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IGBT模块

（共找到“420”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

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源头工厂
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PSS15SF6-AG15 IGBT 模块 日本三菱MITSUBISHI
PSS15SF6-AG15 IGBT 模块 日本三菱MITSUBISHI
  • 型号/规格：

    PSS15SF6-AG15

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装：

    MODULE

PSS15SF6-AG15 IGBT 模块 日本三菱MITSUBISHI 公司介绍 深圳市欧昇科技有限公司于2006年进军深圳市场。是一家大型而的IC（集成电路）代理分销商。主营品牌有三菱，MICROCHI单片机、AD、TI、BB、ST、NXP、ON、MAX、LITTELFUSE等电子无器件。 为应广大客户的需...

德国英飞凌IGBT模块FF200R33KF2C质量保质一年
德国英飞凌IGBT模块FF200R33KF2C质量保质一年
  • 型号/规格：

    FF200R33KF2C

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

SIEMENS IGBT,infineon IGBT, Eupec IGBT,SIEMENS FF200R33KF2C, infineon FF200R33KF2C, eupec FF200R33KF2C。 品牌：西门子（SIEMENS）、英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）同属于西门子及子公司 FF200R33KF2C备注：全新原装现货 各大品牌IGBT、二极管、整...

CM100DY-24A MITSUBISHI三菱模块
CM100DY-24A MITSUBISHI三菱模块
  • 型号/规格：

    CM100DY-24A

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装：

    IGBT模块

  • 数量：

    680

  • 仓库：

    深圳

CM100DY-24A MITSUBISHI三菱模块 三菱CM100DY-24A是日本三菱公司开发出售的正对大功率快速开关领域的超快速沟道型IGBT模块,其的特点是得功率损耗和逆变器性能 三菱CM100DY-24A是日本...

英飞凌原装 2A100HB12C1U 工业焊机系列模块
英飞凌原装 2A100HB12C1U 工业焊机系列模块
  • 型号/规格：

    2A100HB12C1U

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装外形：

    平底形

  • 封装材料：

    树脂封装

  • 散热功能：

    带散热片

  • 频率特性：

    高频

产品信息：2A100HB12C1U产品型号2A100HB12C1U产品品牌INF产品封装模块产品质量原装产品参数100A1200V<...

BSM50GD120DN2-B10 原装现货 宏捷佳电子
BSM50GD120DN2-B10 原装现货 宏捷佳电子
  • 型号/规格：

    BSM50GD120DN2-B10

  • 品牌/商标：

    EUP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装：

    模块

AMPWP2232SAB 5 AMPWP2232SACI 15 K4S280832K-UC75 112 HTQ2G83BFR-H9C 36 K4S641632H-TC75 280 EM68B16CWQH-25H 100 H5TQ2G43BFR-H9C 322 TC58NVG1S3ETA10 180 H5TQ2G83CFR-PBC 34 H5TQ2G43CFR-PBC 246 K4H560438E-TCB0 480 H5TC8G83AMR-PBA 59 H5TQ4G83BMR-...

分立半导体 HGTG12N60A4D 晶体管IGBT
分立半导体 HGTG12N60A4D 晶体管IGBT
  • 型号/规格：

    HGTG12N60A4D

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装 / 箱体:：

    TO-247-3

  • 最小工作温度:：

    - 55 C

  • 最大工作温度:：

    + 150 C

  • Pd-功率耗散:：

    167 W

HGTG12N60A4D制造商:onsemi产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极zui大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电...

IGBT驱动器 FGD3040G2-F085V/C
IGBT驱动器 FGD3040G2-F085V/C
  • 型号/规格：

    FGD3040G2-F085V

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 年份：

    22+

onsemi IGBT,FGD3040G2-F085V制造商零件编号 FGD3040G2-F085 制造商 onsemiFGD3040G2-F085V产品详细信息汽车点火开关 IGBT，Fairchild Semiconductor这些 EcoSPARK IGBT 设备经过优化，可用于驱动汽车点火线圈。它们已通过压力测试，并符合 AEC-Q101 标准。&l...

英飞凌IGBT模块FS150R17N3E4 FS150R17N3E4_B11 FS75R07N2E4全新原装现货
英飞凌IGBT模块FS150R17N3E4 FS150R17N3E4_B11 FS75R07N2E4全新原装现货
  • 型号/规格：

    FS150R17N3E4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    普通型

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    Tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    德国

供应英飞凌IGBT模块FS150R17N3E4 FS150R17N3E4_B11 FS75R07N2E4全新原装现货 IGBT常见的形式实际上是模块（模块），而不是单管。 IGBT模块是由IGBT和FWD（续流二极管芯片）通过特定的...

2SD106A CONCEPT 模块
2SD106A CONCEPT 模块
  • 型号/规格：

    2SD106A

  • 品牌/商标：

    CONCEPT

  • 环保类别：

    无铅环保型

深圳市金锐力科技有限公司是一家从事知名品牌集成电路【IC】技术推广、设计应用和销售服务的高科技电子公司。致力于为通信、汽车电子、仪器仪表、消费类电子(MID/平板电脑)及电机驱动、工业机械设备等广泛客户提供关键元件配套服务。长年备有大批量现货库存.....

