7MBR100UB120
富士
普通型
100A
否
是
标准封装
1200V
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LWG200H12E4U
SZFJ
无铅环保型
金属平底
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62X107MM
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英飞凌
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南京芯科利电子科技有限公司是一家从事电力半导体器件和电子元器件的代理及分销商,产品广泛应用到民用,工业,通信,等电子产品领域中。专注为电焊机、变频器、开关电源、逆变电源、...
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三菱模块 CM100MXUC-24T1 100A 三菱模块 CM100MXUC-24T1 100A GBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块是所有工业设备变频化必需的元器件, 从20世纪90年代...
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品牌/商标 西门康 型号/规格 SKM400GB128D 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MIN/微型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 SIT静电感应 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(&mu;S) *间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏*电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 面向*,苏州优质模块供应商,代...
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BSM50GB60DLC 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 34mm BSM75GB60DLC 75A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 34mm BSM100GB60DLC 100A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 34mm BSM150GB60DLC 150A,600V@Tc=80℃,IGB...
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近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2...
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢? 当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。 电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。 但变频器实际是要驱动电机的,接在电...
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...
如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动
Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...