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IGBT模块

（共找到“439”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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APT2X101D120J代理MICROSEMI
APT2X101D120J代理MICROSEMI
  • 型号/规格：

    APT2X101D120J

  • 品牌/商标：

    MICROSEMI/APT

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 数量：

    926

数据列表 APT2X10xD120J 标准包装 10 包装 管件 类别 分立半导体产品 产品族 二极管，整流器 - 模块 系列 - 其它名称 APT2X101D120JMI APT2X101D120JMI-ND 规格 二极管配置 2 个独立式 二极管类型 标准 电压 - DC 反向（Vr）（值） 1200V（1.2kV） 电流 - 平...

PM300CLA060原装现货
PM300CLA060原装现货
  • 型号/规格：

    PM300CLA060

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 1：

    原装

  • 2：

    无铅环保

  • 3：

    深圳现货

  • 4：

    数量多

PM300CLA060 三菱功率模块，全线代理优势，只有！！ 特征一）采用新的第5代IGBT （ CSTBT ）芯片，性能是由1μm的细规则的过程改进。例如，典型的Vce（SAT） = 1.5V @ TJ = 125&#...

三菱功率模块 PS21962-4S
三菱功率模块 PS21962-4S
  • 型号/规格：

    PS21962-4S

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 应用：

    AC100V〜 200V的三相逆变器驱动小功率电机控制

具体请参照PDF PS21962-4是600V / 5A低损耗第五代三相直流 - 交流功率转换IGBT逆变桥 集成电源功能600V / 5A低损耗5th对于代IGBT逆变桥三相直流 - 交流功率转换 集成驱动，保护和系统控制功能对于上桥臂的IGBTS：驱动电路，高压高速电平转换，控制电源欠压（ ...

NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON
NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON
  • 型号/规格：

    NGTB10N60R2DT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 集电极—射极饱和电压：

    1.7 V

  • 栅极/发射极电压：

    +/- 20 V

  • 在25 C的连续集电极电流：

    20 A

  • Pd-功率耗散：

    72 W

NGTB10N60R2DT4G IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK600V, 10A, N-Channel 型号:NGTB10N60R2DT4G 制造商: ON Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 无铅环保 技术: Si 封装 / ...

英飞凌模块 F3L100R07W2E3_B11
英飞凌模块 F3L100R07W2E3_B11
  • 型号/规格：

    F3L100R07W2E3-B11

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 批号：

    17+

  • MOQ：

    15

  • 包装：

    原包

深圳市行进微电子有限公司 长期稳定供应。 兼经营偏冷门、停产、军工业品的集成IC；并在海外开拓了很多有军品级，停产，冷门的产品现货渠道的供应合作商，同时借助性的采购网络为我们...

原装，一站式配单服务
原装，一站式配单服务
  • 型号/规格：

    MCC26-16IO1B

  • 品牌/商标：

    IXYS

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 结构\t：

    串联 - 全部为 SCR

  • SCR 数，二极管：

    2 SCRs

  • 电压 - 断态：

    1.6kV

  • 电流 - 通态（It（AV））（值：

    32A

  • 电流 - 通态（It（RMS））（值）：

    50A

全新原装,公司现货 公司主营：传感器、可编程逻辑器件、存储器、存储控制器、射频、开关、多路复用器与分离器、微处理器、微控制器、控制器、放大器、数字信号处理器、数字电位器、数...

电路保护 > 熔丝座 > 保险丝座 > Littelfuse 178.6164.0001
电路保护 > 熔丝座 > 保险丝座 > Littelfuse 178.6164.0001
  • 型号/规格：

    178.6164.0001

  • 品牌/商标：

    Littelfuse

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 电压额定值：

    80 V

  • 颜色：

    Black

为了满足广大客户的即时需求，公司在北京、深圳和香港等地都建立了自己的现货仓库，库存金额已接近一亿人民币。同时，公司通过强大的供货网络，可以随时从世界各地为客户调拨通用或紧...

