CM75E3U-12H
MITSUBISHI
无铅环保型
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IRG4BC30K-SPBF
IR
无铅环保型
22+
6000
型号:IRG4BC30K-SPBF 深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器...
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FF400R12KT3
INFINEON(英飞凌)
无铅环保型
22+
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FGS15N40LTF,IGBT,SOP-8,400V,15A,不带二极管
FAIRCHILD(飞兆)
普通型
<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您! 全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 FGS15N40LTF,SOP-8,400V,15A,08NPB SGR15N40L,SOT-252,400V,130A,07...
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7MBR25VKD120-50
FUJITSU(富士通)
无铅环保型
1600
22+
1
MODULE
FUJI/富士模块7MBR25VKD120-50:IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IG...
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IRG4PH50SPBF
INFINEON(英飞凌)
无铅环保型
TO-247AC
25
深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销 Microchip Power Integrations Dialog Toshiba ST ADI TI 等欧美日本品牌,客户范围涉及温控类、电力系统自动化产品、数...
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STGWT60H65DFB
ST(意法半导体)
无铅环保型
管装+盒装
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TO-3P
STGWT60H65DFB TO-3P ST意法IGBT晶体管60A 650V韩国产地 沟道栅场截止IGBT,HB系列 标记丝印GWT60H65DFB 650 V,60 A 高速 STGWT60H65DFB特征 zui大结温:TJ = 175 °C 高速开关...
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BSM150GX120DN2
INFINEON(英飞凌)
无铅环保型
型号: BSM150GX120DN2 品牌:英飞凌 封装: 批号:08+ 数量:340 我司常备原装现货,质量保证,价格优势,欢迎咨询洽谈!! ==========================================深圳市信泰瑞达科技有限公司/廖立斌ADD:深圳市福田区华强北振兴路华发大厦5楼商务中心#...
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WSS-TLP521
WSS
无铅环保型
MOSFET,结型场效应管,IGBT模块,IPM模块,GTR达林顿模块,规格齐全,原装,欢迎来电咨询洽谈!!!
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CRG40T120BK3LD
CRMICRO华润微
无铅环保型
双极型晶体管
TO-247
产品详情: Tstg 存储温度范围:-55~150℃ Ifm 二极管脉冲正向电流(TC=25℃): 160A If 二极管直流正向电流 (TC=100℃) :40A 二极管直流正向电流 (TC=25℃):80A Pd 耗散功率 @TC=25...
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2MBI75U4A-120
FUJITSU(富士通)
普通型
1114166950
13528872882
www.szscmdz.com
wzl@szscmdz.com
2MBI75U4A-120 FUJITSU/富士通 IGBT电源模块 现货供应 价格优势-深圳晨迈电子 FDD6670AL FDD6670AL FDD6670AS FDD6670S FDD6672A FDD6673 FDD6676 FDD6676A FDD6676A FDD6676AS FDD66...
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CM200DY-12H
MITSUBISHI(三菱)
无铅环保型
600V
200A
780W
产品型号 CM200DY-12H 类别 分立半导体产品 家庭 IGBT - 模块 系列 IGBTMOD™ IGBT 类型 - 配置 半桥 电压 - 集射极击穿(值) 600V 电流 - 集电极 (Ic)...
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FGA25N120ANTD
FAIRCHILD(飞兆)
无铅环保型
管装
型号:FGA25N120ANDTU 品牌:仙童 标准包装:450 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT- 单路 晶体管类型::绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 集电极直流电流::50A 饱和电压, Vce sat ::2.5V 功耗, Pd::312W 电压, Vceo::1.2kV 工作温度范围::-55°C 到...
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96843LPAB_090901-R6
中兴
无铅环保型
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1D600A-030
FUJITSU(富士通)
普通型
1D600A-030
FUJITSU
*
1(无限)
本公司货源充足,交货快捷,在同行中有较好的信誉,欢迎各厂家及供销商来人来电询购。 只做原装 IR、ON、仙童品牌系列:场效应管.MOSFET管,IGBT.电源驱动IC 主营DIP/SMD集成系列:74HC/H...
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IKW30N60H3FKSA1
INFINEON(英飞凌)
普通型
21+
表面贴装型
产品简介: IKW30N60H3FKSA1晶体管IGBT 类型 IKW30N60H3FKSA1晶体管IGBT描述全选类别分立半导体产品晶体管IGBT单 IGBT制造商Infineon Technologies系列TrenchStop包装管件产品状态在...
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APTGT50SK170T1G
Microsemi
无铅环保型
1.7 kV
75 A
400 nA
312 W
IGBT 模块APTGT50SK170T1GMicrosemi原装现货 IGBT 模块APTGT50SK170T1G IGBT 模块APTGT50SK170T1G IGBT 模块APTGT50SK170T1G 制造商: Microsemi 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 ...
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MSK4300-HD
MSK
无铅环保型
75伏
10安培
批次
进口原装
MSK4300-HD MSK4300-HD MSK4300-HD 特征: 75伏电机电源电压 10安培输出开关能力,全N通道MOSFET输出桥 100%工作循环高压侧导通 适用于从直流到100kHz的PWM应用 射穿/交叉传导保护 欠...
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AP20N15GI-HF
APEC台湾富鼎
无铅环保型
18+
12500
TO-220CFM
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor-IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor-GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也...
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近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢? 当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。 电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的,接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...
如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...