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NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON

NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON
NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON
  • 型号/规格:

    NGTB10N60R2DT4G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.7 V

  • 栅极/发射极电压:

    +/- 20 V

  • 在25 C的连续集电极电流:

    20 A

  • Pd-功率耗散:

    72 W

金牌会员 第 16
  • 企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23956688
    0755-23956688

    手机:13410226883

    联系人:叶先生/王先生

    QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

    邮箱:Lee@zlxele.com

    地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

产品分类
商品信息


NGTB10N60R2DT4G

IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK 600V, 10A, N-Channel


型号: NGTB10N60R2DT4G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: IGBT 晶体管 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

封装 / 箱体: DPAK-3 

安装风格: SMD/SMT 

配置: Single 

集电极—发射极电压 VCEO: 600 V 

集电极—射极饱和电压: 1.7 V 

栅极/发射极电压: +/- 20 V 

在25 C的连续集电极电流: 20 A 

Pd-功率耗散: 72 W 

工作温度: + 175 ℃ 

封装: Cut Tape 

包装: Reel 

集电极连续电流 Ic: 10 A  

商标: ON Semiconductor  

栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 2500  

子类别: IGBTs  

单位重量: 350 mg


NGTB10N60R2DT4G Features

 Reverse Conducting II IGBT

 IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=10A, VGE=15V]

 IGBT tf=65ns (typ)

Diode VF=1.5V (typ) [IF=10A]

Diode trr=90ns (typ)

5s Short Circuit Capability


NGTB10N60R2DT4G Applications

 General Purpose Inverter


Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specified

Parameter Symbol Value Unit

Collector to Emitter Voltage VCES 600 V

Gate to Emitter Voltage VGES 20 V

Collector Current (DC) @Tc=25C *2 IC *1 20 A

Limited by Tjmax @Tc=100C *2 10 A

Collector Current (Peak) ICP 40 A

Pulse width Llimited by Tjmax

Diode Average Output Current IO 10 A

Power Dissipation PD 72 W

Tc=25C (Our ideal heat dissipation condition) *2

Junction Temperature Tj 175 C

Storage Temperature Tstg 55 to +175 C



联系方式

企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23956688
0755-23956688

手机:13410226883

联系人:叶先生/王先生

QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

邮箱:Lee@zlxele.com

地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

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