IKA15N65ET6 Infineon/英飞凌 IGBT单管模块
IKA15N65ET6 Infineon/英飞凌 IGBT单管模块
  • 型号/规格：

    IKA15N65ET6

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    普通型

  • 封装：

    TO-220

  • 库存：

    深圳

  • 数量：

    750

致诚达主要代理台湾通嘉,巨风芯,宝砾微, 率能半导体,无锡新洁能，长园维安,芯长征,威兆,成都芯进,旋智等国内产品线以及配套方案设计(直流无刷电机控制器方案提供商)，分销国外ON,Infi...

新洁能IGBT模块NCE40TD120WT
新洁能IGBT模块NCE40TD120WT
  • 型号/规格：

    NCE40TD120WT

  • 品牌/商标：

    NCE（新洁能）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 备注：

    新洁能代理

  • 封装：

    TO-247

  • 电压：

    1200V

  • 电流：

    40A

IGBT模块NCE40TD120WT关于我们创胜达电子(TranscendencyElectronics)成立于2007年,主要从事电子元器件的代理销售。代理产品线有KOA、TXC、LELON、扬杰、MCC、新洁能、蕊源、力芯微、...

2SD106A CONCEPT 模块
2SD106A CONCEPT 模块
  • 型号/规格：

    2SD106A

  • 品牌/商标：

    CONCEPT

  • 环保类别：

    无铅环保型

深圳市金锐力科技有限公司是一家从事知名品牌集成电路【IC】技术推广、设计应用和销售服务的高科技电子公司。致力于为通信、汽车电子、仪器仪表、消费类电子(MID/平板电脑)及电机驱动、工业机械设备等广泛客户提供关键元件配套服务。长年备有大批量现货库存.....

德国英飞凌IGBT模块FF200R33KF2C质量保质一年
德国英飞凌IGBT模块FF200R33KF2C质量保质一年
  • 型号/规格：

    FF200R33KF2C

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

SIEMENS IGBT,infineon IGBT, Eupec IGBT,SIEMENS FF200R33KF2C, infineon FF200R33KF2C, eupec FF200R33KF2C。 品牌：西门子（SIEMENS）、英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）同属于西门子及子公司 FF200R33KF2C备注：全新原装现货 各大品牌IGBT、二极管、整...

英飞凌原装 2A100HB12C1U 工业焊机系列模块
英飞凌原装 2A100HB12C1U 工业焊机系列模块
  • 型号/规格：

    2A100HB12C1U

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装外形：

    平底形

  • 封装材料：

    树脂封装

  • 散热功能：

    带散热片

  • 频率特性：

    高频

产品信息：2A100HB12C1U产品型号2A100HB12C1U产品品牌INF产品封装模块产品质量原装产品参数100A1200V<...

ABB 模块3BHB004744R0010 3BHB004661R0101 3BHB3230R0101 3BHB006449R0002
ABB 模块3BHB004744R0010 3BHB004661R0101 3BHB3230R0101 3BHB006449R0002
  • 型号/规格：

    3BHB004744R0010 3BHB004661R0101

  • 品牌/商标：

    ABB

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 价格：

    19630.0

ABB 模块3BHB004744R0010 3BHB004661R0101 3BHB3230R0101 3BHB006449R0002 全新ABBACS1000中压变频3BHE021887R01013BHB003431R0101 5SGY3545L0010 3BHB006485R0001ABB整流模块可控硅 9103-JM 3BHB004661R0001 KUC711AE ABB电源控制单元 HIEE300927R0001 UBC71...

英飞凌IGBT模块FS150R17N3E4 FS150R17N3E4_B11 FS75R07N2E4全新原装现货
英飞凌IGBT模块FS150R17N3E4 FS150R17N3E4_B11 FS75R07N2E4全新原装现货
  • 型号/规格：

    FS150R17N3E4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    普通型

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    Tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    德国

供应英飞凌IGBT模块FS150R17N3E4 FS150R17N3E4_B11 FS75R07N2E4全新原装现货 IGBT常见的形式实际上是模块（模块），而不是单管。 IGBT模块是由IGBT和FWD（续流二极管芯片）通过特定的...