原装，一站式配单服务
原装，一站式配单服务
  • 型号/规格：

    MCC26-16IO1B

  • 品牌/商标：

    IXYS

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 结构\t：

    串联 - 全部为 SCR

  • SCR 数，二极管：

    2 SCRs

  • 电压 - 断态：

    1.6kV

  • 电流 - 通态（It（AV））（值：

    32A

  • 电流 - 通态（It（RMS））（值）：

    50A

全新原装,公司现货 公司主营：传感器、可编程逻辑器件、存储器、存储控制器、射频、开关、多路复用器与分离器、微处理器、微控制器、控制器、放大器、数字信号处理器、数字电位器、数...

FF600R12ME4全新现货
FF600R12ME4全新现货
  • 型号/规格：

    FF600R12ME4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 库存：

    560

FF600R12ME4数据表 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Dual 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 在25 C的连续集电极电流: 995 A 栅极—射极漏泄电流: 400 nA Pd-功率耗散: 4050 W 工作温度: ...

：IGBT 晶体管 MGP15N40CL
：IGBT 晶体管 MGP15N40CL
  • 型号/规格：

    MGP15N40CL

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 产品种类：

    IGBT 晶体管

  • 封装：

    TO-220-3

  • 配置：

    Single

制造商: ON Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 技术: Si 封装 / 箱体: TO-220-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 440 V 栅极/发射极电压: 22 V Pd-...

FB20R06W1E3
FB20R06W1E3
  • 型号/规格：

    FB20R06W1E3

  • 品牌/商标：

    Infineon

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 制造商：

    Infineon

  • 产品种类：

    IGBT 模块

  • 产品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Hex

制造商:Infineon 产品种类:IGBT 模块 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Hex 集电极—发射极电压 VCEO:600 V 在25 C的连续集电极电流:29 A 封装 / 箱体:EASY1B 工作温度:+ 150 C 商标:I...

：IGBT 模块 FF200R33KF2C
：IGBT 模块 FF200R33KF2C
  • 型号/规格：

    FF200R33KF2C

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 高度：

    38 mm

  • 长度：

    140 mm

  • 宽度：

    73 mm

  • Pd-功率耗散：

    2.2 kW

制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: N 配置: Dual 集电极—发射极电压 VCEO: 3300 V 集电极—射极饱和电压: 3.4 V 在25 C的连续集电极电流: 330 A 栅极—射极漏泄电流: 400 ...

eupec 模块 FS300R12KE3-S1
eupec 模块 FS300R12KE3-S1
  • 型号/规格：

    FS300R12KE3-S1

  • 品牌/商标：

    eupec

  • 环保类别：

    普通型

6组IGBT300A1200V

MSK4300-HD进口原装
MSK4300-HD进口原装
  • 型号/规格：

    MSK4300-HD

  • 品牌/商标：

    MSK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 电机电源电压：

    75伏

  • 输出开关能力：

    10安培

  • 批次：

    批次

  • 备注：

    进口原装

MSK4300-HD MSK4300-HD MSK4300-HD 特征： 75伏电机电源电压 10安培输出开关能力，全N通道MOSFET输出桥 100%工作循环高压侧导通 适用于从直流到100kHz的PWM应用 射穿/交叉传导保护 欠...

三菱功率模块 PS21962-4S
三菱功率模块 PS21962-4S
  • 型号/规格：

    PS21962-4S

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 应用：

    AC100V〜 200V的三相逆变器驱动小功率电机控制

具体请参照PDF PS21962-4是600V / 5A低损耗第五代三相直流 - 交流功率转换IGBT逆变桥 集成电源功能600V / 5A低损耗5th对于代IGBT逆变桥三相直流 - 交流功率转换 集成驱动，保护和系统控制功能对于上桥臂的IGBTS：驱动电路，高压高速电平转换，控制电源欠压（ ...

ND350N12K
ND350N12K
  • 型号/规格：

    ND350N12K

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

深圳市艾力鑫电子科技有限公司只为追求你优质体验 品质只为长久合作 我们始终致力于为你的PCB电路板 解决互联互通问题 为你提供优质的服务 的品质 我公司提供配单服务为你提供全面可靠快捷的配单体验 为你省时省钱省人力 IGBT单管,IGBT单管,英飞凌快恢复二极...

BSM50GAL120DN2 IGBT模块
BSM50GAL120DN2 IGBT模块
  • 型号/规格：

    BSM50GAL120DN2

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 包装：

    盒装

产品种类: IGBT 模块 制造商: Infineon RoHS: 符合RoHS 详细信息 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Half Bridge 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.5 V 在25 C的连续集电极电流: 78 A 栅极—射极漏泄电流: 400 nA Pd-功率耗散: 400 W...

IRG4PC50WPBF IGBT晶体管 ▊原装现货▊
IRG4PC50WPBF IGBT晶体管 ▊原装现货▊
  • 型号/规格：

    IRG4PC50WPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 包装方式：

    盘装

  • 安装方式：

    SMD/SMT

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 <span style="text-alig...

IGBT模块行业资讯

什么是IGBT模块?

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

  • 目录

    IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块上的续流二极管（续流二极管作用）[2022-12-23]

    IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？　　当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。　　我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。　　电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。　　但变频器实际是要驱动电机的，接在电...

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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