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IGBT模块

(共找到“11”条查询结果)
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浙江
源头工厂
  • 型号/规格:

    PM25RSB120云达电子科技

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    普通型

云达电子科技供应 三菱 富士 IXYS 西门康 等品牌模块 MAX,AD,NXP,FSC,ST,金升阳模块,长电,STC大量原装现货供应, 智能功率模块PM25RSB120在变频调速中的应用 IGBT智能功率模块IPM(INTELLIGENT POWER MODULE) 是一种几个高速、低功耗的IGBT和选的门极驱动电...

  • 型号/规格:

    IXGH6N170

  • 品牌/商标:

    IXYS

  • *类别:

    普通型

*拆机件,IXYS公司,1700V 12A

  • 温岭东升电子
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:浙江台州
  • 电话:0576-86994176

    手机:13858675848

  • 品牌:

    富士

  • 型号:

    CVM180BB80

品牌/商标 富士 型号/规格 CVM180BB80 应用范围 电子设备 整流元件 电子管

  • 谢云霞(个体经营)
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:浙江台州
  • 电话:0576-86445313

    品牌:IGBT驱动板 型号:IGBT驱动板 机械刚性:刚性 层数:单面 基材:控制板 批发各类逆变焊机,直流焊机IGBT模块,规格多,品种齐,价格公道

      品牌:* 型号:*童 应用范围:带阻尼 FGA25N120(电磁炉*IGBT管),电磁炉功率开关管

        品牌/商标 正力 型号/规格 IGBT 模块, ZG, SKM 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 1200(V) 夹断电压 1.7(V) 低频跨导 35(μS) *间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏*电流 10(mA) 耗散功率 44(mW)

        • 品牌:

          华晶

        • 型号:

          IGBT

        品牌/商标 华晶 型号/规格 IGBT 控制方式 双向 *数 四* 封装材料 树脂封装 封装外形 平底形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 *频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 1000(A) 控制*触发电流 1000(mA) 稳定工作电流 200(A) 反向重复峰值电压 600(V) 浙江华晶整流器有限公司生产整理模块,可控硅,晶...

          品牌:FAIRCHILD(*童) 型号:FGA25N120 封装:TO-* *限电压:1200(V) *限电流:25(A) 用途:电磁炉控制板 沟道类型:N沟道电磁炉*

            应用范围 通用 品牌/商标 MITSUBI/三菱 产品系列 3G3JV 型号/规格 QM75TX-H 额定电压 单相/三相AC200(V) 适配电机功率 5.5(kW) 滤波器 内置1A滤波器 控制方式 电压矢量 供电电压 低压 电源相数 单相 输出电压调节方式 PAM控制 外型 塑壳 营销方式 现货 额定电流 30(A) 电机容量 5500(KVA)

              品牌:英飞凌 型号:英飞凌IGBT 批号: 封装:*原装 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:*规模 规格尺寸:0(mm) 工作温度:0(℃) 静态功耗:0(mW)供应*原装英飞凌模块 杭州晶洋电子有限公司-销售部位于中国杭州市大关路276号,杭州晶洋电子有限公司-销售部是一家电子...

              • 型号/规格:

                2*300U4H-120

              • 品牌/商标:

                FUJI

              • *类别:

                无铅*型

              富士电机作为IGBT硅片生产厂家,*早将IGBT模块引入中国市场。经过几十年的不断发展,半导体器件已成为国内UPS、变频器、电镀电源领域获得了广泛的应用,已成为经典使用器件!富士IGBT是一款性价比*高的功率模块,制作*,价格低廉,已成为国内*功率模块的,性...

              IGBT模块行业资讯

              什么是IGBT模块?

              •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
              • IGBT模块

              IGBT模块技术资料

              • IGBT模块上的续流二极管(续流二极管作用)[2022-12-23]

                IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢?  当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。  我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。  电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。  但变频器实际是要驱动电机的,接在电...

              • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

                IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

              • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

                如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

              • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

                由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动

              • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

                Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

              电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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