IRG4PC50WPBF
IR
无铅环保型
盘装
SMD/SMT
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.3 V
正极/发射极电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：55 A
IGBT晶体管Pd-功率耗散：200 W
IGBT晶体管工作温度：-55 C
封装：Tube
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PC50WPBF SP001537164
单位重量：38 g
特征
•专为开关模式电源和PFC（功率因数校正）应用而设计
•行业基准的开关损耗可提高所有电源拓扑的效率
•Eoff参数减少50％
•IGBT导通损耗低
•一代的IGBT设计和结构提供更紧密的参数分布，出色的可靠性
•无铅
好处
•与高达150 kHz的功率MOSFET（“硬开关”模式）相比，更低的开关损耗可提供更具成本效益的操作
•对单端转换器和提升150W及更高功率的PFC拓扑特别有用
•低的传导损耗和的少数载流子重组使其成为谐振模式切换（高达> 300 kHz）的选择
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VCES |
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage |
600 |
V |
|
IC @ TC = 25°C |
Continuous Collector Current |
55 |
A |
|
IC @ TC = 100°C |
Continuous Collector Current |
27 |
|
|
ICM |
Pulsed Collector Current CD |
220 |
|
|
ILM |
Clamped Inductive Load Current 0 |
220 |
|
|
VGE |
Gate-to-Emitter Voltage |
士 20 |
V |
|
EARV |
Reverse Voltage Avalanche Energy ® |
170 |
mJ |
|
PD @ TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
200 |
W |
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
78 |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (0.063 in. (1.6mm from case ) |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw. |
10 lbf•in (1.1N•m) |
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企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
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邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