BSM50GD120DN2-B10 原装现货 宏捷佳电子
BSM50GD120DN2-B10 原装现货 宏捷佳电子
  • 型号/规格：

    BSM50GD120DN2-B10

  • 品牌/商标：

    EUP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装：

    模块

AMPWP2232SAB 5 AMPWP2232SACI 15 K4S280832K-UC75 112 HTQ2G83BFR-H9C 36 K4S641632H-TC75 280 EM68B16CWQH-25H 100 H5TQ2G43BFR-H9C 322 TC58NVG1S3ETA10 180 H5TQ2G83CFR-PBC 34 H5TQ2G43CFR-PBC 246 K4H560438E-TCB0 480 H5TC8G83AMR-PBA 59 H5TQ4G83BMR-...

2SD315AI模块
2SD315AI模块
  • 型号/规格：

    2SD315AI

  • 品牌/商标：

    英飞凌

  • 环保类别：

    无铅环保型

2SD315AIDKR200AB60TM150SA-6 PWB60A40 PWB60A30PWB80A40 PWB80A30 PWB100A30 PWB100A40 PWB130A40 PWB200A40 VLA517-01RMBRP30045CTMBRP300100CTMBRP300200CTMBRP40045CTMBRP400100CTMBRP60045CT

PM300CLA060原装现货
PM300CLA060原装现货
  • 型号/规格：

    PM300CLA060

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 数量：

    可长期供货

  • 货况：

    原装

  • 产地：

    日本

PM300CLA060 原装，长期有货！ 器件产生的外电压称为开路电压,其值不超过两金属电极功函数之差。此时,开路电压将与内建电场平衡,由于器件的净剩电场为零,电流也为零。图4.11(b)中是没...

分立半导体 HGTG12N60A4D 晶体管IGBT
分立半导体 HGTG12N60A4D 晶体管IGBT
  • 型号/规格：

    HGTG12N60A4D

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装 / 箱体:：

    TO-247-3

  • 最小工作温度:：

    - 55 C

  • 最大工作温度:：

    + 150 C

  • Pd-功率耗散:：

    167 W

HGTG12N60A4D制造商:onsemi产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极zui大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电...

CM100DY-24A MITSUBISHI三菱模块
CM100DY-24A MITSUBISHI三菱模块
  • 型号/规格：

    CM100DY-24A

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 封装：

    IGBT模块

  • 数量：

    680

  • 仓库：

    深圳

CM100DY-24A MITSUBISHI三菱模块 三菱CM100DY-24A是日本三菱公司开发出售的正对大功率快速开关领域的超快速沟道型IGBT模块,其的特点是得功率损耗和逆变器性能 三菱CM100DY-24A是日本...

西门康模块SKKT57/16E;全新原装热卖~！
西门康模块SKKT57/16E;全新原装热卖~！
  • 型号/规格：

    SKKT57/16E

  • 品牌/商标：

    SEMIKRON（西门康）

  • 环保类别：

    无铅环保型

公司新进西门康模块：SKKT57/16E，原厂原装现货，价格优势 Semikron新型可控硅模块设计用于过载情况 SEMiSTART，一款来自赛米控(Semikron)的新型反并联可控硅模块(W1C开关)。该模块被设计用于过载情况，它有三种不同的尺寸和五种不同的电流等级。尺寸的模块可...

IGBT模块行业资讯

什么是IGBT模块?

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

  • 目录

    IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块上的续流二极管（续流二极管作用）[2022-12-23]

    IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？　　当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。　　我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。　　电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。　　但变频器实际是要驱动电机的，接在电...

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面，由于IGBT的性能已经接近“硅限”，所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说，我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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