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IGBT模块

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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公司类型

广州

源头工厂

全新现货IGBT 7MBR25SA-120-50广州一手货源价格优势！

型号/规格：
7MBR25SA-120-50
品牌/商标：
FUJITSU(富士通)
环保类别：
无铅环保型

型号：7MBR25SA-120 参数：25A 1200V 性能：IGBT 2MBI200S-120 2MBI200U2A060 2MBI200U4B120 2MBI200U4H120 2MBI200VA060-50 2MBI200VB120-50 2MBI200VH120-50 2MBI300N-060 2MBI300P140 2MBI300U2B060-50 2MBI300U4H120 2MBI300U4H-170 2MBI300VB060-50 2MBI...

广州市越秀彩迪电子有限公司
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企业类型：贸易/代理/分销
地区:广东广州

电话：020-83237072

手机：18998372998

西门子IGBT模块

型号/规格：
BSM 200GA 120DN2SE3256
品牌/商标：
西门子
*类别：
无铅*型

广州祥瑞机电设备有限公司长期现货供应西门子IGBT模块，库存*，以备客户急需之用，价格优惠，欢迎来电垂询！：谢先生：手机号码传真号码欢迎您的来电产品简介：型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 BSM 200GA 120DN2SE3256 BSM 200GA 120DN2(DLC) 200A/1...

广州智尚自动化设备有限公司
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企业类型：经销商
地区:广东广州

电话：020-22957192

手机：13611486760

场效应IGBT IRFPS37N50K

品牌:IR 型号:IRFPS37N50K大量现货库存

广州市越秀区晋源电子商行
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企业类型：经销商
地区:广东广州

电话：020-83357801

11+ HGTG11N120CND 11N120CND HGTG11N120 场效应管/IGBT管

品牌：
FAIRCHILD/*童
型号：
hgtg11n120cnd

品牌/商标 FAIRCHILD/*童型号/规格 hgtg11n120cnd 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道导电方式增强型用途 D/变频换流封装外形 CER-DIP/陶瓷直插材料 GE-N-FET锗N沟道开启电压 800（V）夹断电压 1200（V）跨导 0.1（&mu;S） *间电容 0.1（pF）低频噪声系数 0.1（dB）漏*电流 43A（mA）耗散功率原厂标准...

王欢
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东广州

电话：020-83795647

场效应IGBT.原装H20T120

品牌:INF 型号:H20T120 封装形式:直插型种类:结型沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型营销方式:现货用途:广泛迅丰电子供应场效应IGBT 原装 INF H20T120 有需要欢迎来电咨询谢谢

广州市越秀区迅丰电子经营部
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企业类型：经销商
地区:广东广州

电话：020-83302113

IGBT驱动器QC962和QC841

型号/规格：
QC962和QC841
品牌/商标：
MORNSUN
*类别：
无铅*型

品牌 MORNSUN 型号 QC962和QC841 应用范围稳压/恒压类别名称:混合集成IGBT 驱动器A、QC841 是一种混合集成型IGBT 驱动器，内部集成高共模抑制比和高隔离电压的*光耦，可实现功率半导体器件与控制电路之间的*电气隔离。通过检测IGBT 的集电*欠饱和压降来实现...

广州普田电子有限公司
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企业类型：生产企业
地区:广东广州

电话：020-32720121

手机：13527758032

IGBT模块行业资讯

Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本[2024-06-18]
近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
Power Integrations推出适用于1．2kV至2．3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器[2024-05-22]
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体...
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器[2024-01-02]
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可...
Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2024-01-02]
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化[2023-12-25]
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...

什么是IGBT模块?

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
目录
- 选择
- 用途
- 使用
- 保管要点

IGBT模块技术资料

IGBT模块上的续流二极管（续流二极管作用）[2022-12-23]
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？　　当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。　　我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。　　电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。　　但变频器实际是要驱动电机的，接在电...
IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...
适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...
IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]
Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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