
电话：0532-66676158
品牌:IGBT 型号:AC 批号:DC 封装:纸经营各国SMD/DIP系列集成电路以及二三*管.场效应.IGBT.肖特基.快恢复.稳压IC.........(IR.FAIRCHILD.PHILIPS.ON.VISHAY.INFINEON.....)汽车品牌(BOHCH)通信.网络品牌(BCM.GALILEO.CISCOSYS.ATMEL.MAXIM.DALLAS)等等品牌.欢迎新老客户洽谈! BSM50GB120DN2BSM150GB120DN27*P50KB060RA03M889...
电话：0531-89865986
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的，接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...
